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公开(公告)号：KR100843009B1
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：KR1020070028050
申请日：2007-03-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
Abstract: 플라즈마 처리 장치는 접지 전극의 표면 상에 퇴적막이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 처리 공간을 내부에 기판 처리실, 처리 공간에 무선 주파수 전력을 공급하는 RF 전극, 처리 공간에 DC 전압을 공급하는 DC 전극, 기판 처리실에 적어도 일부가 노출되는 접지 전극을 구비한다. 기판 처리실의 복수의 내면이 교차하여 형성되는 교차 부분에는 접지 전극이 배치된다.
Abstract translation: 等离子体处理装置可以防止沉积膜形成在接地电极的表面上。 具有至少其部分暴露于处理空间供给高频电力向处理空间的基板进行等离子体处理，以将衬底处理腔室在其中，RF电极的接地电极，所述直流电压提供给所述处理空间DC电极，和该基板处理室 的。 接地电极设置在基板处理室的多个内表面彼此交叉的交叉点处。
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公开(公告)号：KR100841118B1
公开(公告)日：2008-06-24
申请号：KR1020070030130
申请日：2007-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
Abstract: 용량 결합형의 고주파 방전에 의해서 생성하는 플라즈마의 밀도의 공간적인 분포를 균일화 내지 임의로 제어하여 프로세스의 면내 균일성을 향상시킨다. 하부 전극의 서셉터(16)에는 피처리 기판(W)이 탑재되어, 고주파 전원(30)으로부터 플라즈마 생성용의 고주파가 인가된다. 서셉터(16)의 상방에 이것과 평행하게 대향하여 배치되는 상부 전극(34)은, 챔버(10)에 링 형상의 절연체(35)를 거쳐서 전기적으로 플로팅된 상태로 부착되어 있다. 또한, 상부 전극(34)의 상면과 챔버(10)의 천장의 사이에는 소정 갭 사이즈의 간격이 마련되고, 그 간격의 일부 또는 전부에 진공 공간(50)이 형성되어 있다. 이 진공 공간(510)의 내벽의 전부 또는 일부는 시트 형상의 절연체(52)로 덮혀져 있다.
Abstract translation: 通过均匀化或任意控制由电容耦合高频放电产生的等离子体的密度的空间分布来改进工艺的面内均匀性。 基板W安装在下部电极的基座16上，并且从高频电源30施加用于产生等离子体的高频电力。 配置在基座16的上方且与基座16平行的上部电极34经由环状的绝缘体35以电浮动的状态安装于腔室10。 在上部电极34的上表面与腔室10的顶部之间设有规定的间隙尺寸的间隙，在该间隙的一部分或全部形成真空空间50。 真空空间510的全部或部分内壁被片状绝缘体52覆盖。
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公开(公告)号：KR1020070098587A
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020070030130
申请日：2007-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32091 , H01J37/32174 , H01J37/32532
Abstract: An apparatus for processing plasma and a method for processing the plasma are provided to improve the uniformity inside a surface of a process by voluntarily controlling the spatial distribution of plasma density. An apparatus for processing plasma includes a processing container(10), a first electrode, a second electrode, a processing gas supplying unit, and a first high frequency feeding power unit. The processing container(10) forms a vacuum by being exhausted. The first electrode is attached in a state of electrically floating through an insulator and a space inside the processing container(10). The second electrode supports a substrate to be processed by being opposite to the first electrode. The processing gas supplying unit supplies processing gas to a processing space between the first electrode and a side wall of the second electrode and the processing container(10). The first high frequency feeding power unit applies a first high frequency to the second electrode to generate the plasma of the processing gas on the processing space.
Abstract translation: 提供了一种用于处理等离子体的设备和用于处理等离子体的方法，以通过主动地控制等离子体密度的空间分布来改善工艺表面内部的均匀性。 一种用于处理等离子体的设备包括处理容器（10），第一电极，第二电极，处理气体供应单元和第一高频馈电功率单元。 处理容器（10）通过排出而形成真空。 第一电极通过绝缘体和处理容器（10）内部的空间电浮动的状态附接。 第二电极通过与第一电极相对的方式支撑要处理的衬底。 处理气体供给单元将处理气体供给到第一电极和第二电极的侧壁与处理容器（10）的处理空间。 第一高频馈电功率单元向第二电极施加第一高频以在处理空间上产生处理气体的等离子体。
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公开(公告)号：KR1020070096850A
公开(公告)日：2007-10-02
申请号：KR1020070028050
申请日：2007-03-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32082 , H01J37/32532
Abstract: A plasma processing apparatus is provided to prevent a deposit film from being formed on a surface of a ground electrode by disposing the ground electrode at a corner portion. A substrate processing chamber(11) has a space for processing with plasma at a surface of a substrate. An RF electrode(15) applies RF electrical power to the processing space, and a DC electrode applies a DC voltage to the processing space. At least portion of a ground electrode(47) is exposed in the substrate processing chamber. The ground electrode is disposed in a corner portion formed by intersecting internal surfaces in the substrate processing chamber.
Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，用于通过将接地电极设置在角部来防止在接地电极的表面上形成沉积膜。 衬底处理室（11）具有用于在衬底的表面处等离子体处理的空间。 RF电极（15）向处理空间施加RF电力，并且DC电极向处理空间施加DC电压。 接地电极（47）的至少一部分露出在基板处理室中。 接地电极设置在由基板处理室的内表面相交形成的角部。
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