公开(公告)号：KR100701578B1

公开(公告)日：2007-04-02

申请号：KR1020010004660

申请日：2001-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노준이치 ,  마츠야마유지 ,  키타노타카히로 ,  카타노타카유키 ,  마츠이히데후미 ,  스즈키요 ,  야마시타마사미 ,  아오야마토루 ,  이와키히로유키 ,  시무라사토루 ,  데구치마사토시 ,  요시하라코우스케 ,  이이다나루아키

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67778 ,  Y10T29/41

Abstract: 도포현상 처리시스템에 있어서 경계판에 의해 나누어진 각 영역, 즉 카세트 스테이션, 처리 스테이션 및 인터페이스부의 상부에 각 영역 내로 불활성 기체를 공급하는 기체 공급부를 각각 설치한다. 상기 각 영역의 하부에는 각 영역 내의 분위기를 배기하기 위한 배기관을 설치한다. 각 기체 공급장치로 산소 등의 불순물이나 미립자를 포함하지 않는 불활성 기체를 각 영역 내로 공급하고 각 영역 내의 분위기를 배기관으로 배기함으로써 각 영역 내의 분위기를 청정한 상태로 유지한다.

公开(公告)号：KR1020130007480A

公开(公告)日：2013-01-18

申请号：KR1020120070940

申请日：2012-06-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 소마야스타카 ,  요시타카나오토 ,  고메다히로시 ,  마나베에이지 ,  히라카와오사무 ,  데구치마사토시 ,  다무라다케시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B32B43/006 ,  B32B38/10 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/673 ,  H01L21/67346 ,  H01L2221/683 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68318 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1978 ,  Y10T156/1994

Abstract: PURPOSE: A cleaning method, a computer storage medium, a cleaning device, and a detaching system are provided to properly clean a contact surface of a target substrate by arranging the target substrate detached from laminated substrates in an annular frame. CONSTITUTION: A cleaning device comprises a wafer maintaining part(130) and a cleaning jig(140). The cleaning jig comprises a supply surface(141) covering a contact surface(WJ) of a target wafer. The cleaning jig comprises a solvent supply part(150), rinse supply part, and an inner gas supply part(152). The solvent supply part supplies the solvent of adhesives in a gap between the supply surface and the contact surface.

Abstract translation: 目的：提供一种清洁方法，计算机存储介质，清洁装置和分离系统，以通过将目标基板从叠层基板分离成环形框架来适当地清洁目标基板的接触表面。 构成：清洁装置包括晶片保持部分（130）和清洁夹具（140）。 清洁夹具包括覆盖目标晶片的接触表面（WJ）的供给表面（141）。 清洁夹具包括溶剂供应部分（150），冲洗供应部分和内部气体供应部分（152）。 溶剂供应部分在供给表面和接触表面之间的间隙中提供粘合剂的溶剂。

公开(公告)号：KR100731847B1

公开(公告)日：2007-06-25

申请号：KR1020000022424

申请日：2000-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데구치마사토시

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67745 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67225

Abstract: 기판처리장치는, 제 1의 반송경로를 따라 배치된 막(膜) 형성유니트군(群)과, 제 2의 반송경로를 따라 배치된 현상처리유니트군을 갖춘다. 기판은 제 1의 반송경로를 따라 반송되어 막 형성유니트군에서 성막처리(成膜處理)를 행한 후, 노광처리(露光處理)가 행하여진다. 노광처리 후의 기판은, 제 2의 반송경로를 따라 반송되어, 현상처리유니트군에서 현상처리된다. 이와 같이 서로 다른 처리가 행하여지는 유니트군이, 서로 다른 경로를 따라서 배치되기 때문에, 기판을 효율적으로 반송할 수 있다.

Abstract translation: 基板处理装置具有沿第一传送路径布置的成膜单元组（group）和沿着第二传送路径布置的显影处理单元组。 沿着第一传送路径传送基板，并在成膜单元组中进行成膜处理（成膜处理），然后执行曝光处理（曝光处理）。 曝光处理后的基板沿着第二传送路径传送，并且在显影处理单元组中经受显影处理。 由于执行不同处理的单元组沿着不同的路径布置，因此可以高效地传输衬底。

公开(公告)号：KR1020000076896A

公开(公告)日：2000-12-26

申请号：KR1020000013631

申请日：2000-03-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데구치마사토시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67161 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67742

Abstract: 기판에대하여복수의공정으로구성되는처리, 예를들어레지스트도포·현상처리를행하는기판처리장치에있어서, 복수의공정에대응하여각각기판에대하여소정의처리를행하는복수의처리기구와, 기판의반송을행하는반송부를구비한다. 반송부는, 복수의처리기구에대하여기판을반입또는반출하는복수의반송기구와, 복수의반송기구의어느쪽으로부터도진입이가능한위치에설치되어, 기판을일시적으로대기시키는대기부를갖추는버퍼(buffer)기구를구비하고있고, 복수의처리기구는반송부의주위에설치되어있다.

