公开(公告)号：KR1020030074721A

公开(公告)日：2003-09-19

申请号：KR1020037009600

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다카츠키고이치 ,  요시타카히카루 ,  아시가키시게오 ,  이노우에요이치 ,  아카호리다카시 ,  이시즈카슈우이치 ,  아베쇼이치 ,  스즈키다카시 ,  가와무라고헤이 ,  미요시히데노리 ,  정기시 ,  오시마야스히로 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541

Abstract: 전극판(20)의 서셉터(10)에 대향하는 면을 볼록형의 형상으로 한다. 전극판(20)은 볼록부(20a)에 있어서 실드링(Shield Ring)(26)의 개구(26a)와 결합한다. 이 때, 볼록부(20a)의 두께는, 실드링(26)의 두께와 거의 동일하다. 이로써, 전극판(20)과 실드링(26)은 실질적으로 동일한 평면을 형성한다. 또한, 볼록부(20a)의 주요면은, 웨이퍼(W)의 직경의 1.2∼1.5배의 직경을 갖는다. 또한, 전극판(20)은, 예컨대 SiC로 구성된다.

公开(公告)号：KR1020070094477A

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：KR1020070024210

申请日：2007-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스즈키다카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32568

Abstract: A plasma processing apparatus and an electrode used therein are provided to generate a plasma having extremely high uniformity by decreasing non-uniformity of electric field distribution on an electrode surface in a large area from a center portion to an edge portion of the electrode. An electrode plate(310) is disposed to face a second electrode(300). A support(320) supports the electrode plate, in which the support contacts a surface of the electrode plate which is opposite to the second electrode. A dielectric portion is provided on a contact surface of the support with the electrode plate, and is formed in such a way that a center portion thereof has a height different from that of an edge portion thereof. The center portion of the dielectric portion is higher than that of the edge portion thereof.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置和电极，通过从电极的中心部分到边缘部分的大面积上的电极表面上的电场分布的不均匀性产生具有极高均匀性的等离子体。 电极板（310）设置成面对第二电极（300）。 支撑件（320）支撑电极板，其中支撑件接触与第二电极相对的电极板的表面。 电介质部分设置在支撑体与电极板的接触表面上，并且形成为其中心部分的高度不同于其边缘部分的高度。 电介质部分的中心部分高​​于其边缘部分的中心部分。

公开(公告)号：KR1020040094847A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：KR1020047014996

申请日：2003-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠시마게이이치 ,  스즈키다카시 ,  후루야하지메

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/3244

Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리 장치용 전극(23)은, 피처리 기판(W)을 유지하는 전극(13)에 대향하여 배치된 지지부재(35)와, 지지부재(35)에 대하여 장착되는 전극판(36)에 있어서, 복수의 가스 토출 구멍(36A)과, 지지부재(35)에 대향하여 개구하는 나사 구멍(44A)을 구비하고, 전극(13)과의 사이에 형성되는 처리 공간내에 가스 토출 구멍(36A)으로부터 처리 가스를 공급하여 상기 처리 공간내에 플라즈마를 형성하는 전극판(36)과, 전극판(36)의 나사 구멍(44A)에 대하여 지지부재(35)측으로부터 나사 결합함으로써, 전극판(36)을 지지부재(35)에 대하여 체결하는 체결부재(42)를 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1020150046734A

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：KR1020140140615

申请日：2014-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 곤노마사히코 ,  신타쿠마사유키 ,  스즈키다카시 ,  아이타미치타카 ,  오카다다이조 ,  오쿠니시나오히코 ,  가토히데오 ,  마츠모토나오키

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/34 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6831 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67103

Abstract: 마이크로파에의해처리가스를여기시키는플라즈마처리장치가제공된다. 이플라즈마처리장치에서는, 탑재대의정전척 내에히터가마련되어있다. 히터는필터유닛및 봉형상의급전체를거쳐서히터전원에접속되어있다. 급전체는절연체로구성된통 형상부의내공에통과되고있다. 또한, 통형상부를거쳐서전파하는마이크로파를억제하는초크부가급전체와통 형상부의사이에마련되어있다. 초크부는도전성을갖고, 제 1 부분및 제 2 부분을포함하고있다. 제 1 부분은급전체로부터그 급전체의긴 방향에교차하는방향으로연장되고있다. 제 2 부분은통 형상을갖고있고, 통형상부와급전체의사이에있어서제 1 부분의주연으로부터연장되고있다.

