公开(公告)号：KR101668212B1

公开(公告)日：2016-10-20

申请号：KR1020160021175

申请日：2016-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈타니노부타카 ,  오모리츠타에 ,  오리이다케히코 ,  후지타아키라

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051

Abstract: 본발명은린스액을건조할때, 피처리기판의볼록형부가도괴되는것을방지하는것이가능한액처리방법, 액처리장치및 기억매체를제공하는것을목적으로한다. 기판본체부(W)와, 기판본체부(W)에돌출된복수의볼록형부(W)를가지며, 기판본체부(W) 위에있어서볼록형부(W)의사이에하지면(W)이형성된피처리기판(W)에대하여표면처리를행함으로써, 피처리기판(W)의하지면(W)이친수화되고, 볼록형부(W)의표면이발수화된상태가되도록한다. 다음에, 표면처리된피처리기판(W)에대하여린스액을공급한다. 그후, 피처리기판(W)으로부터린스액을제거한다.

公开(公告)号：KR1019960009054A

公开(公告)日：1996-03-22

申请号：KR1019950024425

申请日：1995-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 다테야마기요히사 ,  모토다기미오 ,  세키구치겐지 ,  오모리츠타에

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/027 ,  G03F7/06

Abstract: 처리용기 내에 수용된 기판을, 처리용기와 함께 회전시키면서, 상기 기판의 면위에 도포액을 공급하여 도포막을 형성하는 도포막 형성방법은, 기판의 면위에 용제를 도포하는 공정과, 기판에 도포액을 공급하는 공정과, 기판 및 처리용기를 제1의 회전수로 회전시켜서, 도포액을 기판의 면위에서 확산시키는 공정과, 처리용기를 뚜껑체로 폐쇄하고, 기판을 처리용기내에 봉입하는 공정과, 뚜껑체가 구비된 처리용기 및 기판을 제2의 회전수로 회전시켜서, 도포막의 막두께를 조정하는 공정을 가진다.

公开(公告)号：KR1020160025550A

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：KR1020160021175

申请日：2016-02-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈타니노부타카 ,  오모리츠타에 ,  오리이다케히코 ,  후지타아키라

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051

Abstract: 본발명은린스액을건조할때, 피처리기판의볼록형부가도괴되는것을방지하는것이가능한액처리방법, 액처리장치및 기억매체를제공하는것을목적으로한다. 기판본체부(W)와, 기판본체부(W)에돌출된복수의볼록형부(W)를가지며, 기판본체부(W) 위에있어서볼록형부(W)의사이에하지면(W)이형성된피처리기판(W)에대하여표면처리를행함으로써, 피처리기판(W)의하지면(W)이친수화되고, 볼록형부(W)의표면이발수화된상태가되도록한다. 다음에, 표면처리된피처리기판(W)에대하여린스액을공급한다. 그후, 피처리기판(W)으로부터린스액을제거한다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种液体处理方法，液体处理装置和记录介质，其可以防止冲洗液体干燥时处理过的基材的块状部分被折叠。 液体处理装置具有从基板主体部（W_i）突出的基板主体部（W_i）和多个块状部（W_m），并且使处理基板（W_f）的下平面（W_f）亲水化 ）和通过对块型部分（W_m）之间形成下平面（W_f）的处理基板进行表面处理，来获得块型部分（W_m）的表面的防水状态。 接下来，将冲洗液供给到表面被处理的处理基板（W）。 然后，从经处理的基材（W）中除去漂洗液。

公开(公告)号：KR100274756B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019950024425

申请日：1995-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 다테야마기요히사 ,  모토다기미오 ,  세키구치겐지 ,  오모리츠타에

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/027 ,  G03F7/06

CPC classification number: B05D1/005 ,  G03F7/162

Abstract: 처리용기 내에 수용된 기판을, 처리용기와 함께 회전 시키면서, 상기 기판의 면위에 도포액을 공급하여 도포막을 형성하는 도포막 형성 방법은, 기판의 면위에 용제를 도포하는 공정과, 기판에 도포액을 공급하는 공정과, 기판 및 처리용기를 제 1의 회전수로 회전시켜서, 도포액을 기판의 면위에서 확산시키는 공정과, 처리용기를 뚜껑체로 폐쇄하고, 기판을 처리용기내에 봉입하는 공정과, 뚜껑체가 구비된 처리용기 및 기판을 제 2의 회전수로 회전시켜서, 도포막의 막두께를 조정하는 공정을 가진다.

