公开(公告)号：KR1020100031720A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：KR1020107000195

申请日：2008-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시데츠로 ,  후지노유타카 ,  도시마히로유키 ,  구보아츠시 ,  강송윤 ,  벤트젝피터 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: A wafer is arranged in a chamber, a plasma generating space is formed in the chamber, and plasma processing is performed to the front surface of the wafer in a state where at least the front surface of the wafer is brought into contact with the plasma generating space. The plasma processing is performed by having the plasma generating space in contact with at least the outer circumference portion of the wafer rear surface.

Abstract translation: 将晶片布置在腔室中，在室中形成等离子体产生空间，并且在至少晶片的前表面与等离子体产生接触的状态下对晶片的前表面进行等离子体处理 空间。 等离子体处理通过使等离子体产生空间与晶片后表面的至少外周部分接触来进行。

公开(公告)号：KR1020150143793A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：KR1020157032752

申请日：2014-04-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  벤트젝피터

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32623 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541

Abstract: 여기에서설명하는기술은플라즈마를생성하기위해사용하는전극의전역에걸쳐서균일한전자밀도를가진플라즈마를생성하기위한장치및 공정을포함한다. 용량결합형플라즈마시스템의상부전극은균일한플라즈마의생성을조력하도록구성된구조적특징을포함할수 있다. 그러한구조적특징은상기플라즈마에면하는표면에서의표면형상을규정한다. 그러한구조적특징은대략직사각형의단면을가지며상부전극의표면으로부터돌출하는동심링의집합을포함할수 있다. 그러한구조적특징은소정의단면크기및 형상을가진네스트된긴 돌기들을또한포함할수 있고, 상기돌기들의간격은시스템이균일밀도의플라즈마를생성하도록선택된다. 플라즈마균일성을유지하면서플라즈마로부터의부식을방지또는금지하기위해유전체부재가상기구조적특징위에배치될수 있다.

Abstract translation: 这里描述的技术包括用于在用于产生等离子体的整个电极上产生具有均匀电子密度的等离子体的设备和工艺。 电容耦合等离子体系统的顶部电极可以包括被配置为帮助产生均匀等离子体的结构特征。 这种结构特征限定了面向等离子体的表面处的表面形状。 这样的结构特征可以包括具有基本矩形横截面并且从上电极的表面突出的一组同心环。 这种结构特征还可以包括具有预定横截面尺寸和形状的嵌套细长突起，并且选择突起的间隔以产生系统均匀密度的等离子体。 电介质构件可以放置在结构特征上以防止或抑制来自等离子体的腐蚀，同时保持等离子体均匀性。

公开(公告)号：KR1020150138369A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：KR1020157031579

申请日：2014-04-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 벤트젝피터 ,  네모토다케나오 ,  우에다히로카즈 ,  고바야시유우키 ,  호리고메마사히로

IPC: H01L21/223 ,  H01L29/66 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L29/66803

Abstract: 본발명은도펀트로기판의표면을도핑하기위한방법및 장치에관한것으로, 도펀트는예를들어, 포스핀또는아르신이다. 도핑은낮은농도의도펀트로주로헬륨또는아르곤과같은불활성가스로수행된다. 등각의도핑을제공하기위해, 바람직하게도펀트의모노층(monolayer)을형성하기위해, 가스흐름유입위치는도핑프로세스동안스위칭되고, 가스혼합물은주로제 1 시간주기동안프로세스챔버에서중심최상부포트를통해유입된다음에제 2 시간주기동안주로주변또는에지분사포트를통해가스혼합물이유입되고, 스위칭은플라즈마프로세스로서교번방식으로계속한다.

公开(公告)号：KR1020100054826A

公开(公告)日：2010-05-25

申请号：KR1020107005342

申请日：2008-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오타료사쿠 ,  아다치히카루 ,  나카니시도시오 ,  우에다아츠시 ,  강송윤 ,  모로즈파울 ,  벤트젝피터

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229

Abstract: A microwave plasma processing device (100) of the slot antenna type includes a planar antenna plate (31) constituting a flat waveguide and a cover (34) formed by a conductive member. The cover (34) has a stub (43) as a second waveguide for adjusting field distribution in the flat waveguide. The stub (43) is arranged at a position superposed by slots (32) constituting a slot pair arranged at the outermost circumference of the planar antenna plate (31) when viewed from above. By appropriately arranging the stubs (43), it is possible to control the field distribution in the flat waveguide and generate a uniform plasma.

