公开(公告)号：KR100674269B1

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020047014996

申请日：2003-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠시마게이이치 ,  스즈키다카시 ,  후루야하지메

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/3244

Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리 장치용 전극(23)은, 피처리 기판(W)을 유지하는 전극(13)에 대향하여 배치된 지지부재(35)와, 지지부재(35)에 대하여 장착되는 전극판(36)에 있어서, 복수의 가스 토출 구멍(36A)과, 지지부재(35)에 대향하여 개구하는 나사 구멍(44A)을 구비하고, 전극(13)과의 사이에 형성되는 처리 공간내에 가스 토출 구멍(36A)으로부터 처리 가스를 공급하여 상기 처리 공간내에 플라즈마를 형성하는 전극판(36)과, 전극판(36)의 나사 구멍(44A)에 대하여 지지부재(35)측으로부터 나사 결합함으로써, 전극판(36)을 지지부재(35)에 대하여 체결하는 체결부재(42)를 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1020160018410A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：KR1020150110976

申请日：2015-08-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기하라신타로 ,  마나베에이지 ,  후루야하지메 ,  미무라유지 ,  오모리요스케

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은, 접합되는기판끼리의수평방향위치를적절하게조절하여, 당해기판끼리의접합처리를적절하게행한다. 접합장치(41)는, 하면에상부웨이퍼 W를진공배기하여흡착보유지지하는상부척(140)과, 상부척(140)의하방에설치되고, 상면에하부웨이퍼 W을진공배기하여흡착보유지지하는하부척(141)을갖는다. 하부척(141)은, 하부웨이퍼 W을진공배기하는본체부(190)와, 본체부(190) 위에설치되며, 하부웨이퍼 W의이면에접촉되는복수의핀(191)을갖는다. 본체부(190)의중심부에설치된핀(191a)의선단위치는, 본체부(190)의외주부에설치된핀(191b)의선단위치보다도높다.

Abstract translation: 根据本发明，适当调整接合基板的水平位置，以适当地进行基板的接合处理。 接合装置（41）包括：上卡盘（140），其对其下表面上的上晶片W_U进行真空排气以吸收并保持上晶片W_U; 以及安装在上卡盘（140）下方的下卡盘（141），并对其上表面的下晶片W_L进行真空排气以吸收并保持下晶片W_L。 下卡盘（141）包括对下晶片W_L进行真空排气的主体部（190）和安装在主体部（190）上并与下晶片的后表面接触的多个销（191） W_L。 安装在主体部分（190）的中心处的销（191a）的尖端位置高于安装在主体部分（190）的外周部分处的销（191b）的尖端位置。

公开(公告)号：KR1020040094847A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：KR1020047014996

申请日：2003-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠시마게이이치 ,  스즈키다카시 ,  후루야하지메

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/3244

Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리 장치용 전극(23)은, 피처리 기판(W)을 유지하는 전극(13)에 대향하여 배치된 지지부재(35)와, 지지부재(35)에 대하여 장착되는 전극판(36)에 있어서, 복수의 가스 토출 구멍(36A)과, 지지부재(35)에 대향하여 개구하는 나사 구멍(44A)을 구비하고, 전극(13)과의 사이에 형성되는 처리 공간내에 가스 토출 구멍(36A)으로부터 처리 가스를 공급하여 상기 처리 공간내에 플라즈마를 형성하는 전극판(36)과, 전극판(36)의 나사 구멍(44A)에 대하여 지지부재(35)측으로부터 나사 결합함으로써, 전극판(36)을 지지부재(35)에 대하여 체결하는 체결부재(42)를 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1020160148477A

公开(公告)日：2016-12-26

申请号：KR1020160074683

申请日：2016-06-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야하지메 ,  스기하라신타로 ,  후사노히로아키 ,  다나카스미 ,  마치야마와타루

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/67763 ,  H01L21/6838 ,  H01L2021/60172

Abstract: 본발명은접합되는기판끼리의수평방향위치를적절히조절하여, 상기기판끼리의접합처리를적절히행하는것을목적으로한다. 접합장치는, 하면에상부웨이퍼(W)를진공화하여흡착유지하는상부척(140)과, 상부척(140)의하방에설치되고, 상면에하부웨이퍼(W)를진공화하여흡착유지하는하부척(141)을갖는다. 하부척(141)은, 하부웨이퍼(W)를배치하고, 연직방향및 수평방향으로신축가능한배치부(200)와, 배치부(200)에있어서중심부의높이가외주부의높이보다높아지도록, 상기배치부(200)를하방으로부터압박하여변형시키는변형기구(210)를갖는다.

公开(公告)号：KR1020160144315A

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：KR1020160068609

申请日：2016-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야하지메 ,  기타하라시게노리 ,  나가타아츠시 ,  오카모토노리히코 ,  후사노히로아키

IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02252 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 표면개질장치의손상을억제하면서, 당해표면개질장치에있어서기판의표면을적절하게개질한다. 표면개질장치(30)는처리용기(100) 내에배치되어, 기판(S, S)이적재되는하부전극(110)과, 처리용기(100) 내에서하부전극(110)에대향해서배치되는상부전극(140)을갖는다. 하부전극(110)은플라즈마생성용의소정주파수의전압을인가하기위한고주파전원(134)에접속되고, 상부전극(140)은접지되어있다. 소정주파수는, 13MHz 내지 100MHz 중어느하나이다.

