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公开(公告)号：KR1020130095225A
公开(公告)日：2013-08-27
申请号：KR1020130016217
申请日：2013-02-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , C23F4/00
CPC classification number: H01J37/32926 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32935 , H05H1/46 , H05H2001/4607
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a plasma monitoring method are provided to distinguish the condition of plasma generated by microwaves before monitoring for preventing the process error. CONSTITUTION: A microwave induction device (5) introduces microwave within a treatment basin (2). The microwave induction device includes plural microwave conductor plates (73). A light emitting sensor (92) includes each antenna module (61) of the microwave induction device, and detects the radiation of the specific wave of plasma generated in the treatment basin. A control unit (8) monitors the condition of plasma based on the detection data of the light emitting sensor. [Reference numerals] (24) Adapter; (31) Gas supply source; (4) Exhaustion device; (50) Microwave output unit; (8) Control unit
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体监测方法，以区分在监测之前由微波产生的等离子体的状况，以防止过程误差。 构成：微波感应装置（5）在处理池（2）内引入微波。 微波感应装置包括多个微波导体板（73）。 发光传感器（92）包括微波感应装置的每个天线模块（61），并且检测在处理池中产生的等离子体波的辐射。 控制单元（8）基于发光传感器的检测数据来监视等离子体的状态。 （附图标记）（24）适配器; （31）供气源; （4）排气装置; （50）微波输出单元; （8）控制单元
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公开(公告)号：KR100960424B1
公开(公告)日：2010-05-28
申请号：KR1020077022525
申请日：2006-02-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/24 , H05H1/30 , C23C16/511 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32192
Abstract: 본 발명은 피처리체가 수용되는 챔버와, 상기 챔버 내에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단과, 상기 챔버 내에서 상기 처리 가스의 플라즈마를 형성하는 마이크로파를 발생시키는 마이크로파 발생원과, 마이크로파 발생원에서 발생되는 마이크로파를 상기 챔버를 향해서 유도하는 도파 수단과, 상기 도파 수단에 의해서 유도되는 마이크로파를 상기 챔버를 향해서 방사하는 복수의 마이크로파 방사 구멍을 갖는 도체로 이루어지는 평면 안테나와, 상기 챔버의 천장벽을 구성하며, 상기 평면 안테나의 마이크로파 방사 구멍을 통과한 마이크로파를 투과하는, 유전체로 이루어지는 마이크로파 투과판과, 상기 평면 안테나의 상기 마이크로파 투과판에 대하여 반대쪽에 마련되며, 상기 평면 안테나에 도달하는 마이크로파의 파장을 짧게 하는 기능을 갖는, 유전체로 이루어지는 지파판을 구비한 마이크로파 플라즈마 처리 장치이다. 상기 평면 안테나와 상기 마이크로파 투과판은 그 사이에 실질적으로 공기가 없게 밀착되어 있고, 상기 지파판과 상기 마이크로파 투과판은 동일한 재질로 형성되며, 상기 지파판, 상기 평면 안테나, 상기 마이크로파 투과판, 및, 상기 챔버 내에서 형성되는 상기 처리 가스의 플라즈마에 의해서 형성되는 등가 회로가 공진 조건을 만족한다.
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公开(公告)号：KR1020070108929A
公开(公告)日：2007-11-13
申请号：KR1020077022525
申请日：2006-02-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/24 , H05H1/30 , C23C16/511 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/511 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J37/32798 , H01J2237/3321 , H05H1/46 , H05H2001/4607
Abstract: A microwave plasma processing device comprising a chamber housing therein a material to be processed, a processing gas supplying means for supplying processing gas into the chamber, a microwave generating source for generating microwave forming the processing gas plasma in the chamber, a wave guiding means for guiding microwave generated in the microwave generating source toward the chamber, a flat antenna consisting of a conductor having a plurality of microwave radiating holes for radiating microwave guided by the wave guiding means toward the chamber, a microwave transmitting plate constituting the top wall of the chamber, transmitting microwave passed through the microwave radiating holes of the flat antenna and consisting of a dielectrics, and a delay plate provided on the opposite side of the microwave transmitting plate of the flat antenna, having a function of shortening the wavelength of microwave reaching the flat antenna and consisting of a dielectrics. The flat antenna and the microwave transmitting plate are substantially in close contact with each other with no air therebetween, the delay plate and the microwave transmitting plate are formed of the same material, and the delay plate, the flat antenna, the microwave transmitting plate and an equivalent circuit formed by the processing gas plasma formed in the chamber satisfy a resonance condition.
