Abstract:
A coating and developing apparatus, a coating and developing method and a storage medium with a computer-readable program are provided to restrain a protective layer from being peeled off a substrate by improving the adhesiveness of the protective layer using an adhesiveness improving unit capable of supplying an adhesiveness improving fluid. A coating and developing apparatus includes a first peripheral corner cleaning unit, a coating unit and an adhesiveness improving unit. The first peripheral corner cleaning unit is used for removing a peripheral corner portion of resist layer by using a predetermined solvent. The coating unit is used for forming a protective layer on the resist layer by using a coating solution containing a water repellent material. The adhesiveness improving unit(8) is used for supplying an adhesiveness improving fluid onto an exposed surface of a substrate in order to improve the adhesiveness of the protective layer.
Abstract:
본 발명의 과제는 노광 후의 기판에 현상 처리를 행하는 데 있어서, 기판의 면 내에 있어서의 레지스트 패턴의 선 폭의 균일성을 높게 할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 기판을 수평으로 보유 지지하는 기판 보유 지지부와, 기판에 현상액을 공급하여 액 저류부를 형성하기 위한 현상액 노즐과, 상기 액 저류부에 접촉한 상태에서 기판과 직교하는 축의 주위로 회전하는 회전 부재를 포함하고, 상기 기판에 형성된 현상액의 액 저류부에 선회류를 발생시키는 선회류 발생 기구와, 상기 선회류 발생 기구를 기판의 표면을 따라서 이동시키는 이동 기구를 구비하도록 구성한다. 이에 의해, 기판의 원하는 영역에 선회류를 형성하여, 현상액을 교반할 수 있으므로, 패턴의 선 폭의 균일성의 향상을 도모할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for processing a substrate is provided to reduce the deviation of the line width of a resist pattern by performing double patterning by LLE(Lithography Lithography Etching). CONSTITUTION: The line width of a second resist pattern, which is formed on one substrate, is measured. The first processing requirement of a first processing is corrected based on the measured value of the line width in the second resist pattern(S24). The line width of the first resist pattern, which is formed in the one substrate, is measured. The second processing requirement of a second processing is corrected based on the measured value of the line width in a first resist pattern(S28).
Abstract:
본 발명의 과제는, 현상 결함의 발생을 한층 더 억제하는 것이 가능한 기판 세정 장치를 제공하는 것이다. 현상 처리 유닛(U1)은, 웨이퍼(W)를 회전시키는 회전 보유 지지부(20)와, 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 세정액을 토출하는 액 노즐 h2∼h5를 구비한다. 액 노즐 h2∼h5로부터 토출된 세정액이 웨이퍼(W)의 표면(Wa)에 도달한 도달 지점에 있어서, 당해 세정액의 흐름 방향은, 웨이퍼(W)의 선속도 방향을 따르는 방향으로 되도록 설정되어 있다. 웨이퍼(W)의 회전 중이며, 또한 액 노즐 h2∼h5가 웨이퍼(W)의 중앙측으로부터 주연측을 향해 이동 중, 도달 지점에 있어서의 세정액의 유속과 도달 지점에 있어서의 웨이퍼(W)의 선속도의 차가 소정의 범위 내로 되도록, 액 노즐 h2∼h5로부터 토출되는 세정액의 토출 속도가 제어된다.
Abstract:
본 발명의 과제는 액층을 이용한 노광 시에 레지스트막을 보호하는 발수성 재료로 이루어지는 도포막의 기판의 주위 모서리부로의 밀착성을 향상시키는 도포, 현상 장치를 제공하는 것이다. 기판의 표면에 박막을 형성한 피처리 기판 상에 레지스트액을 도포하는 레지스트막 형성용의 도포 유닛과, 레지스트막의 표면에 광을 투과하는 액층을 형성한 상태로 노광한 후의 레지스트막을 현상하는 현상 유닛을 구비한 도포, 현상 장치에 있어서, 레지스트막의 주위 모서리부를 용제에 의해 제거하기 위한 제1 주위 모서리부 세정 수단과, 레지스트막을 보호하기 위해 발수성 재료를 포함하는 도포액을 기판의 표면 전체에 도포하는 보호막 형성용의 도포 유닛과, 레지스트막의 주위 모서리부의 제거에 의해 노출된 기판의 노출면을 포함하는 영역에, 상기 보호막의 밀착성을 향상시키기 위한 밀착성 향상용의 유체를 공급하는 밀착성 향상 처리부를 구비하도록 도포, 현상 장치를 구성한다. 반도체 웨이퍼, 반사 방지막 형성 유닛, 레지스트 도포 유닛, 현상 유닛, 보호막 형성 유닛