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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150007260A
公开(公告)日：2015-01-20
申请号：KR1020140086645
申请日：2014-07-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , C23C16/511
CPC classification number: H01J37/3222 , H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/32266 , H01J37/32522
Abstract: 본 발명은 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 적절하게 냉각시키는 것을 목적으로 한다.
마이크로파 플라즈마 처리 장치는, 하나의 실시형태에 있어서, 냉각 플레이트를 갖는다. 또한, 마이크로파 플라즈마 처리 장치는, 냉각 플레이트의 처리 용기측에 간격을 두고 설치되는 중간 금속체로서, 간격은 마이크로파의 도파로를 형성하고, 냉각 플레이트와 도파로의 일부를 차단하도록 배치된 하나 또는 복수의 볼록부에서 접촉하고 있는 중간 금속체를 갖는다. 또한, 마이크로파 플라즈마 처리 장치는, 도파로에 마이크로파를 공급하기 위한 동축 도파관과, 도파로를 경유한 마이크로파를 방사하는 슬롯 안테나판과, 슬롯 안테나판의 처리 용기측에 설치되는 유전체창과, 유전체창에 의해 밀폐되도록 설치되는 처리 용기를 포함한다.Abstract translation: 本发明的目的是适当地冷却微波等离子体处理装置。 根据本发明的实施例的微波等离子体处理装置具有冷却板。 此外，微波等离子体处理装置涉及在冷却板的处理容器中以规则的间隔安装的中间金属，形成微波的波导，并且与一个或多个块单元接触，该块单元布置成阻挡冷却板 和波导的一部分。 另外，微波等离子体处理装置具有：向波导供给微波用的同轴波导管，辐射穿过波导的微波的缝隙天线板，安装在槽型天线板的加工容器侧的电介质窗; 并且所述处理容器安装成由所述电介质窗封闭。
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公开(公告)号：KR101378693B1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：KR1020137006702
申请日：2011-08-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/66 , G01N21/892
CPC classification number: G01N21/55 , H01J37/32192 , H01J37/32972 , H01L21/31116 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L29/6659 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: [과제] 평판 슬롯 안테나의 전자파 방사 특성의 균일성에 영향을 미치지 않고서 파장 영역이 넓은 비코히어런트의 모니터광을 이용하여, 처리 용기 내의 피처리 기판의 표면에 대한 광학적인 모니터링을 고정밀도로 행한다.
[해결수단] 이 마이크로파 플라즈마 에칭 장치에 있어서의 광학 모니터 장치(100)는, 서셉터(12) 상에 배치되는 반도체 웨이퍼(W)의 엣지보다도 반경 방향 내측에 있고, 또한 동축관(66)보다도 반경 방향 외측의 위치이며, 커버 플레이트(72) 위에 배치되는 모니터 헤드(102)와, 이 모니터 헤드(102)로부터 수직 아래쪽으로 커버 플레이트(72), 유전체판(56), 슬롯판(54) 및 유전체창(52)을 종단하여 형성되는 모니터링용의 광 도파로(104)와, 광 파이버(106)를 통해 모니터 헤드(102)와 광학적으로 결합되는 모니터 본체(108)를 갖고 있다.-
公开(公告)号：KR1020150064020A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：KR1020157006043
申请日：2013-09-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 마츠모토나오키 , 도미타유고 , 미하라나오키 , 다카하시가즈키 , 아이타미치타카 , 요시카와준 , 센다다카히로 , 사토요시야스 , 가토가즈유키 , 스도우겐지 , 미즈스기히토시
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32137 , H01L29/66795
Abstract: 일실시형태의플라즈마처리장치에서는, 안테나로부터유전체창을통해마이크로파의에너지가처리용기내에도입된다. 이플라즈마처리장치는중앙도입부및 주변도입부를갖춘다. 중앙도입부의중앙도입구는, 기판을탑재하는탑재대의탑재영역의중앙을향해서개구되어, 유전체창의바로아래에가스를분사한다. 주변도입부의복수의주변도입구는, 중앙도입구보다도아래쪽이면서탑재대의위쪽에있어서원주방향을따라서배열되어있고, 탑재영역의가장자리를향해가스를분사한다. 중앙도입부에는, 반응성가스및 희가스의소스를포함하는복수의제1 가스소스가복수의제1 유량제어유닛을통해접속되어있다. 주변도입부에는, 반응성가스및 희가스의소스를포함하는복수의제2 가스소스가복수의제2 유량제어유닛을통해접속되어있다.
Abstract translation: 在等离子体处理设备的一个实施例中，微波的能量通过电介质窗口从天线引入到处理容器中。 该等离子体处理装置具有中心引入部分和外围引入部分。 中央引导部的中央引导开口朝向安装基板的安装台的安装区域的中央开口，并且将气体直接喷射到电介质窗的下方。 周边引导部的多个周缘引导槽在中央引导开口的下方沿着周向配置在载置台的上侧，并朝向安装区域的边缘喷射气体。 包括反应气体源和稀有气体的多个第一气源通过多个第一流量控制单元连接到中心入口。 包括反应气体源和稀有气体的多个第二气体源通过多个第二流量控制单元连接到外围引入部分。
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公开(公告)号：KR1020130136451A
公开(公告)日：2013-12-12
申请号：KR1020137006702
申请日：2011-08-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/66 , G01N21/892
CPC classification number: G01N21/55 , H01J37/32192 , H01J37/32972 , H01L21/31116 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L29/6659 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: [Problem] To carry out high accuracy optical monitoring of the surface of a substrate to be treated inside a treatment vessel using non-coherent monitor light having a wide wavelength range, without affecting the uniformity of the electromagnetic radiation from a planar slot antenna. [Solution] The optical monitor device 100 of the present microwave plasma etching device has: a monitor head 102 located in a position more radially inward than the edge of a semiconductor wafer W mounted on a susceptor 12, more radially outward than a coaxial pipe 66, and above a cover plate 72; an optical waveguide 104 for monitoring provided vertically below the monitor head 102, and longitudinally traversing the cooling plate 72, a dielectric plate 54, and a dielectric window 52; and a monitor main body optically connected to the monitor head 102 via an optical fiber 106.
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