Abstract translation: 一种微波等离子体处理装置，包括容纳待处理材料的室，用于将处理气体供应到室中的处理气体供给装置，用于产生在室内形成处理气体等离子体的微波的微波发生源，波导装置， 将在微波发生源中产生的微波导向腔室，由具有多个微波辐射孔的导体构成的平面天线，用于将由波导装置引导的微波照射到腔室;构成腔室顶壁的微波透射板 传输通过平坦天线的微波辐射孔并由电介质构成的微波，以及设置在平面天线的微波透射板的相反侧的延迟板，具有缩短微波到达平面的波长的功能 天线，由电介质组成。 扁平天线和微波透射板基本上彼此紧密接触，其间没有空气，延迟板和微波透射板由相同的材料形成，延迟板，平面天线，微波透射板和 由室内形成的处理气体等离子体形成的等效电路满足谐振条件。
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公开(公告)号：KR1020140118853A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：KR1020140035214
申请日：2014-03-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: In a heat process heating a substrate to be processed by introducing microwave into a processing container, the substrate is efficiently cooled down. A microwave heating apparatus (1) has a supporter (13) supporting a wafer W in a processing container (10); a microwave introduction unit (11) introducing microwave into the processing container (10); a refrigerant passage (35) formed inside the supporter (13); and a refrigerant supply source (34) supplying refrigerant to the refrigerant passage (35). A surface of the supporter (13), at least supporting the wafer W, is formed of a material of less than 0.005 which is the production of relative dielectric constant and a dielectric loss angle. The refrigerant supplied from the refrigerant supply source (34) is liquid having no electrical polarity.
Abstract translation: 在通过将微波引入处理容器中来加热待处理的基板的热处理中，基板被有效地冷却。 微波加热装置（1）具有在处理容器（10）中支撑晶片W的支撑件（13）。 微波引入单元（11），将微波引入到处理容器（10）中; 形成在所述支架（13）内的制冷剂通路（35） 以及向制冷剂通路（35）供给制冷剂的制冷剂供给源（34）。 至少支撑晶片W的支撑体（13）的表面由小于0.005的材料形成，这是相对介电常数和介电损耗角的产生。 从制冷剂供给源（34）供给的制冷剂是不具有电极性的液体。
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公开(公告)号：KR1020090058000A
公开(公告)日：2009-06-08
申请号：KR1020097006327
申请日：2007-09-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316 , H01L21/205 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/31662 , H01L21/7621
Abstract: A plasma oxidizing method includes a step of placing an object to be processed and having a surface containing silicon on a susceptor disposed in a processing vessel of a plasma processing apparatus, a step of producing a plasma from a processing gas containing oxygen in the processing vessel, a step of supplying high-frequency electric power to the susceptor and applying a high-frequency bias to the object to be processed when the plasma is produced, and a step of forming a silicon oxide film by oxidizing silicon in the surface of the object to be processed by the plasma.
