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公开(公告)号：KR1019990088393A
公开(公告)日：1999-12-27
申请号：KR1019990017997
申请日：1999-05-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/6715
Abstract: 기판을스핀척에보유·유지하고, 기판표면을가로지르는제 1방향전체에걸쳐배치된레지스트파이프의하측에위치하는복수의레지스트노즐로부터, 기판표면에대하여소정간격을띄우고있는복수의위치에레지스트액을공급하고, 그후 기판을요동및 회전시킴으로써기판상의레지스트액을균일하게퍼지게하여막두께가얇은도막(塗膜)을형성시킨다. 높은점도(粘度)의도포액및 낮은점도의도포액에대한대응성이뛰어나고, 처리제의점도및 종류에구애받지않고넓은범위의처리제를사용할수 있고, 노즐과기판과의사이의간격및 노즐크기의정도(精度)등의기계적정도를완화시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR100543570B1
公开(公告)日：2006-01-20
申请号：KR1019990032186
申请日：1999-08-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324
CPC classification number: B05D3/0209 , B05D1/005 , G03F7/168
Abstract: 도포액, 예를 들어 레지스트액이 도포된 기판을 제 1 소정온도로 가열하고, 이 가열 후에 기판을 비가열상태로 하여, 이 비가열공정 후에 기판을 제 2 소정온도로 가열한다. 또는, 레지스트액이 도포된 기판을 가열하는 가열공정과, 이 가열 후에 기판을 비가열상태로 하는 비가열공정을 여러번 반복한다. 이와 같은 처리방법을 사용함으로써, 레지스트액 등의 막두께 불균일 및 회로 패턴 선폭 변동의 지표인 전사의 발생을 억제시키는 것이 가능하여 기판처리의 수율(收率)을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100523224B1
公开(公告)日：2005-10-24
申请号：KR1019990017997
申请日：1999-05-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/6715
Abstract: 기판을 스핀척에 보유·유지하고, 기판 표면을 가로지르는 제 1방향 전체에 걸쳐 배치된 레지스트 파이프의 하측에 위치하는 복수의 레지스트 노즐로부터, 기판 표면에 대하여 소정 간격을 띄우고 있는 복수의 위치에 레지스트액을 공급하고, 그 후 기판을 요동 및 회전시킴으로써 기판상의 레지스트액을 균일하게 퍼지게 하여 막두께가 얇은 도막(塗膜)을 형성시킨다. 높은 점도(粘度)의 도포액 및 낮은 점도의 도포액에 대한 대응성이 뛰어나고, 처리제의 점도 및 종류에 구애받지 않고 넓은 범위의 처리제를 사용할 수 있고, 노즐과 기판과의 사이의 간격 및 노즐 크기의 정도(精度)등의 기계적 정도를 완화시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020000012023A
公开(公告)日：2000-02-25
申请号：KR1019990030744
申请日：1999-07-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G02F1/1333
CPC classification number: H01L21/6715 , G03F7/168 , H01L21/67034
Abstract: PURPOSE: A method for forming a predetermined layer on a surface of a substrate is provided to prevent layer thickness irregularity of resist solution and formation of a lithography on the substrate by heating the substrate in a substantial unheated state after coating the resist solution. CONSTITUTION: A coating solution is coated on the surface of the substrate and is dried under a first decompression circumstance. A dry processing of the substrate is performed utilizing an unheated method under a second decompression circumstance. In set temperature, the second decompression circumstance is lower than the first decompression circumstance. After the dry processing of the substrate, a heating dry processing thereof is performed.
Abstract translation: 目的：提供一种用于在基板表面上形成预定层的方法，以在涂覆抗蚀剂溶液之后，通过在基本上未加热的状态下加热基板来防止抗蚀剂溶液的层厚度不均匀和在基板上形成光刻。 构成：将涂层溶液涂覆在基材的表面上，并在第一减压环境下干燥。 在第二减压环境下利用未加热方法进行基板的干法处理。 在设定温度下，第二减压环境低于第一减压环境。 在基板的干燥处理之后，进行其加热干燥处理。
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公开(公告)号：KR1019990023943A
公开(公告)日：1999-03-25
申请号：KR1019980034926
申请日：1998-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 액정디스플레이(LCD)용 기판과 같은 대형의 기판에 레지스트를 도포하고, 도포레지스트를 기판의 주변부로부터 제거하는 기판처리방법에 관한 것이다. 본 발명은 온조수단을 구비하고, 상기 온조수단에 의해 기판을 온조하는 공정과, 기판에 공급하는 도포액을 온조하는 공정과, 기판을 반송하거나 보지하는 때에 기판과 접촉하는 접촉부재를 온조하는 공정과, 도포액을 기판에 도포하기 위한 처리공간의 분위기의 온도를 검출하는 공정과, 기판 상에 도막을 형성하기 위한 목표온도를 설정하는 공정과, 상기의 목표온도와 검출온도에 기초하여 적어도 상기 접촉부재에 대한 온조동작을 제어하는 공정과, 기판에 도포액을 도포하는 공정으로 이루어져, 처리공간의 분위기 온도(검출온도)와 목표온도(설정온도)에 기초한 처리장치의 각 부를 온조할 수 있도록 함으로써, 도포유니트 내의 온도의 변동에 관계없이, 도막불량 및 전사적의 발생을 미연에 방지할 수 있는 기판처리방법을 제시하고 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101076952B1
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：KR1020030093585
申请日：2003-12-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67178 , G03F7/168 , G03F7/2022 , H01L21/6715 , H01L21/67173
Abstract: 본발명은기판처리방법및 기판처리장치에관한것으로, 처리실(42)은실제로기판(G)의가열처리를행하는곳이고, 기판(G)의표면으로부터레지스터(R)를가열하는상단플레이트(45), 기판(G)의이면으로부터레지스트(R)를가열하는하단플레이트(46) 및처리실(42)내의가스를배기하는배기구(47)를갖는다. 상단플레이트(45)는상부구동기구(43)를구성하는상부에어실린더(51)에의해처리실(42)내를수직방향으로승강가능하게설치되어있다. 하단플레이트(46)는처리실(42)의맡바닥(42b)에재치된다. 배기구(47)는배관(48)을통해펌프(50)에접속된다. 상단플레이트(45), 하단플레이트(46)에의한가열온도, 가열시간, 가열제어부(70)에의해제어된다. 처리실(42)내의기압의제어는기압제어부(73)에의해펌프(50)가제어되는것으로행해지는기술을제공한다.