公开(公告)号：KR1020130133129A

公开(公告)日：2013-12-06

申请号：KR1020130055785

申请日：2013-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데구치마사토시

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67121 ,  H01L21/185 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: The present invention improves the amount of bonding work processing by efficiently bonding a processed substrate and a support substrate. A bonding system (1) comprises an import and export station (2) and a processing station (3). The processing device (3) comprises a spreading device which spreads an adhesive to a processed wafer (W); a spreading device which spreads a protective material to the processed wafer (W); a release agent spreading device (42) which spreads a release agent to a support wafer; a thermal processing device (43) which heats the processed wafer (W) or the support wafer (S); bonding devices (30-33) which bond the processed wafer (W) and the support wafer (S); and a wafer returning area (60) which returns the processed wafer (W), the support wafer (S), or a polymerization wafer.

Abstract translation: 本发明通过有效地接合经处理的基板和支撑基板来改善粘结加工的量。 粘合系统（1）包括进出口站（2）和处理站（3）。 处理装置（3）包括将粘合剂铺展到经处理的晶片（W）的铺展装置; 扩展装置，其将保护材料铺展到处理的晶片（W）上; 释放剂扩散装置（42），其将脱模剂铺展到支撑晶片; 加热处理后的晶片（W）或支撑晶片（S）的热处理装置（43）。 接合处理的晶片（W）和支撑晶片（S）的接合装置（30-33）; 以及回收处理后的晶片（W），支撑晶片（S）或聚合晶片的晶片返回区域（60）。

公开(公告)号：KR100848772B1

公开(公告)日：2008-07-28

申请号：KR1020020009199

申请日：2002-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데구치마사토시 ,  세키모토에이이치

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 본 발명은 기판의 처리를 행하는 기판처리장치로서, 기판처리장치의 케이싱내에 설치되어, 기판의 가열처리가 행하여지는 가열부를 가진 가열처리부와, 케이싱의 가열부측의 측부에 설치된 덕트와, 이 덕트에 설치되어, 냉각유체가 흐르는 냉각유로를 가진다. 가열부에서 발생한 열은 덕트내를 흐르는 기류에 의해서 전도가 억제되며, 더욱이 냉각유체에 의해서 열이 흡수된다. 따라서, 케이싱 외부로 열이 전해지는 것을 억제할 수 있다.

Abstract translation: 在加热部分中的本发明和如安装在壳体侧管的加热侧，其具有一个加热该管道用于衬底的执行处理进行的基板处理装置，它安装在一基板处理装置，基板的热处理的壳体 并具有冷却流体流过的冷却流路。 在加热单元中产生的热量通过在管道中流动的气流被抑制，并且热量被冷却流体吸收。 因此，可以防止热量传递到壳体的外部。

公开(公告)号：KR100284556B1

公开(公告)日：2001-04-02

申请号：KR1019940006105

申请日：1994-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 후지모토아키히로 ,  이나다히로이치 ,  하세베게이죠 ,  이이노히로유키 ,  기타무라신지 ,  데구치마사토시 ,  남부미쓰히로

IPC: H01L21/31

Abstract: 본 발명은 레지스트막과 같은 용제에 의한 액상 도포액을 반도체 웨이퍼와 같은 도포제위나 그 위에 형성된 층의 위에 형성하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로, 회전 또는 정지되어있는 기판의 한면 위에 도포액의 용제를 공급하는 공정과, 용제가 도포된 기판을 제 1 회전수로 회전시키고, 용제를 기판의 한면 전체에 걸쳐 확산시키는 공정과, 기판의 거의 중심부위에 소정량의 도포액을, 기판을 제 2 회전수로 회전시키면서 도포하고, 기판의 한면 전체에 걸쳐 확산시켜 도포막을 형성하는 공정 및 상기공정을 실시하기 위한 장치로 이루어진다.

