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公开(公告)号：KR100572113B1
公开(公告)日：2006-04-18
申请号：KR1020050124640
申请日：2005-12-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/6715 , B05C11/08 , B05D1/005 , G03F7/162
Abstract: 상부개구 및 배기구를 구비한 컵부의 안쪽에서 기판에 도포막을 형성하는 도포방법은, (a)상기 상부개구를 통해 컵부내에 기판을 반입하고, 스핀척에 의해 기판을 유지하는 공정과, (b)상기 배기구를 통해 컵부내를 배기하면서 기판에 도포액을 공급하는 공정과, (c)상기 배기구를 통해 컵부내를 배기하면서 스핀척에 의해 기판을 회전시키고, 상기 공정(b)으로 공급된 도포액을 확산시켜 기판표면에 도포막을 형성하는 공정과, (d)기판의 회전을 정지시키고, 도포막을 갖는 기판을 컵부의 밖으로 반출하는 공정과, (e)상기 공정(c)에서 생기는 도포액의 미스트를 컵부로부터 배출하기 위하여, 상기 공정(c) 또는 상기 공정(d)의 사이에 있어서, 상기 공정(b) 및 (c)의 배기량 중 어느 한쪽이 큰 것보다도 더욱 큰 배기유량으로 상기 컵부의 배기를 바꾸는 공정을 구비한다.
Abstract translation: 一种在设置有上部开口和排气口的杯部内的基板上形成涂膜的涂布方法，包括以下步骤：（a）通过上部开口将基板携带到杯部中并通过旋转卡盘保持基板; （C）在通过所述排气口排出所述杯的内部的同时用所述旋转卡盘旋转所述衬底，并且将供应到所述步骤（b） （D）停止基板的旋转，并将具有涂膜的基板从杯部中取出的工序;（e）从涂布液中除去涂布液的工序 （b）和（c）以比步骤（b）和（c）中任一步骤更高的排气流量进行， 改变排气的过程 雨。
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公开(公告)号：KR1019990088393A
公开(公告)日：1999-12-27
申请号：KR1019990017997
申请日：1999-05-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/6715
Abstract: 기판을스핀척에보유·유지하고, 기판표면을가로지르는제 1방향전체에걸쳐배치된레지스트파이프의하측에위치하는복수의레지스트노즐로부터, 기판표면에대하여소정간격을띄우고있는복수의위치에레지스트액을공급하고, 그후 기판을요동및 회전시킴으로써기판상의레지스트액을균일하게퍼지게하여막두께가얇은도막(塗膜)을형성시킨다. 높은점도(粘度)의도포액및 낮은점도의도포액에대한대응성이뛰어나고, 처리제의점도및 종류에구애받지않고넓은범위의처리제를사용할수 있고, 노즐과기판과의사이의간격및 노즐크기의정도(精度)등의기계적정도를완화시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR100230693B1
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019940001584
申请日：1994-01-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C23C16/4485 , C23C16/4412 , Y10S427/101
Abstract: 반도체 웨이퍼의 소수화 처리를 하기 위한 소수화 처리장치는, 액상상태의 HMDS를 저장하는 탱크와, 웨이퍼 처리를 하는 처리실과, 탱크로부터 처리실로 액상상태의 HMDS를 필요한 때에 필요한 양만큼 송출하는 기구를 구비한다. 처리실은 배기관을 통하여 접속된 에젝터에 의하여 감압 상태로 설정가능하게 된다. 처리실 내에는 웨이퍼를 재치하기 위한 재치대가 배치되며, 이것은 히터를 내장한다. 재치대의 주위에는 링이 배치되며 링에는 2군데에 오목형상의 액받이부가 형성된다. HMDS를 공급하는 2개의 배관이 액받이부 바로 위까지 뻗어 있다. HMDS는 액상상태로 처리실에 공급되며 여기에서 기화한다. 처리실에 있어서의 HMDS의 농도는 액상상태의 HMDS의 공급량을 조정함으로써 제어된다.
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公开(公告)号：KR1019940018927A
公开(公告)日：1994-08-19
申请号：KR1019940001584
申请日：1994-01-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/304
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公开(公告)号：KR1020050122194A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：KR1020050124640
申请日：2005-12-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/6715 , B05C11/08 , B05D1/005 , G03F7/162
Abstract: 상부개구 및 배기구를 구비한 컵부의 안쪽에서 기판에 도포막을 형성하는 도포방법은, (a)상기 상부개구를 통해 컵부내에 기판을 반입하고, 스핀척에 의해 기판을 유지하는 공정과, (b)상기 배기구를 통해 컵부내를 배기하면서 기판에 도포액을 공급하는 공정과, (c)상기 배기구를 통해 컵부내를 배기하면서 스핀척에 의해 기판을 회전시키고, 상기 공정(b)으로 공급된 도포액을 확산시켜 기판표면에 도포막을 형성하는 공정과, (d)기판의 회전을 정지시키고, 도포막을 갖는 기판을 컵부의 밖으로 반출하는 공정과, (e)상기 공정(c)에서 생기는 도포액의 미스트를 컵부로부터 배출하기 위하여, 상기 공정(c) 또는 상기 공정(d)의 사이에 있어서, 상기 공정(b) 및 (c)의 배기량 중 어느 한쪽이 큰 것보다도 더욱 큰 배기유량으로 상기 컵부의 배기를 바꾸는 공정을 � �비한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100523224B1
公开(公告)日：2005-10-24
申请号：KR1019990017997
申请日：1999-05-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/6715
Abstract: 기판을 스핀척에 보유·유지하고, 기판 표면을 가로지르는 제 1방향 전체에 걸쳐 배치된 레지스트 파이프의 하측에 위치하는 복수의 레지스트 노즐로부터, 기판 표면에 대하여 소정 간격을 띄우고 있는 복수의 위치에 레지스트액을 공급하고, 그 후 기판을 요동 및 회전시킴으로써 기판상의 레지스트액을 균일하게 퍼지게 하여 막두께가 얇은 도막(塗膜)을 형성시킨다. 높은 점도(粘度)의 도포액 및 낮은 점도의 도포액에 대한 대응성이 뛰어나고, 처리제의 점도 및 종류에 구애받지 않고 넓은 범위의 처리제를 사용할 수 있고, 노즐과 기판과의 사이의 간격 및 노즐 크기의 정도(精度)등의 기계적 정도를 완화시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100267618B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019950023817
申请日：1995-08-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B05C11/1039 , B05C5/0208 , B05C11/08 , G03F7/3021 , Y10S134/902
Abstract: 피처리체를 현상액으로 현상하는 현상액 처리장치는, 피처리체를 회전 가능하게 유지하는 유지부재와, 피처리체에 현상액을 공급하는 현상액 공급노즐과, 피처리체로 공급된 현상액을 흡인하는 현상액 흡인노즐과, 현상액 공급노즐을 피처리체 위쪽으로 이동시키는 현상액 공급노즐 이동기구와, 현상액 흡인노즐을 피처리체 위쪽으로 이동시키는 현상액 흡인노즐 이동기구를 구비하고, 현상액공급노즐을 이동시켜서 현상액을 피처리체에 공급한 후, 현상액 흡인노즐을 이동시켜서 피처리체상의 현상액을 흡인한다.