公开(公告)号：KR1020170073519A

公开(公告)日：2017-06-28

申请号：KR1020160172523

申请日：2016-12-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루야하지메 ,  스기하라신타로

IPC: H01L21/18 ,  H01L23/00 ,  H01L21/60

Abstract: 접합후의기판에생기는변형을저감하는것. 실시형태에따른접합장치는, 제1 유지부와, 제2 유지부와, 푸시부와, 영률의이방성에따른변형량의차를없애는구조를구비한다. 제1 유지부는, 영률에이방성을갖는기판을포함하는 2개의기판중, 제1 기판을하면에흡착유지한다. 제2 유지부는, 제1 유지부의하방에마련되어, 상기 2개의기판중, 제2 기판을상면에흡착유지한다. 푸시부는, 제1 기판의중심부를상방으로부터압박하여제2 기판에접촉시킨다. 영률의이방성에따른변형량의차를없애는구조는, 푸시부에 의한제1 기판의압박에의해생기는제1 기판과제2 기과의변형량의차 중, 영률의이방성에따른변형량의차를없앤다.

Abstract translation: 粘合后减少衬底上的变形。 根据本实施例接合装置设置有一个结构，以消除所述第一保持部及所述第二保持部和按压部，和杨氏模量的各向异性的变形量之间的差。 第一保持部吸附并保持包括具有杨氏模量各向异性的基板的两个基板中的第一基板。 第二保持部设置在第一保持部的下方，以在上表面上保持并保持第二基板中的两个基板。 推动部分从上方按压第一基板的中央部分并接触第二基板。 结构，消除在杨氏模量的各向异性的变形量的差异是根据所述推送部由第一基材的压力基板任务2 gigwa的变形的第一量之间的差的，消除了杨氏模量的各向异性的变形量的差。

公开(公告)号：KR101299845B1

公开(公告)日：2013-08-23

申请号：KR1020110105970

申请日：2011-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아끼야마나오끼 ,  스기야마마사히꼬 ,  후루야하지메

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/67092 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/75 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/7526 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75303 ,  H01L2224/75312 ,  H01L2224/75314 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/75985 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032

Abstract: 금속의 접합부를 갖는 기판끼리의 온도 조정을 효율적으로 행하고, 기판 접합 처리의 처리량을 향상시킨다. 접합 장치(10)는, 하면에 개구(78)가 형성된 처리 용기(70)와, 처리 용기(70) 내에 배치된, 중합 웨이퍼 W
T 를 적재하여 열처리하는 제2 열처리판(90)과, 처리 용기(70) 내에 제2 열처리판(90)에 대향하여 설치되고, 중합 웨이퍼 W
T 를 제2 열처리판(90)측에 압박하는 가압 기구(80)와, 처리 용기(70)의 내면에 당해 처리 용기(70)의 개구(78)를 따라 설치되고, 처리 용기(70)와 제2 열처리판(90) 사이를 기밀하게 막는 환형상의 지지대(95)와, 제2 열처리판(90)의 하방이며 지지대(95)의 내측에 설치된 냉각 기구(100)를 갖고 있다. 냉각 기구(100)는, 그 상면이 제2 열처리판(90)과 평행하게 설치된 냉각판과, 냉각판의 내부에 연통되고 당해 냉각판의 내부에 공기를 공급하는 연통관과, 냉각판을 상하 이동시키는 승강 기구를 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1020120040115A

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：KR1020110105970

申请日：2011-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아끼야마나오끼 ,  스기야마마사히꼬 ,  후루야하지메

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L21/67092 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/75 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/75102 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/7526 ,  H01L2224/75283 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/75303 ,  H01L2224/75312 ,  H01L2224/75314 ,  H01L2224/755 ,  H01L2224/75501 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/75901 ,  H01L2224/75985 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/8122 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032

Abstract: PURPOSE: A bonding apparatus is provided to improve a processing amount in substrate bonding by efficiently controlling the temperatures of substrates having a metal boding part. CONSTITUTION: A second thermal processing unit(90) loads and thermally processes a polymerization wafer. A pressure mechanism(80) is installed to be opposite to a second thermal processing plate in a processing container and presses the polymerization wafer to the second thermal processing plate. A ring shaped support stand(95) is placed along an opening of the processing container inside the processing container and tightly blocks the gap between the processing container and the second thermal processing plate. A cooling mechanism is placed in a lower side of the second thermal processing plate, in other word, inside the support stand.

Abstract translation: 目的：提供一种接合装置，通过有效地控制具有金属焊接部分的基板的温度来改善基板接合中的处理量。 构成：第二热处理单元（90）负载和热处理聚合晶片。 压力机构（80）安装成与处理容器中的第二热处理板相对，并将聚合晶片按压到第二热处理板。 环形支撑架（95）沿处理容器的开口放置在处理容器内部，并且紧密地阻挡处理容器和第二热处理板之间的间隙。 换句话说，冷却机构放置在第二热处理板的下侧，在支架内部。