公开(公告)号：KR1020070094643A

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：KR1020077017779

申请日：2006-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루이신고 ,  고바야시다카시 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01J37/32862 ,  Y10S438/905

Abstract: A RLSA (Radial Line Slot Antenna) microwave plasma treatment apparatus which radiates a microwave having been introduced from the source of generation of a microwave by the utilization of a RLSA having a great number of slots formed according to a prescribed pattern into a chamber, to form a plasma, wherein the chamber having been contaminated with Na or the like is cleaned by the use of a plasma of a cleaning gas containing an H2 gas and an O2 gas.

Abstract translation: 一种RLSA（径向线槽天线）微波等离子体处理装置，其通过利用具有根据规定图案形成的大量槽的RLSA向室内照射从微波产生源引入的微波， 形成等离子体，其中通过使用含有H 2气体和O 2气体的清洁气体的等离子体来清洗已经被Na等污染的室。

公开(公告)号：KR100886473B1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：KR1020077003045

申请日：2006-01-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  후루이신고 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662

Abstract: 마이크로파 발생 장치(39)로부터 펄스형 마이크로파를, 매칭 회로(38)를 경유하여 도파관(37)에 유도하고, 내부 도체(41)를 통해 평면 안테나 부재(31)에 공급하며, 평면 안테나 부재(31)로부터 마이크로파 투과판(28)을 통해 챔버(1) 내에서 웨이퍼(W)의 위쪽 공간으로 방사시킨다. 평면 안테나 부재(31)로부터 마이크로파 투과판(28)을 경유하여 챔버(1)로 방사된 펄스형 마이크로파에 의해 챔버(1) 내에서 전자계가 형성되고, Ar 가스, H
2 가스, O
2
가스가 플라즈마화되어 웨이퍼(W)에 대하여 산화막의 형성이 행해진다.

公开(公告)号：KR100989974B1

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：KR1020077017779

申请日：2006-01-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후루이신고 ,  고바야시다카시 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01J37/32862 ,  Y10S438/905

Abstract: 소정의 패턴으로 다수의 슬롯이 형성된 평면 안테나(Radial Line Slot Antenna)를 이용하여 마이크로파 발생원으로부터 도입된 마이크로파를 챔버 내에 방사하여 플라즈마를 형성하는 RLSA 마이크로파 플라즈마 처리 장치에 있어서, Na 등으로 오염된 챔버를 H
2 가스와 O
2 가스를 포함하는 클리닝 가스의 플라즈마를 사용하여 클리닝 한다.

公开(公告)号：KR1020070086697A

公开(公告)日：2007-08-27

申请号：KR1020077014617

申请日：2005-12-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시오자와도시히코 ,  후루이신고 ,  고바야시다카시 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/318 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3143 ,  H01L29/7881 ,  H01L21/02252

Abstract: When nitriding a tunnel oxide film in a non-volatile memory device, a nitrided region is formed in the surface portion of the tunnel oxide film by a plasma processing using a process gas containing a nitrogen gas.

Abstract translation: 当在非挥发性存储装置中对隧道氧化膜进行氮化时，通过使用含有氮气的工艺气体进行等离子体处理，在隧道氧化膜的表面部分形成氮化区域。

公开(公告)号：KR100945322B1

公开(公告)日：2010-03-08

申请号：KR1020077021725

申请日：2006-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타가와준이치 ,  후루이신고

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/045 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76235

Abstract: 플라즈마 처리장치의 처리실내에서, 산소의 비율을 1% 이상 포함하는 처리가스를 이용하여, 133.3Pa 이하의 처리압력으로 플라즈마 형성하고, 상기 플라즈마에 의해, 피처리체의 실리콘층에 형성된 오목부에 노출되어 있는 실리콘 표면을 산화하여 실리콘 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 산화막의 형성방법이 개시되어 있다.

公开(公告)号：KR100872260B1

公开(公告)日：2008-12-05

申请号：KR1020067016347

申请日：2005-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시바시기요타카 ,  기타가와준이치 ,  후루이신고 ,  티안카이종 ,  야마시타준 ,  야마모토노부히코 ,  니시즈카데츠야 ,  노자와도시히사 ,  니시모토신야 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 본 발명의 목적은 마이크로파를 이용한 플라즈마 처리장치에 있어서, 투과창을 지지하는 지지부와 상기 투과창과의 접점 근방에서, 강한 전계, 고밀도 플라즈마가 발생하는 것을 억제하여, 처리의 질의 향상을 도모하는 데에 있다.
본 발명에 있어서는 마이크로파의 공급에 의해서 발생한 플라즈마에 의해서, 처리용기(2) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 투과창(20)은 그 하면 중앙 영역에, 투과창(20)과 동일한 재질의 수하부(21)를 갖고 있다. 수하부(21)의 외주면(21a)과, 지지부(6)로부터 이어지는 측벽 내면(5a)과의 사이는 0.5∼10㎜, 더욱 바람직하게는 0.5∼5㎜의 갭 길이를 갖는 간극(d)이 형성되어 있다. 접점(C)에서의 강한 전계, 플라즈마의 발생이 억제되고, 스퍼터된 입자나 라디칼 등이 웨이퍼(W)에 도달하는 양도 억제된다.