公开(公告)号：KR1020140083961A

公开(公告)日：2014-07-04

申请号：KR1020140072780

申请日：2014-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 소마야스타카 ,  요시타카나오토 ,  고메다히로시 ,  마나베에이지 ,  히라카와오사무 ,  데구치마사토시 ,  다무라다케시

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/78 ,  H01L21/677

CPC classification number: B32B43/006 ,  B32B38/10 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/673 ,  H01L21/67346 ,  H01L2221/683 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68318 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1978 ,  Y10T156/1994

Abstract: The present invention properly cleans a joining surface of a processed substrate disposed at the inner side of an annular frame and held by the frame and a tape. A cleaning device comprises a wafer holding part (130) holding a processed wafer (W); and a cleaning jig (140) including a supply surface (141) covering a joining surface (Wj) of the processed wafer (W). The cleaning jig (140) is provided with a solvent supply part (150) supplying a solvent to a clearance (142); a rinse liquid supply part (151) supplying a rinse liquid to the clearance (142); and an inactive gas supply part (152) supplying the inactive gas to the clearance (142). The solvent from the solvent supply part (150) is diffused on the joining surface (Wj) due to surface tension and centrifugal force. The rinse liquid from the rinse liquid supply part (151) is diffused on the joining surface (Wj) due to surface tension and centrifugal force while being mixed with the solvent. The joining surface (Wj) is dried by an inactive gas from the inactive gas supply part (152) and the joining surface (Wj) is cleaned.

Abstract translation: 本发明适当地清洁设置在环形框架的内侧并被框架和带子保持的处理基板的接合表面。 清洁装置包括保持处理过的晶片（W）的晶片保持部（130）。 以及包括覆盖处理过的晶片（W）的接合面（Wj）的供给面（141）的清洁夹具（140）。 清洁夹具（140）设有向间隙（142）供应溶剂的溶剂供应部件（150）。 向所述间隙（142）提供冲洗液体的冲洗液供给部（151）; 以及将惰性气体供给到间隙（142）的惰性气体供给部（152）。 来自溶剂供给部（150）的溶剂由于表面张力和离心力而扩散在接合面（Wj）上。 在与溶剂混合的同时，由于表面张力和离心力，来自冲洗液供给部（151）的冲洗液在接合面（Wj）上扩散。 接合面（Wj）由来自惰性气体供给部（152）的惰性气体干燥，并且清洁接合面（Wj）。

公开(公告)号：KR100698352B1

公开(公告)日：2007-03-23

申请号：KR1020060068647

申请日：2006-07-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타노준이치 ,  마츠야마유지 ,  키타노타카히로 ,  카타노타카유키 ,  마츠이히데후미 ,  스즈키요 ,  야마시타마사미 ,  아오야마토루 ,  이와키히로유키 ,  시무라사토루 ,  데구치마사토시 ,  요시하라코우스케 ,  이이다나루아키

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67778 ,  Y10T29/41

Abstract: 도포현상 처리시스템에 있어서 경계판에 의해 나누어진 각 영역, 즉 카세트 스테이션, 처리 스테이션 및 인터페이스부의 상부에 각 영역 내로 불활성 기체를 공급하는 기체 공급부를 각각 설치한다. 상기 각 영역의 하부에는 각 영역 내의 분위기를 배기하기 위한 배기관을 설치한다. 각 기체 공급장치로 산소 등의 불순물이나 미립자를 포함하지 않는 불활성 기체를 각 영역 내로 공급하고 각 영역 내의 분위기를 배기관으로 배기함으로써 각 영역 내의 분위기를 청정한 상태로 유지한다.

Abstract translation: 提供一种气体供应单元，用于将惰性气体供应到由涂布和显影系统中的边界板划分的每个区域中，即在盒台，处理台和接口单元的上方。 在每个区域下方设置用于排出每个区域中的气氛的排气管。 将不含氧等杂质的惰性气体和不含颗粒的惰性气体供应到每个气体供应单元中，并且将每个区域中的气氛排出到排气管以保持每个区域中的气氛清洁。

公开(公告)号：KR1020010014835A

公开(公告)日：2001-02-26

申请号：KR1020000022424

申请日：2000-04-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 데구치마사토시

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67745 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67225

Abstract: PURPOSE: Provided is a substrate processing apparatus capable of transferring substrates efficiently. CONSTITUTION: The substrate transfer apparatus is provided with a film-forming unit group(10) and a development processing unit group(16) which are opposed to each other while interposing a space(20) therebetween, a first transfer means(30) interposed between the space(20). A first heat-treatment unit group(50) and a second heat-treatment unit group(60) interpose the means(30) therebetween, and a third heat-treatment unit group(70) and a fourth heat-treatment unit group(80) interpose the means(40) therebetween. The means(30) transfers wafers W via a first transfer path 30A, and the means(40) transfers wafers W via a second transfer path(40A).

Abstract translation: 目的：提供能够有效地转印基板的基板处理装置。 构成：衬底传送装置设置有成膜单元组（10）和显影处理单元组（16），它们彼此相对，同时在其间插入空间（20），第一传送装置（30）插入 在空间（20）之间。 第一热处理单元组（50）和第二热处理单元组（60）将构件（30）夹在其间，第三热处理单元组（70）和第四热处理单元组（80 ）在其间插入装置（40）。 装置（30）通过第一传送路径30A传送晶片W，并且装置（40）经由第二传送路径（40A）传送晶片W。