Abstract translation: 提供了一种通过微波激发处理气体的等离子体处理装置。 等离子体处理装置包括：安装台的静电卡盘中的加热器。 加热器通过棒状的供电体和过滤器单元连接到加热器电源。 供电体通过由绝缘体制成的管形成部分的内孔。 而且，在电源主体和管形成部之间准备防止由管形成部传播的微波的扼流部。 扼流部件具有导电性并且包括第一部分和第二部分。 第一部分从电源部分延伸到与电源部分长方向有关的方向。 第二部分具有管状并且在第一部分的周边部分在管形成部分和电源部分之间延伸。

公开(公告)号：KR1020080104236A

公开(公告)日：2008-12-02

申请号：KR1020080109266

申请日：2008-11-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스즈키다카시

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/24 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/3255 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32715 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/2412 ,  H05H2001/4645

Abstract: A plasma processing apparatus and an electrode used for the same are provided to enhance uniformity of the plasma by reducing non-uniformity of electric field distribution from the center to a peripheral part. A first electrode and a second electrode are arranged inside the process chamber to face each other. An electrode includes an electrode plate(310), a supporter(320), and a dielectric part. The electrode plate faces the second electrode. The supporter is coupled to a surface opposite to the second electrode of the electrode plate and supports the electrode plate. The second electrode lateral fruit of the electrode plate welds to the side of the opposite side and supporter supports the electrode plate. The dielectric part is prepared in a junction with the electrode plate in supporter. The height of the peripheral part is different from the height of the central part in the dielectric part. The skin depth which is the thickness from the electrode plate surface of the part to which the high frequency power is supplied is greater than the thickness of the electrode plate.

Abstract translation: 提供等离子体处理装置和用于其的电极，以通过减小从中心到周边部分的电场分布的不均匀性来提高等离子体的均匀性。 第一电极和第二电极布置在处理室内部以彼此面对。 电极包括电极板（310），支撑件（320）和电介质部件。 电极板面向第二电极。 支撑体耦合到与电极板的第二电极相对的表面并且支撑电极板。 电极板的第二电极侧面水果焊接到相对侧的一侧，并且支撑体支撑电极板。 电介质部分与支撑体中的电极板的接合处制备。 外围部分的高度不同于电介质部分的中心部分的高度。 从供给高频功率的部分的电极板表面的厚度的皮肤深度大于电极板的厚度。

公开(公告)号：KR100674269B1

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：KR1020047014996

申请日：2003-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠시마게이이치 ,  스즈키다카시 ,  후루야하지메

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/3244

Abstract: 본 발명의 플라즈마 처리 장치용 전극(23)은, 피처리 기판(W)을 유지하는 전극(13)에 대향하여 배치된 지지부재(35)와, 지지부재(35)에 대하여 장착되는 전극판(36)에 있어서, 복수의 가스 토출 구멍(36A)과, 지지부재(35)에 대향하여 개구하는 나사 구멍(44A)을 구비하고, 전극(13)과의 사이에 형성되는 처리 공간내에 가스 토출 구멍(36A)으로부터 처리 가스를 공급하여 상기 처리 공간내에 플라즈마를 형성하는 전극판(36)과, 전극판(36)의 나사 구멍(44A)에 대하여 지지부재(35)측으로부터 나사 결합함으로써, 전극판(36)을 지지부재(35)에 대하여 체결하는 체결부재(42)를 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR102263421B1

公开(公告)日：2021-06-09

申请号：KR1020140140615

申请日：2014-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 곤노마사히코 ,  신타쿠마사유키 ,  스즈키다카시 ,  아이타미치타카 ,  오카다다이조 ,  오쿠니시나오히코 ,  가토히데오 ,  마츠모토나오키

