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公开(公告)号：KR100739890B1
公开(公告)日：2007-07-13
申请号：KR1020077001009
申请日：2004-04-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/3244 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67126
Abstract: 플라즈마 발생부와 피처리기판을 내부에 수용하는 챔버를 갖는 플라즈마처리장치의 상기 플라즈마발생부와 상기 챔버와의 사이에 마련되고, 상기 플라즈마발생부와 상기 챔버로 형성되는 처리공간에 처리가스를 도입하는 처리가스도입기구에 있어서, 상기 플라즈마발생부를 지지함과 동시에 상기 챔버에 놓이고, 처리가스를 상기 처리공간에 도입하는 가스도입로가 형성되고, 그 중앙에 상기 처리공간의 일부를 이루는 구멍부를 갖는 가스도입베이스와, 상기 가스도입베이스의 상기 구멍부에 분리하여 가능하게 장착되고, 상기 가스도입로로부터 상기 처리공간에 연통하여 상기 처리가스를 상기 처리공간에 토출하는 복수의 가스토출구멍을 갖는 대략 링형상을 이루는 가스도입플레이트를 갖는 처리가스도입기구가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020070012573A
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：KR1020077001009
申请日：2004-04-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/3244 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67126
Abstract: A plasma processing device having a plasma generation unit and a chamber housing a substrate to be processed thereinside, wherein a process gas introducing mechanism, which is provided between the plasma generation unit and the chamber to introduce a process gas into a process space defined by the plasma generation unit and the chamber, is formed with a gas introducing path that supports a plasma generation unit, is mounted on the chamber and introduces a process gas into a process space, and which has a gas introducing base having at the center thereof a hole forming part of the process space and an almost annular gas introducing plate removably attached to the hole of the gas introducing base and having a plurality of gas emitting holes communicating with the process space from the gas introducing path to emit a process gas into the process space. ® KIPO & WIPO 2007
Abstract translation: 1。一种等离子体处理装置，具有等离子体生成部和容纳被处理基板的腔室，其特征在于，具备：处理气体导入机构，其设置在所述等离子体生成部与所述腔室之间，将处理气体导入由所述处理腔室 等离子体产生单元和腔室形成有支撑等离子体产生单元的气体引入通路，安装在腔室上并将处理气体引入处理空间，并且具有在其中心具有孔的气体引入基底 形成处理空间的一部分和几乎环形的气体引入板，所述环形气体引入板可移除地附接到气体引入基底的孔，并且具有多个气体排放孔，从气体引入路径与处理空间连通以将处理气体排放到处理空间 。 ®KIPO和WIPO 2007
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公开(公告)号：KR1020170131219A
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：KR1020170056296
申请日：2017-05-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L29/66 , H01L21/56 , H01L21/67 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/3081 , H01L21/28512 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67207
Abstract: 패턴바닥부의실리콘부분에형성된실리콘함유산화막을제거할때에 CD 로스를억제한다. 소정패턴이형성된절연막을가지며, 패턴의바닥부의실리콘부분에형성된실리콘함유산화막을갖는피처리기판에있어서, 실리콘함유산화막을제거하는산화막제거방법은, 절연막의패턴을포함하는전면에, 카본원료가스를이용한 ALD에의해카본계보호막을성막하는공정과, 절연막의상면과패턴의바닥부의상기카본계보호막을이방성플라즈마처리에의해선택적으로제거하는공정과, 패턴의바닥부에형성된상기실리콘함유산화막을에칭에의해제거하는공정과, 카본계보호막의잔존부분을제거하는공정을갖는다.
