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公开(公告)号：KR20180037621A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：KR20187008876
申请日：2013-04-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L43/12 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: C23C14/568 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67745 , H01L43/12
Abstract: 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다
Abstract translation: 一种设备包括：一排衬底传送装置3，其可以在传送室内传送晶片W; 以及沿着该行布置在该行基板传送装置的左右侧的处理模块PM，该处理模块PM被配置为对晶片W执行处理。处理模块PM的行被布置为使得每个处理可以 由至少两个处理模块PM执行。 因此，当不能使用单个处理模块PM时，可以将晶片W快速地转移到另一处理模块PM，该另一个处理模块PM可以执行与在相应处理模块中执行的处理相同的处理。 因此，即使在不能使用一个处理模块PM的情况下，也能够在不停止装置的动作的情况下继续对晶圆W进行处理，能够减少浪费的晶圆W的数量。
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公开(公告)号：KR102236048B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020190074847
申请日：2019-06-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 개구부의형상을용이하게변경할수 있는기술을제공한다. 본개시의일 태양에의한스퍼터링장치는, 기판을수용하는처리용기와, 상기처리용기내를타겟재가설치되는제 1 공간과상기기판이설치되는제 2 공간으로구획하는슬릿판을포함하며, 상기슬릿판은, 판두께방향으로관통하는개구부를갖는내측부재와, 상기내측부재의주위에설치되는외측부재를구비하며, 상기내측부재는상기외측부재에대해서착탈가능하다.
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公开(公告)号：KR101888000B1
公开(公告)日：2018-08-13
申请号：KR1020187008876
申请日：2013-04-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L43/12 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: H01J37/32733 , C23C14/568 , H01L21/67161 , H01L21/67173 , H01L21/67184 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67745 , H01L43/12
Abstract: 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150034143A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：KR1020147037041
申请日：2013-04-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L43/12 , H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: C23C14/568 , H01L21/67173 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67745 , H01L43/12
Abstract: 처리모듈이사용할수 없게되었을때, 장치의가동을정지하지않고기판의처리를속행함으로써, 웨이퍼(W)의폐기수를저감한다. 반송실내에서웨이퍼(W)의전달이가능한웨이퍼반송기구(3)의열과, 이열의좌우양측에서당해열을따라배치되고, 웨이퍼(W)에대하여처리를행하는처리모듈(PM)의열을구비하고, 상기처리모듈(PM)의열은, 상기일련의처리의각 처리가적어도 2 개의처리모듈(PM) 모두에서행할수 있도록구성되어있다. 이때문에, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때는, 당해처리와동일한처리를행할수 있는다른처리모듈(PM)로웨이퍼(W)를신속하게반송할수 있다. 따라서, 상기하나의처리모듈(PM)이사용할수 없게되었을때에도, 장치의가동을정지하지않고웨이퍼(W)의처리를속행할수 있어, 웨이퍼(W)의폐기수가저감된다.
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公开(公告)号：KR101791302B1
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：KR1020150068979
申请日：2015-05-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H02N13/00 , H01L21/6833 , H01L21/68742 , H01L21/6875
Abstract: [과제] 극저온에서사용할수 있는정전흡착장치를제공한다. [해결수단] 이정전흡착장치의정전척에서는, 베이스상에제1 절연층이형성된다. 제1 절연층의제1 부분은베이스의제1 면상에서뻗어있고, 제1 절연층의제2 부분은베이스의제2 면의적어도일부위에서뻗어있다. 제1 절연층의제1 부분상에는흡착전극이형성된다. 제1 절연층의제1 부분및 흡착전극상에는제2 절연층이형성되어있다. 흡착전극으로부터는도체패턴이뻗어있고, 이도체패턴은제1 절연층의제2 부분상에급전단자를제공한다. 이급전단자에는압박부재에의해서압박된단자부재의접촉부가접촉한다. 이단자부재에는전원에접속된배선이접속된다.
Abstract translation: 发明内容本发明提供一种可在低温下使用的静电吸附装置。 解决问题的手段在瞬态吸附装置的静电吸盘中，第一绝缘层形成在基座上。 第一绝缘层的第一部分在基底的第一侧上延伸，并且第一绝缘层的第二部分在基底的第二侧的至少一部分上延伸。 吸附电极形成在第一绝缘层的第一部分上。 第二绝缘层形成在第一绝缘层的第一部分和吸附电极上。 导体图案从吸附电极延伸并且导体图案在第一绝缘层的第二部分上提供馈电端子。 被按压部件施力的端子部件的接触部分与供电端子接触。 连接到电源的配线连接到端子构件。
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公开(公告)号：KR1020150138015A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：KR1020150068979
申请日：2015-05-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H02N13/00 , H01L21/6833 , H01L21/68742 , H01L21/6875
Abstract: [과제] 극저온에서사용할수 있는정전흡착장치를제공한다. [해결수단] 이정전흡착장치의정전척에서는, 베이스상에제1 절연층이형성된다. 제1 절연층의제1 부분은베이스의제1 면상에서뻗어있고, 제1 절연층의제2 부분은베이스의제2 면의적어도일부위에서뻗어있다. 제1 절연층의제1 부분상에는흡착전극이형성된다. 제1 절연층의제1 부분및 흡착전극상에는제2 절연층이형성되어있다. 흡착전극으로부터는도체패턴이뻗어있고, 이도체패턴은제1 절연층의제2 부분상에급전단자를제공한다. 이급전단자에는압박부재에의해서압박된단자부재의접촉부가접촉한다. 이단자부재에는전원에접속된배선이접속된다.
Abstract translation: 提供一种能够在极低温度下使用的静电吸附装置。 在静电吸附装置的静电卡盘中，在基底上形成第一绝缘层。 第一绝缘层的第一部分在基底的第一表面上延伸，第一绝缘层的第二部分在基底的第二表面的至少一部分上延伸。 吸附电极形成在第一绝缘层的第一部分上。 在第一绝缘层的第一部分和吸附电极上形成第二绝缘层。 导电图案从吸附电极延伸，并且在第一绝缘层的第二部分上提供馈电端子。 馈电端子接触由按压构件按压的端子构件的接触单元。 端子构件连接到连接到电源的布线。
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