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/34 ,  H01L21/3065

公开(公告)号：KR1020150046747A

公开(公告)日：2015-04-30

申请号：KR1020140142517

申请日：2014-10-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신타쿠마사유키 ,  스즈키다카시 ,  곤노마사히코 ,  아이타미치타카 ,  오카다다이조 ,  가토히데오 ,  마츠모토나오키

IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32275

Abstract: 마이크로파를이용하는플라즈마처리장치가제공된다. 이장치는탑재대, 포커스링, 제 1 통형상부, 환상부, 제 2 통형상부, 및초크부를구비한다. 포커스링은탑재대의정전척을둘러싸도록고리형상으로연장되어있다. 제 1 통형상부는유전체로구성되고, 포커스링의아래쪽에있어서탑재대의하부전극의외주를따라서연장되고있다. 환상부는유전체로구성되고, 포커스링과제 1 통형상부의사이에마련되어있다. 제 2 통형상부는도전성을갖고, 제 1 통형상부의외주를따라서연장되고있다. 초크부는유전체로구성되고, 포커스링 및환상부를거쳐서제 1 통형상부를전파하는마이크로파를억제한다. 초크부는제 1 통형상부로부터바깥쪽으로돌출하고, 또한, 고리형상으로연장되고있다. 제 2 통형상부는초크부를덮고있다.

Abstract translation: 提供了使用微波的等离子体处理装置。 该装置具有幼苗托盘，聚焦环，第一罐形状单元，环形单元，第二罐形状单元和轴承座单元。 聚焦环被放大成环形以覆盖幼苗托盘的静电卡盘。 第一罐形单元由电介质组成，位于聚焦环下方，并且沿着下电极的外圆周扩大。 环形单元由电介质组成，并且布置在聚焦环和第一罐形状单元之间。 第二罐形状单元具有导电性，并且沿着第一罐形状单元的外周增大。 阻塞单元由电介质组成，并且抑制通过聚焦环和环形单元并扩散第一罐形单元的微波。 轴承座单元从第一罐形单元突出到外部，并且被放大成环形。 第二罐形状单元覆盖轴承座单元。

公开(公告)号：KR100924851B1

公开(公告)日：2009-11-02

申请号：KR1020080109266

申请日：2008-11-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스즈키다카시

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/24 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

Abstract: 전극 표면에 있어서의 전계분포의 불균일을 중심부에서 주연부에 걸쳐 넓은 범위에 걸쳐서 더욱 작게 하고, 극히 균일성이 높은 플라즈마를 생성 가능하게 한다. 상부 전극(300)은 하부 전극을 구성하는 서셉터(116)에 대향하는 전극판(310)과, 전극판의 하부 전극측과는 반대측의 면에 접합해서 전극판을 지지하는 전극지지체(320)를 구비하고, 전극지지체에 있어서의 전극판과의 접합면에, 중심부와 주연부에서 높이가 다른 형상의 공동부(330)를 마련하였다.
플라즈마 처리 장치, 전극, 공동부

公开(公告)号：KR100886028B1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：KR1020070024210

申请日：2007-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  스즈키다카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

Abstract: 전극 표면에 있어서의 전계분포의 불균일을 중심부에서 주연부에 걸쳐 넓은 범위에 걸쳐서 더욱 작게 하고, 극히 균일성이 높은 플라즈마를 생성 가능하게 한다. 상부 전극(300)은 하부 전극을 구성하는 서셉터(116)에 대향하는 전극판(310)과, 전극판의 하부 전극측과는 반대측의 면에 접합해서 전극판을 지지하는 전극지지체(320)를 구비하고, 전극지지체에 있어서의 전극판과의 접합면에, 중심부와 주연부에서 높이가 다른 형상의 공동부(330)를 마련하였다.
플라즈마 처리 장치, 전극, 공동부

Abstract translation: 电极表面上的电场分布的不均匀性在从中心部分到周边部分的宽范围内进一步降低，由此能够以极其均匀的方式产生等离子体。 上部电极300是站着的，与电极板（310）相反的基座116，电极板的下部电极侧，并且接合到表面相对的电极支撑320用于支撑构成下部电极的电极板 并且，在电极支承体和电极板的接合面上设置具有与中央部和周缘部高度不同的形状的中空部330。