Abstract translation: 等离子体氧化方法包括将待处理物体放置在等离子体处理装置的处理容器中的基座上的步骤，在处理容器内从含有氧的处理气体生成等离子体的步骤 向基座提供高频电力的步骤，在制造等离子体时向待处理物体施加高频偏压的步骤，以及通过在物体的表面氧化硅来形成氧化硅膜的步骤 由等离子体处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100872260B1
公开(公告)日：2008-12-05
申请号：KR1020067016347
申请日：2005-02-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이시바시기요타카 , 기타가와준이치 , 후루이신고 , 티안카이종 , 야마시타준 , 야마모토노부히코 , 니시즈카데츠야 , 노자와도시히사 , 니시모토신야 , 유아사다마키
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: 본 발명의 목적은 마이크로파를 이용한 플라즈마 처리장치에 있어서, 투과창을 지지하는 지지부와 상기 투과창과의 접점 근방에서, 강한 전계, 고밀도 플라즈마가 발생하는 것을 억제하여, 처리의 질의 향상을 도모하는 데에 있다.
본 발명에 있어서는 마이크로파의 공급에 의해서 발생한 플라즈마에 의해서, 처리용기(2) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 실시하는 플라즈마 처리장치에 있어서, 투과창(20)은 그 하면 중앙 영역에, 투과창(20)과 동일한 재질의 수하부(21)를 갖고 있다. 수하부(21)의 외주면(21a)과, 지지부(6)로부터 이어지는 측벽 내면(5a)과의 사이는 0.5∼10㎜, 더욱 바람직하게는 0.5∼5㎜의 갭 길이를 갖는 간극(d)이 형성되어 있다. 접점(C)에서의 강한 전계, 플라즈마의 발생이 억제되고, 스퍼터된 입자나 라디칼 등이 웨이퍼(W)에 도달하는 양도 억제된다.Abstract translation: 本发明的目的在于抑制在使用微波的等离子体处理装置中用于支撑透射窗的支撑部和透射窗之间的接触点附近产生强电场和高密度等离子体， 有。
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公开(公告)号：KR1020060108773A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：KR1020067016347
申请日：2005-02-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이시바시기요타카 , 기타가와준이치 , 후루이신고 , 티안카이종 , 야마시타준 , 야마모토노부히코 , 니시즈카데츠야 , 노자와도시히사 , 니시모토신야 , 유아사다마키
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32238
Abstract: [PROBLEMS] To improve a process quality of a plasma processing apparatus using microwaves, by suppressing generation of a strong magnetic field and a high-density plasma in the vicinity of a contact point of a supporting part, which supports a transmission window, and the transmission window. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The plasma processing apparatus processes a wafer W in a process container (2) by plasma generated by supplying microwaves. The transmission window (20) has a drooping part (21) made of a same material as that of the transmission window (20) in its lower plane center area. A space d, having a gap length of 0.5-10mm, more preferably, 0.5-5mm, is formed between an outer circumference plane (21a) of the drooping part (21) and a side wall inner plane (5a) continued from the supporting part (6). Generation of the strong magnetic field and the plasma at the contact point C is suppressed, and a quantity of sputtered particles, radicals, etc. reaching the wafer W is suppressed.
Abstract translation: [问题]为了提高使用微波的等离子体处理装置的工艺质量，通过抑制支撑透射窗的支撑部的接触点附近的强磁场和高密度等离子体的产生，以及 传输窗口。 解决问题的方法等离子体处理装置通过供给微波产生的等离子体处理处理容器（2）中的晶片W. 传动窗（20）具有在其下平面中心区域由与透射窗（20）相同材料制成的下垂部分（21）。 在下垂部分（21）的外周平面（21a）和从支撑部分（21）延续的侧壁内平面（5a）之间形成有间隙长度为0.5-10mm，更优选为0.5-5mm的空间d 第（6）部分。 抑制了在接触点C处的强磁场和等离子体的产生，并且抑制了到达晶片W的溅射的粒子，自由基等的量。
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公开(公告)号：KR101475591B1
公开(公告)日：2014-12-22
申请号：KR1020130016217
申请日：2013-02-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , C23F4/00
Abstract: (과제) 처리용기내에복수의부위로부터마이크로파를도입하는방식의플라즈마처리장치에있어서, 복수의마이크로파에의해생성한복수의플라즈마의상태를구별하여모니터링한다. (해결수단) 플라즈마처리장치(1)는, 처리용기(2) 내에마이크로파를도입하는마이크로파도입장치(5)를구비하고있다. 마이크로파도입장치(5)는, 천정부(11)의복수의개구부에감합하는복수의마이크로파투과판(73)을포함하고있다. 발광센서(92)는, 마이크로파도입장치(5)의각 안테나모듈(61)에각각마련되어있다. 발광센서(92)는, 마이크로파투과판(73)을통해서, 마이크로파투과판(73)의직하의처리용기(2) 내에서생성한플라즈마의특정파장의발광을검출한다. 검출대상의파장은, 서로인접하는 2개의마이크로파투과판(73)으로부터각각도입된마이크로파에의해생성되는 2개의플라즈마에있어서의발광강도의비에근거하여선택된다.