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公开(公告)号：KR1019990023943A
公开(公告)日：1999-03-25
申请号：KR1019980034926
申请日：1998-08-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 액정디스플레이(LCD)용 기판과 같은 대형의 기판에 레지스트를 도포하고, 도포레지스트를 기판의 주변부로부터 제거하는 기판처리방법에 관한 것이다. 본 발명은 온조수단을 구비하고, 상기 온조수단에 의해 기판을 온조하는 공정과, 기판에 공급하는 도포액을 온조하는 공정과, 기판을 반송하거나 보지하는 때에 기판과 접촉하는 접촉부재를 온조하는 공정과, 도포액을 기판에 도포하기 위한 처리공간의 분위기의 온도를 검출하는 공정과, 기판 상에 도막을 형성하기 위한 목표온도를 설정하는 공정과, 상기의 목표온도와 검출온도에 기초하여 적어도 상기 접촉부재에 대한 온조동작을 제어하는 공정과, 기판에 도포액을 도포하는 공정으로 이루어져, 처리공간의 분위기 온도(검출온도)와 목표온도(설정온도)에 기초한 처리장치의 각 부를 온조할 수 있도록 함으로써, 도포유니트 내의 온도의 변동에 관계없이, 도막불량 및 전사적의 발생을 미연에 방지할 수 있는 기판처리방법을 제시하고 있다.
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公开(公告)号：KR100561703B1
公开(公告)日：2006-03-17
申请号：KR1019990049533
申请日：1999-11-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 처리시스템에 관한 것으로, 상기 처리시스템은, 반송로와, 상기 반송로를 따라 제 1 영역에 배치되어 피처리체에 대하여 진공계의 처리를 실시하는 복수의 제 1 처리부와, 상기 반송로를 따라 제 2 영역에 배치되어 피처리체에 대하여 대기계의 처리를 실시하는 복수의 제 2 처리부와, 반송로상을 이동할 수 있게 배치되어 제 1 및 제 2 처리부와의 사이에서 피처리체의 인수·인도를 수행하는 반송장치로 구성됨으로써, 대기계의 영역과 진공계의 영역 사이에서 피처리체를 원활하게 주고받을 수 있는 처리시스템을 제공하는 기술이 제시된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种处理系统，并作为是，输送处理系统中，多个第一处理单元的，根据所述发送回进行真空系统处理相对于所述对象的第一区域的地方进行处理，中相应的传输 取决于采集从多个所述第二部分的主题的和，并且被布置成能够移动到所述输送路径的第一和设置在经受到待机系统的处理相对于所述对象的第二区域将被处理＆middot的第二处理部的; 提出了一种用于提供能够在机器的区域和真空系统的区域之间平稳地传送待处理对象的处理系统的技术。
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公开(公告)号：KR1019960008976A
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019950023817
申请日：1995-08-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: B05C11/1039 , B05C5/0208 , B05C11/08 , G03F7/3021 , Y10S134/902
Abstract: 피처리체를현상액으로현상하는현상액처리장치는, 피처리체를회전가능하게유지하는유지부재와, 피처리체에현상액을공급하는현상액공급노즐과, 피처리체로공급된현상액을흡인하는현상액흡인노즐과, 현상액공급노즐을피처리체위쪽으로이동시키는현상액공급노즐이동기구와, 현상액흡인노즐을피처리체위쪽으로이동시키는현상액흡인노즐이동기구를구비하고, 현상액공급노즐을이동시켜서현상액을피처리체에공급한후, 현상액흡인노즐을이동시켜서피처리체상의현상액을흡인한다.
Abstract translation: 用于开发与显影溶液在加工对象物的显影剂装置被保持，其旋转地保持加工对象部件，以及一个显影液吸嘴和显影液供给喷嘴供给的显影液被处理，抽吸供给显影剂体被处理，并且 具有用于显影液供给喷嘴移动机构为显影液供给喷嘴移动到目标位置，移动显影溶液吸引喷嘴朝向目标位置并且，通过移动显影液供给喷嘴的显影剂吸嘴移动机构后供给显影液的待处理 ，显影剂吸嘴移动以吸引待处理物体上的显影剂。
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