Abstract translation: 缝隙天线型微波等离子体处理装置（100）包括构成平坦波导的平面天线板（31）和由导电部件形成的盖（34）。 盖（34）具有作为用于调整平面波导中的场分布的第二波导的短截线（43）。 当从上方观察时，短截线体（43）被布置在叠置有构成设置在平面天线板（31）的最外周的槽对的槽（32）的位置。 通过适当地布置短截线（43），可以控制平坦波导中的场分布并产生均匀的等离子体。

公开(公告)号：KR101815746B1

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：KR1020157031579

申请日：2014-04-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 벤트젝피터 ,  네모토다케나오 ,  우에다히로카즈 ,  고바야시유우키 ,  호리고메마사히로

IPC: H01L21/223 ,  H01L29/66 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L29/66803

Abstract: 본발명은도펀트로기판의표면을도핑하기위한방법및 장치에관한것으로, 도펀트는예를들어, 포스핀또는아르신이다. 도핑은낮은농도의도펀트로주로헬륨또는아르곤과같은불활성가스로수행된다. 등각의도핑을제공하기위해, 바람직하게도펀트의모노층(monolayer)을형성하기위해, 가스흐름유입위치는도핑프로세스동안스위칭되고, 가스혼합물은주로제 1 시간주기동안프로세스챔버에서중심최상부포트를통해유입된다음에제 2 시간주기동안주로주변또는에지분사포트를통해가스혼합물이유입되고, 스위칭은플라즈마프로세스로서교번방식으로계속한다.

Abstract translation: 本发明涉及用掺杂剂掺杂衬底表面的方法和设备，其中掺杂剂例如是膦或胂。 用低浓度的掺杂剂掺杂惰性气体，如氦气或氩气。 为了提供共形掺杂，优选形成掺杂剂的单层，在掺杂过程期间切换气流入口位置，并且气体混合物主要在第一时间段期间流过处理室中的中央顶端口 在引入之后的第二时间段内，气体混合物主要通过外围或边缘注入口引入，并且开关作为等离子体工艺以交替方式继续。

公开(公告)号：KR101257985B1

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：KR1020107000195

申请日：2008-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카하시데츠로 ,  후지노유타카 ,  도시마히로유키 ,  구보아츠시 ,  강송윤 ,  벤트젝피터 ,  세가와스미에

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3145 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01L21/318 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: 챔버 내에 웨이퍼를 배치하고, 챔버 내에 플라즈마 생성 공간을 형성하여, 그 플라즈마 생성 공간에 적어도 웨이퍼의 표면을 접촉시킨 상태로 웨이퍼의 표면에 플라즈마 처리를 실시함에 있어서, 웨이퍼의 이면측의 적어도 외주 부분에 플라즈마 생성 공간이 접촉하도록 하여 플라즈마 처리를 실시한다.

公开(公告)号：KR101196075B1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：KR1020107005342

申请日：2008-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오타료사쿠 ,  아다치히카루 ,  나카니시도시오 ,  우에다아츠시 ,  강송윤 ,  모로즈파울 ,  벤트젝피터

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229

Abstract: 슬롯 안테나 방식의 마이크로파 플라즈마 처리 장치(100)는, 편평한 도파관을 구성하는 평면 안테나판(31) 및 도전성 부재로 이루어지는 커버(34)를 구비한다. 커버(34)에, 편평한 도파관 내의 전계 분포를 조정하기 위한 제2 도파관으로서의 스터브(43)를 구비하고 있다. 스터브(43)에는, 도전성 부재로 이루어지는 커버(34)가 설치되어 있다. 스터브(43)는, 평면에서 보아, 평면 안테나판(31)의 최외주에 배열된 슬롯쌍을 구성하는 슬롯(32)과 겹쳐지는 위치에 배치되어 있다. 스터브(43)의 적정한 배치에 의해, 편평한 도파관 내의 전계 분포를 제어하여 균일한 플라즈마를 생성할 수 있다.