Abstract translation: 当形成在图案底部的硅部分上的含硅氧化物膜被去除时，CD损失被抑制。 前具有形成有规定图案的绝缘层，在具有形成在图案底部的硅部分的含硅氧化物膜的基材，用于去除含氧化硅膜，包括绝缘膜的图案的氧化物膜去除方法中，所述碳源气体 到形成在步骤含硅的氧化膜，除去上表面上的底部，并通过各向异性等离子处理的上述绝缘膜的图案选择性的基于碳的保护膜的步骤，以及用于使用通过ALD形成的基于碳的保护膜的图案底部 并去除剩余部分的碳基保护膜。
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公开(公告)号：KR101186391B1
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：KR1020097012127
申请日：2007-11-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01F15/005 , G01F1/68 , G05D7/0635 , Y10T137/0396 , Y10T137/8593
Abstract: 본 발명은 온도에 의존하여 중합가능한 처리 가스를 생성하는 단계와, 감압 분위기에서 소정 방식으로 피처리체(W)를 생성된 처리 가스로 처리하는 처리 장치(4)에 생성된 처리 가스를 공급하는 단계를 포함하는 처리 가스 공급 방법을 제공한다. 처리 가스를 처리 장치(4)에 공급할 때에, 처리 가스의 유량이, 다이어프램(80)을 포함하고 공급 압력의 적정 작동 범위가 대기압보다 낮은 저차압형의 질량 유량 제어 유닛(34)으로 조절된다. 상기의 구성은 예를 들어 HF 가스와 같은 온도에 의존하여 중합가능한 처리 가스의 공급량(실제 유량)을 정밀하고 안정된 방식으로 조절할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100783829B1
公开(公告)日：2007-12-10
申请号：KR1020077001004
申请日：2004-04-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32449 , H01J37/3244 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67126
Abstract: 플라즈마발생부와 피처리기판을 내부에 수용하는 챔버를 갖는 플라즈마처리장치의 상기 플라즈마발생부와 상기 챔버와의 사이에 마련되고, 상기 플라즈마발생부와 상기 챔버로 형성되는 처리공간에 처리가스를 도입하는 처리가스도입기구에 있어서, 상기 플라즈마발생부를 지지함과 동시에 상기 챔버에 놓이고, 처리가스를 상기 처리공간에 도입하는 가스도입로가 형성되고, 그 중앙에 상기 처리공간의 일부를 이루는 구멍부를 갖는 가스도입베이스와, 상기 가스도입베이스의 상기 구멍부에 분리하여 가능하게 장착되고, 상기 가스도입로로부터 상기 처리공간에 연통하여 상기 처리가스를 상기 처리공간에 토출하는 복수의 가스토출구멍을 갖는 대략 링형상을 이루는 가스도입플레이트를 갖는 처리가스도입기구가 제공된다.
Abstract translation: 它在等离子体生成单元和等离子体处理所述等离子体产生部和具有腔室用于在其中容纳所述衬底和将处理气体通过等离子体产生单元和腔室形成的处理空间中的装置的腔室之间设有 其中形成用于支撑等离子体产生部分并放置在腔室中并将处理气体引入处理空间的气体引入通路，并且形成处理空间的一部分的孔部分形成在其中心处 以及多个气体排出孔，该多个气体排出孔安装成与气体引入基座的孔部分分离并且从气体引入路径与处理空间连通以将处理气体排出到处理空间中 提供了一种具有基本上环形的气体引入板的工艺气体引入机构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100697402B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020067002759
申请日：2004-08-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/45521 , C23C16/4584 , H01L21/67115
Abstract: 본 발명은, 탑재대의 하측의 공간에 처리 가스가 침입하는 것을 방지하는 것을 목적으로 하고 있다. 지주(56)의 상단부의 내주 부분에 탑재대(58)의 하면을 지지하는 지지면(62)을 마련한다. 지지면(62)의 외측의 지주(56)의 상단부의 중간주 부분에, 둘레 방향으로 연장하는 퍼지 가스 홈(64)을 형성한다. 퍼지 가스홈(64)의 외측의 지주(56)의 상단부의 외주 부분에 대응하는 위치에 협애유로(68)를 마련한다. 퍼지 가스 공급 수단(66)으로부터 퍼지 가스 홈(64)내에 공급된 퍼지 가스는, 퍼지 가스 홈(64)내를 둘레 방향으로 확산하여, 협애유로(68)로부터 외측으로 유출한다. 이러한 퍼지 가스의 흐름에 의하여, 처리 가스가, 퍼지 가스 홈(64) 및 탑재대의 하측의 공간(S1)에 침입하는 것이 방지된다.
