公开(公告)号：KR1020170137196A

公开(公告)日：2017-12-12

申请号：KR1020177033083

申请日：2016-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다니후지다모츠 ,  유아사다마키 ,  가와카미사토루

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67173 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/68707

Abstract: 처리시스템은, 하나이상의처리유닛(20)을구비한다. 각각의처리유닛(20)은, 복수의처리챔버(22)와, 유틸리티모듈(30)을갖는다. 각각의처리챔버(22)는, 공급된처리가스를이용하여피처리체를처리한다. 유틸리티모듈(30)은, 복수의처리챔버(22) 각각에공급되는처리가스의유량을제어하는유량제어부(31)를포함한다. 복수의처리챔버(22)는, 상하방향으로중복되게배치된다. 유틸리티모듈(30)은, 복수의처리챔버(22) 중, 상하방향으로인접하는 2개의처리챔버(22) 사이에배치된다.

Abstract translation: 处理系统包括至少一个处理单元（20）。 每个处理单元20具有多个处理室22和公用设施模块30。 每个处理室22使用供应的处理气体处理待处理的物体。 公用程序模块30包括流量控制部分31，流量控制部分31控制供应给多个处理室22中的每一个的处理气体的流量。 多个处理室22在上下方向上重叠配置。 公用设施模块30设置在多个处理室22中的在垂直方向上彼此相邻的两个处理室22之间。

公开(公告)号：KR100456711B1

公开(公告)日：2005-01-15

申请号：KR1019980705029

申请日：1997-10-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카타가즈나리 ,  다니후지다모츠 ,  츠카다아키히코

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L21/67757 ,  C23C16/54 ,  C30B25/08 ,  C30B31/10 ,  C30B31/12 ,  C30B35/005 ,  H01L21/67109 ,  Y10S414/138 ,  Y10S414/139 ,  Y10S414/14

Abstract: A vertical heat treatment apparatus for semiconductor wafers (W) includes a heat treating furnace (19) which is heated to 600 DEG C or higher. In the heat treating furnace (19), the wafers (W) are subjected to batch treatment while they are placed on a boat (16). To the lower side of the heat treating furnace (19), a preparatory vacuum chamber (102) is airtightly connected. Disposed in the preparatory vacuum chamber (102) are a horizontally transfer mechanism (201) and a vertical transfer mechanism (202) for transferring the boat (16). The two transfer mechanisms (201 and 202) are supported by support members (29a and 33a) mounted on a mechanical base (28). The preparatory vacuum chamber (102) and the support members (29a and 33a) are airtightly connected to each other by means of bellows.

Abstract translation: 用于半导体晶片（W）的立式热处理装置包括加热到600℃或更高温度的热处理炉（19）。 在热处理炉（19）中，晶片（W）在放置在舟皿（16）上时经受批量处理。 在热处理炉（19）的下侧将预备真空室（102）气密地连接。 在预备真空室（102）中设置有用于传送船（16）的水平传送机构（201）和垂直传送机构（202）。 两个传送机构（201和202）由安装在机械基座（28）上的支撑构件（29a和33a）支撑。 预备真空室（102）和支撑件（29a和33a）通过波纹管彼此气密连接。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1019990076901A

公开(公告)日：1999-10-25

申请号：KR1019980705029

申请日：1997-10-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카타가즈나리 ,  다니후지다모츠 ,  츠카다아키히코

IPC: H01L21/22

Abstract: 반도체 웨이퍼(W)를 위한 수직형 열처리 장치는, 내부 분위기가 600℃ 이상으로 가열되는 열처리로(19)를 갖는다. 열처리로(19)내에서 웨이퍼(W)는 보트(16)에 탑재된 상태에서 일괄식으로 처리된다. 열처리로(19)의 하측에는 진공 예비실(102)이 기밀하게 접속된다. 진공 예비실(102)내에는 보트(16)를 반송하기 위한 수평 반송 기구(201) 및 수직 반송 기구(202)가 배치된다. 양 반송 기구(201, 202)는 진공 예비실(102)의 열 변형으로부터 독립되도록, 기계적 베이스(28)에 장착된 지지 부재(29a, 33a)에 지지된다. 진공 예비실(102)과 지지 부재(29a, 33a)는 벨로우즈(31b, 40b)에 의해 기밀하게 접속된다.

公开(公告)号：KR102110021B1

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：KR1020177033083

申请日：2016-05-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다니후지다모츠 ,  유아사다마키 ,  가와카미사토루

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

公开(公告)号：KR100461292B1

公开(公告)日：2005-02-28

申请号：KR1019980705030

申请日：1997-10-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카타가즈나리 ,  다니후지다모츠 ,  츠카다아키히코

IPC: H01L21/22

Abstract: 반도체 웨이퍼(W)를 위한 수직형 열처리 장치는 열처리로(19)를 갖고, 열처리로(19)내에 있어서, 웨이퍼(W)는 보트(16)에 탑재된 상태로 일괄식으로 처리를 받는다. 열처리로(19)의 하측에는 매니홀드(33)를 거쳐 진공 예비실(102)이 기밀하게 접속된다. 매니홀드(33)는 분할 가능하게 결합된 제 1 및 제 2 부품(33a, 33b)을 갖고, 이들은 각각 열처리로(19) 및 진공 예비실(102)에 접속된다. 제 2 부품(33b)은 덮개(22)가 밀착하여 열처리로(19)와 진공 예비실(102)의 연통을 차단하기 위한 밸브 시트를 규정한다. 덮개(22)를 밸브 시트에 밀착시켜 진공 예비실(102)을 기밀하게 유지한 상태로, 열처리로(19)를 매니홀드의 제 1 부품(33a)과 동시에, 진공 예비실(102) 및 매니홀드의 제 2 부품(33b)부터 분리할 수 있다.

