가스 공급 장치 및 기판 처리 장치
    2.
    发明公开
    가스 공급 장치 및 기판 처리 장치 有权
    气体供应装置和基板处理装置

    公开(公告)号:KR1020070046749A

    公开(公告)日:2007-05-03

    申请号:KR1020060105843

    申请日:2006-10-30

    Abstract: 본 발명의 과제는 CVD 장치 등에 이용되고, 니켈 부재를 조립하여 구성되는 가스 샤워헤드(가스 공급 장치)에 있어서, 고온에 의한 니켈 부재끼리의 부착을 방지하는 것이다. 다수의 가스 공급 구멍이 형성된 니켈 부재로 이루어지는 샤워 플레이트와, 이 샤워 플레이트와의 사이에 처리 가스의 통류 공간이 형성되는 동시에 처리 용기의 천정부의 개구부의 주연부에 기밀하게 장착되는 니켈 부재로 이루어지는 베이스 부재를, 서로 주연부에서 나사로 접합하는 데 있어서, 서로의 접합면 사이에 니켈 부재와는 다른 재질, 예를 들어 하스텔로이나 카본 등의 중간 부재를 개재시킨다.

    Abstract translation: 本发明的一个目的是被用于CVD装置,气体喷头(气体供给单元)通过组装镍构件和防止由于高温镍部件之间的粘合配置。 多个由镍部件的喷淋板的形成有气体供给孔,则在所形成的工艺气体的通流面积,包括镍构件被气密地安装于处理容器底部构件的所述开口的顶部的周缘部的同时喷淋板之间设置 一个,根据在彼此的周缘部的螺纹接头中,每个镍构件和中间构件的表面之间的接合被插入,例如不同的材料,如Hastelloy或碳。

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