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公开(公告)号：KR1020070031232A
公开(公告)日：2007-03-19
申请号：KR1020060088380
申请日：2006-09-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4585 , H01L21/68742
Abstract: 본 발명은 성막 불량의 발생을 방지하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공하는데 그 목적이 있다. CVD 처리 장치(10)의 PM(11)은 챔버(23)를 구비하고, 상기 챔버(23)는 용기(32), 상기 용기(32)내에 배치된 ESC(33), 및 용기(32)내에 배치된 웨이퍼 리프트 장치(80)를 구비하고, 웨이퍼 리프트 장치(80)는 용기(32)내에 있어서 ESC(33)을 둘러싸도록 배치되어 있는 원환상의 핀 홀더(81)와, 핀 홀더(81)에 접속되는 3개의 리프트 아암(83)과, 각 리프트 아암(83)에 헐거운 끼워맞춤(遊嵌) 결합되어서 지지되는 3개의 리프트 핀(42)을 구비하고, 각 리프트 핀(42)은 핀 홀더(81)의 승강에 연동해서 승강한다.
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公开(公告)号：KR101974715B1
公开(公告)日：2019-05-02
申请号：KR1020170056296
申请日：2017-05-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02 , H01L29/66 , H01L21/56 , H01L21/67 , H01L21/205
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公开(公告)号：KR1020120054636A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：KR1020127006745
申请日：2010-08-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/26
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/68792
Abstract: 열처리 장치(100)는 웨이퍼 W를 수용하는 처리 용기(1)와, 처리 용기(1)내에서 웨이퍼 W를 수평으로 지지하는 기판 지지부(4)와, 처리 용기(1)의 위쪽에 설치된 램프 유닛(3)을 구비하고, 램프 유닛(3)은 베이스 부재(40)와, 베이스 부재(40)의 하면에, 선단을 하부를 향해 마련된 복수의 램프(45)와, 베이스 부재(40)의 하면에, 동심상이고 또한 아래쪽으로 돌출하도록 마련된 링형상의 복수의 리플렉터(41, 42, 43)와, 리플렉터(41, 42, 43)의 내부에 냉각 매체를 공급하는 냉각 헤드(47)를 갖고, 복수의 램프(45)의 적어도 일부는 리플렉터(41, 42, 43)를 따라 마련되어 있고, 리플렉터(41, 42, 43)의 내부에는 그 배치방향을 따라 링형상의 공간으로 이루어지는 냉각 매체 유로(68)가 형성되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020090091751A
公开(公告)日：2009-08-28
申请号：KR1020097012127
申请日：2007-11-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: G01F15/005 , G01F1/68 , G05D7/0635 , Y10T137/0396 , Y10T137/8593
Abstract: This invention provides a method for supplying a treatment gas, comprising the step of producing a treatment gas polymerizable depending upon the temperature and the step of supplying the produced treatment gas to a treating apparatus (4) for treating an object (W) with the produced treatment gas in a predetermined manner in a reduced pressure atmosphere. In supplying the treatment gas to the treating apparatus (4), the flow rate of the treatment gas is regulated with a mass flow rate control unit (34) of a low differential pressure type which comprises a diaphragm (80) and has a proper operation range of a supply pressure below the atmospheric pressure. The above constitution can regulate the supply amount (actual flow rate) of the treatment gas polymerizable depending upon the temperature, for example, HF gas in an accurate and stable manner. ® KIPO & WIPO 2009
Abstract translation: 本发明提供了一种提供处理气体的方法，其特征在于，包括以下步骤：根据温度和可生产的处理气体产生可聚合的处理气体，以及将生产的处理气体供给到用于处理物体（W）的处理设备（4） 处理气体以预定的方式在减压气氛中。 在将处理气体供给到处理装置（4）中，处理气体的流量由包括膜片（80）的低压差型的质量流量控制单元（34）调节并具有适当的操作 供气压力范围低于大气压力。 上述结构可以以准确且稳定的方式调节根据温度可聚合的处理气体的供给量（实际流量），例如HF气体。 ®KIPO＆WIPO 2009
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