公开(公告)号：KR100403663B1

公开(公告)日：2003-10-30

申请号：KR1020017009956

申请日：2000-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카타가즈나리 ,  다니후지다모츠 ,  오가와마사히로

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67373 ,  H01L21/67772

Abstract: 개폐 장치(52, 54)는 피처리체(W)를 수용하는 수용 박스(2)의 개구부를 폐쇄하며 잠금 기구(12)에 의해 잠금되는 개폐 덮개(10)를 개폐한다. 키 부재(26)는 베이스 테이블(90)에 대하여 회전 및 슬라이드 가능하게 장착된다. 키 부재(26)는 키 부재 회전 기구(94)에 의해 회전되고, 키 부재 회전 기구 이동 수단(96)에 의해 베이스 테이블(90)에 대하여 수직 방향으로 이동된다. 개폐 덮개(10)의 일부를 키 부재(26)와 베이스 테이블의 전면에 설치된 탄성 부재(98)에 의해 끼워서 유지한다. 이에 따라, 비교적 간단한 구조로, 개폐 덮개(10)를 수용 박스(2)부터 제거할 때의 베이스 테이블(90)에 대한 개폐 덮개(10)의 위치가 변위되는 것을 방지할 수가 있다.

Abstract translation: 打开和关闭装置（52,54）打开和关闭用于封闭用于容纳待处理物体（W）的收纳箱（2）的开口部分（4）的开闭盖（10），并被 锁定机构（12）。 键构件（26）经由轴承机构（92）被安装到基座台（90）上，在该状态下，键构件可相对于基台（90）旋转，并且可相对于 基台（90）的前表面。 打开和关闭盖（10）的一部分通过放置在键构件（26）和设置在基座的前表面上的弹性构件（98）之间而被保持。 因此，当开闭盖（10）从收纳箱（2）移除时，防止开关盖（10）相对于基台（90）移位。

公开(公告)号：KR1020020015305A

公开(公告)日：2002-02-27

申请号：KR1020017009956

申请日：2000-07-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카타가즈나리 ,  다니후지다모츠 ,  오가와마사히로

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67373 ,  H01L21/67772

Abstract: 개폐장치(52, 54)는피처리체(W)를수용하는수용박스(2)의개구부를폐쇄하며잠금기구(12)에의해잠금되는개폐덮개(10)를개폐한다. 키부재(26)는베이스테이블(90)에대하여회전및 슬라이드가능하게장착된다. 키부재(26)는키 부재회전기구(94)에의해회전되고, 키부재회전기구이동수단(96)에의해베이스테이블(90)에대하여수직방향으로이동된다. 개폐덮개(10)의일부를키 부재(26)와베이스테이블의전면에설치된탄성부재(98)에의해끼워서유지한다. 이에따라, 비교적간단한구조로, 개폐덮개(10)를수용박스(2)부터제거할때의베이스테이블(90)에대한개폐덮개(10)의위치가변위되는것을방지할수가있다.

Abstract translation: 打开和关闭装置（52,54）打开和关闭用于封闭用于容纳待处理物体（W）的收纳箱（2）的开口部分（4）的开闭盖（10），并被 锁定机构（12）。 键构件（26）经由轴承机构（92）被安装到基座台（90）上，该状态可使键构件相对于基台（90）旋转，并且可相对于 基台（90）的前表面。 打开和关闭盖（10）的一部分通过放置在键构件（26）和设置在基座的前表面上的弹性构件（98）之间而被保持。 因此，当开闭盖（10）从收纳箱（2）移除时，防止开关盖（10）相对于基台（90）移位。

公开(公告)号：KR1019990076902A

公开(公告)日：1999-10-25

申请号：KR1019980705030

申请日：1997-10-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카타가즈나리 ,  다니후지다모츠 ,  츠카다아키히코

IPC: H01L21/22

Abstract: 반도체 웨이퍼(W)를 위한 수직형 열처리 장치는 열처리로(19)를 갖고, 열처리로(19)내에 있어서, 웨이퍼(W)는 보트(16)에 탑재된 상태로 일괄식으로 처리를 받는다. 열처리로(19)의 하측에는 다기관(33)를 거쳐 진공 예비실(102)이 기밀하게 접속된다. 다기관(33)은 분할 가능하게 결합된 제 1 및 제 2 부품(33a, 33b)을 갖고, 이들은 각각 열처리로(19) 및 진공 예비실(102)에 접속된다. 제 2 부품(33b)은 덮개(22)가 밀착하여 열처리로(19)와 진공 예비실(102)의 연통을 차단하기 위한 밸브시트를 규정한다. 덮개(22)를 밸브시트에 밀착시켜 진공 예비실(102)을 기밀하게 유지한 상태로, 열처리로(19)를 다기관의 제 1 부품(33a)과 동시에, 진공 예비실(102) 및 다기관의 제 2 부품(33b)부터 분리할 수 있다.