公开(公告)号：KR1020120071310A

公开(公告)日：2012-07-02

申请号：KR1020110104043

申请日：2011-10-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈타니노부타카 ,  오모리츠타에 ,  오리이다케히코 ,  후지타아키라

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02046

Abstract: PURPOSE: A liquid processing method, a liquid processing apparatus, and a recording medium are provided to prevent a convex part from being collapsed by preventing a part on which a rinse liquid is dried and a part on which rinse liquid is wet from being mixed on a surface of a processed substrate. CONSTITUTION: A processed substrate(W) is supported by a supporting part of a substrate supporting device(50). A chemical solution supply device(20) supplies a chemical solution to the processed substrate supported by the substrate supporting device. The chemical solution supply device includes a chemical solution supply part(21), a chemical solution supply tube(22), and a chemical solution nozzle(23). The chemical solution nozzle discharges the chemical solution from the chemical solution supply tube to the processed substrate. A rinse liquid supply device(25) supplies a rinse liquid to the processed substrate. A substitution accelerating liquid supply device(30) supplies a substitution accelerating liquid to the processed substrate.

Abstract translation: 目的：提供液体处理方法，液体处理装置和记录介质，以防止将冲洗液干燥的部分和漂洗液体的湿部分混合在一起而使其折叠 处理基板的表面。 构成：经处理的基板（W）由基板支撑装置（50）的支撑部支撑。 化学溶液供给装置（20）向由所述基板支撑装置支撑的被处理基板供给化学溶液。 化学溶液供给装置包括化学溶液供给部（21），化学溶液供给管（22）和化学溶液喷嘴（23）。 化学溶液喷嘴将化学溶液从化学溶液供应管排出到处理过的基板。 冲洗液体供应装置（25）将冲洗液体提供给经处理的基板。 置换加速液体供给装置（30）向加工后的基板供给替代加速液。

公开(公告)号：KR100728244B1

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020000067984

申请日：2000-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  오모리츠타에 ,  야마시타마사미

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/265 ,  G03F7/70991

Abstract: 본 발명은 실리레이션(silylation)처리장치및 방법에 관한 것으로서 챔버와 상기 챔버내에 설치되어 기판을 가열하는 가열기구와 상기 챔버내에 실리레이션제를 포함하는 증기를 공급하는 공급기구와 상기 챔버내에서 상기 기판을 지지하고 상기 가열기구와 상기 기판의 간격을 적어도 3단계 이상으로 조절가능한 기판지지 치구를 구비하고 있다. 가열기구로부터의 간격을 최대한 떨어뜨려 챔버내의 열의 영향을 받기 어려운 상태에서 기판을 수취하고 상기에 비교하여 가열기구와의 간격을 결정하여 챔버내의 온도가 면내 균일성을 유지할 때까지 대기하여 면내 균일성을 얻은 후에 한층 가열기구에 가깝게하여 실리레이션 반응을 생기게하는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR1020010051729A

公开(公告)日：2001-06-25

申请号：KR1020000067984

申请日：2000-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토시마타카유키 ,  오모리츠타에 ,  야마시타마사미

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  G03F7/265 ,  G03F7/70991

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method of sylilation are to provide a uniform sylilated layer, without depending on the hardware constitution. CONSTITUTION: An apparatus and a method include carrying of a wafer W into a processing chamber, setting it while keeping a prescribed distance from a hot plate(5) established in the processing chamber, filling the processing chamber with a sylilation agent by introducing steam which contains a sylilation agent into the processing chamber heating the hot plate(5), bringing the wafer W close to the hot plate(5), uniformly spreading the sylilation agent atmosphere in the processing chamber at a temperature, at which the wafer W does not generate sylilation reaction, raising the temperature of the wafer W by bringing it close to the hot plate(5), and generating sylilation reaction on the surface of the wafer W.

Abstract translation: 目的：一种装置和一种方法是提供均匀的乙酰化层，而不依赖硬件结构。 构成：一种装置和方法包括将晶片W带入处理室，在与处理室中建立的热板（5）保持规定距离的同时进行设定，通过引入蒸汽将蒸汽填充到处理室中， 在加热室（5）中加入加热室（8），使晶片W靠近加热板（5）的均匀地分散在处理室内，使晶片W不会在处理室内均匀地分散在处理室内 产生硫化反应，使其靠近热板（5）使晶片W的温度升高，并在晶片W的表面产生锯齿反应。