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公开(公告)号：KR1020140017431A
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：KR1020130085903
申请日：2013-07-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/268
CPC classification number: H05B6/6402 , H05B6/6491 , H05B6/806
Abstract: The task of the present invention is to provide a microwave irradiation apparatus capable of performing mass production stability and high reproducibility of a process. The microwave irradiation apparatus of the present invention comprises: a processing container (1) for accommodating a substrate (W); a support member (23) for supporting the substrate (W) inside the processing container (1); a microwave introduction apparatus (3) for introducing microwaves inside the processing container (1) by generating the microwaves; a microwave introduction port (10) for introducing the microwaves generated in the microwave introduction apparatus (3) into the processing container (1); an electric field sensor (85) for measuring an electric field formed by the microwaves introduced inside the processing container (1); and a control unit (9) for controlling the power of the microwaves introduced in the processing container (1) through the microwave introduction port (10) from the microwave introduction apparatus (3) based on the electric field measured in the electric field sensor (85). [Reference numerals] (24) Rotation driving part; (25) Elevation driving part; (31) Magnetron; (34) Circulator; (35) Detector; (36) Tuner; (37) Dummy load; (40) High voltage power part; (54) Gas supply device; (72) Exhaustion device; (84) Temperature measuring part; (86) Electric field measuring part; (9) Control part
Abstract translation: 本发明的任务是提供能够进行批量生产稳定性和高再现性的微波照射装置。 本发明的微波照射装置包括：容纳基板（W）的处理容器（1） 用于在处理容器（1）内部支撑衬底（W）的支撑构件（23）; 用于通过产生微波将微波引入处理容器（1）内的微波引入装置（3）; 用于将在微波引入装置（3）中产生的微波引入处理容器（1）的微波引入口（10）; 用于测量由在所述处理容器（1）内部引入的微波形成的电场的电场传感器（85）。 以及控制单元（9），用于基于在电场传感器中测量的电场来控制从微波引入装置（3）通过微波引入口（10）引入处理容器（1）的微波的功率 85）。 （附图标记）（24）旋转驱动部; （25）海拔驱动部分; （31）磁控管; （34）循环器 （35）检测器; （36）调谐器; （37）虚拟负载; （40）高压电源部件; （54）供气装置; （72）排气装置; （84）温度测量部件; （86）电场测量部分; （9）控制部分
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公开(公告)号：KR101089988B1
公开(公告)日：2011-12-05
申请号：KR1020097006327
申请日：2007-09-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316 , H01L21/205 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/31662 , H01L21/7621
Abstract: 플라즈마 산화 처리 방법은 플라즈마 처리 장치의 처리용기내에 배치된 탑재대에 표면에 실리콘을 갖는 피처리체를 탑재하는 것과, 상기 처리용기내에 산소를 포함하는 처리 가스의 플라즈마를 형성하는 것과, 상기 플라즈마의 형성시에, 상기 탑재대에 고주파 전력을 공급하여, 피처리체에 고주파 바이어스를 인가하는 것과, 상기 플라즈마에 의해, 피처리체 표면의 실리콘을 산화해서 실리콘 산화막을 형성하는 것을 포함한다.
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