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公开(公告)号：KR100609766B1
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：KR1019990030744
申请日：1999-07-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G02F1/1333
CPC classification number: H01L21/6715 , G03F7/168 , H01L21/67034
Abstract: 레지스트액의 도포 직후, 기판이 실질적으로 비가열방식에 의해 건조된다. 구체적인 예를 들면, 샤워헤드로부터 나오는 불활성가스가 기판에 부딛혀짐으로써, 기판에 도포된 레지스트액이 건조되는 것이다. 이에 의해 레지스트액의 막두께 불균일 및 회로패턴의 선폭(線幅) 변동의 지표라고 할 수 있는 전사(傳寫)를 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100575454B1
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1019990032723
申请日：1999-08-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 기판에 레지스트도포·현상처리를 행하는 레지스트도포·현상처리는, 기판에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성시키는 레지스트도포유니트와, 적어도 도포 후의 기판에 프레베이크(prebake)처리를 실시하는 가열처리유니트와, 노광(露光, exposure)된 레지스트막에 현상처리를 실시하는 현상처리유니트를 구비하고, 가열처리유니트는 가열플레이트(plate)와 가열플레이트의 상방에서 기판을 지지하는 복수의 지지핀을 갖추고, 복수의 지지핀은 기판의 제품에 대응하는 부분 이외를 지지하도록 설치되어 있다. 이에 의해 기판상의 제품에 대응하는 부분에 전사가 발생되는 것을 방지할 수 있고, 또 파티클(particle)의 영향을 보다 억제할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100505023B1
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：KR1019980034926
申请日：1998-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 액정디스플레이(LCD)용 기판과 같은 대형의 기판에 레지스트를 도포하고, 도포레지스트를 기판의 주변부로부터 제거하는 기판처리방법에 관한 것이다. 본 발명은 온조수단을 구비하고, 상기 온조수단에 의해 기판을 온조하는 공정과, 기판에 공급하는 도포액을 온조하는 공정과, 기판을 반송하거나 보지하는 때에 기판과 접촉하는 접촉부재를 온조하는 공정과, 도포액을 기판에 도포하기 위한 처리공간의 분위기의 온도를 검출하는 공정과, 기판 상에 도막을 형성하기 위한 목표온도를 설정하는 공정과, 상기의 목표온도와 검출온도에 기초하여 적어도 상기 접촉부재에 대한 온조동작을 제어하는 공정과, 기판에 도포액을 도포하는 공정으로 이루어져, 처리공간의 분위기 온도(검출온도)와 목표온도(설정온도)에 기초한 처리장치의 각 부를 온조할 수 있도록 함으로써, 도포유니트 내의 온도의 변동에 관계없이, 도막불량 및 전사적의 발생을 미연에 방지할 수 있는 기판처리방법을 제시하고 있다.
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公开(公告)号：KR1020040055680A
公开(公告)日：2004-06-26
申请号：KR1020030093585
申请日：2003-12-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67178 , G03F7/168 , G03F7/2022 , H01L21/6715 , H01L21/67173
Abstract: PURPOSE: A substrate processing method and a substrate processing apparatus are provided to improve a uniformity of a result of half-light exposure on a resist by separating exposure on first and second resists. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus is capable of sending/receiving a substrate to and from an exposing unit which performs a half-light exposure on a resist applied on the substrate(G). The substrate processing apparatus includes an applying portion(3) for applying the resist on the substrate, a heating portion(24,25) for heating the resist applied on the substrate from a top surface side and a bottom surface side, and an interface portion(4) for allowing the substrate heated by the heating portion to be transferred to the exposing unit. The heating portion includes a first heating plate for heating the resist applied on the top surface of the substrate at a first temperature and a second heating plate for heating the resist at a second temperature.
Abstract translation: 目的：提供基板处理方法和基板处理装置，通过分离第一和第二抗蚀剂上的曝光来提高抗蚀剂上的半光曝光结果的均匀性。 构成：基板处理装置能够向施加在基板（G）上的抗蚀剂进行半光曝光的曝光单元发出基板。 基板处理装置包括：用于在基板上涂布抗蚀剂的涂布部分（3），用于从顶表面侧和底表面侧加热涂布在基材上的抗蚀剂的加热部分（24,25） （4），用于将由加热部分加热的基板转印到曝光单元。 加热部分包括用于在第一温度下加热施加在基板的顶表面上的抗蚀剂的第一加热板和用于在第二温度下加热抗蚀剂的第二加热板。
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