Abstract translation: 本发明的目的在于抑制在使用微波的等离子体处理装置中用于支撑透射窗的支撑部和透射窗之间的接触点附近产生强电场和高密度等离子体， 有。

公开(公告)号：KR1020070107142A

公开(公告)日：2007-11-06

申请号：KR1020077021725

申请日：2006-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타가와준이치 ,  후루이신고

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/76

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/045 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76235

Abstract: Disclosed is a method for forming a silicon oxide film. The method is characterized in that a plasma is generated in a process chamber of a plasma processing apparatus using a process gas containing not less than 1% of oxygen at a processing pressure of not more than 133.3 Pa, and a silicon surface exposed in a recessed portion formed in a silicon layer of an object to be processed is oxidized by using the plasma, thereby forming a silicon oxide film.

Abstract translation: 公开了一种形成氧化硅膜的方法。 该方法的特征在于，在处理压力不大于133.3Pa的等离子体处理装置的处理室中使用含有不少于1％的氧的处理气体产生等离子体，并且暴露于凹陷 通过使用等离子体对被处理体的硅层中形成的部分进行氧化，形成氧化硅膜。

公开(公告)号：KR1020070061792A

公开(公告)日：2007-06-14

申请号：KR1020077003045

申请日：2006-01-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시다카시 ,  후루이신고 ,  기타가와준이치

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/31662

Abstract: A pulse-shaped microwave is introduced into a waveguide tube (37) from a microwave generating device (39) through a matching circuit (38), supplied to a planar antenna member (31) through an internal conductor (41) and is emitted from the planar antenna member (31) to a space above a wafer (W) in a chamber (1) through a microwave transmitting plate (28). An electromagnetic field is formed in the chamber (1) by the pulse-shaped microwave emitted from the planar antenna member (31) to the chamber (1) through the microwave transmitting plate (28). Then, Ar gas, H2 gas and O2 gas are brought into the plasma state, and an oxide film is formed on the wafer (W).

Abstract translation: 脉冲形微波从微波产生装置（39）通过匹配电路（38）引入到波导管（37）中，通过内部导体（41）提供给平面天线构件（31），并从 平面天线构件（31）通过微波透射板（28）到达室（1）中的晶片（W）上方的空间。 通过从平面天线构件（31）通过微波透射板（28）发射到室（1）的脉冲形微波，在室（1）中形成电磁场。 然后，使Ar气体，H 2气体和O 2气体进入等离子体状态，并且在晶片（W）上形成氧化物膜。

公开(公告)号：KR1020060108773A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：KR1020067016347

申请日：2005-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시바시기요타카 ,  기타가와준이치 ,  후루이신고 ,  티안카이종 ,  야마시타준 ,  야마모토노부히코 ,  니시즈카데츠야 ,  노자와도시히사 ,  니시모토신야 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: [PROBLEMS] To improve a process quality of a plasma processing apparatus using microwaves, by suppressing generation of a strong magnetic field and a high-density plasma in the vicinity of a contact point of a supporting part, which supports a transmission window, and the transmission window. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The plasma processing apparatus processes a wafer W in a process container (2) by plasma generated by supplying microwaves. The transmission window (20) has a drooping part (21) made of a same material as that of the transmission window (20) in its lower plane center area. A space d, having a gap length of 0.5-10mm, more preferably, 0.5-5mm, is formed between an outer circumference plane (21a) of the drooping part (21) and a side wall inner plane (5a) continued from the supporting part (6). Generation of the strong magnetic field and the plasma at the contact point C is suppressed, and a quantity of sputtered particles, radicals, etc. reaching the wafer W is suppressed.

Abstract translation: [问题]为了提高使用微波的等离子体处理装置的工艺质量，通过抑制支撑透射窗的支撑部的接触点附近的强磁场和高密度等离子体的产生，以及 传输窗口。 解决问题的方法等离子体处理装置通过供给微波产生的等离子体处理处理容器（2）中的晶片W. 传动窗（20）具有在其下平面中心区域由与透射窗（20）相同材料制成的下垂部分（21）。 在下垂部分（21）的外周平面（21a）和从支撑部分（21）延续的侧壁内平面（5a）之间形成有间隙长度为0.5-10mm，更优选为0.5-5mm的空间d 第（6）部分。 抑制了在接触点C处的强磁场和等离子体的产生，并且抑制了到达晶片W的溅射的粒子，自由基等的量。