公开(公告)号：KR100244439B1

公开(公告)日：2000-02-01

申请号：KR1019930021321

申请日：1993-10-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 시라이시마사토시 ,  하마다도모꼬

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67103 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/52 ,  Y10S438/974

Abstract: 반도체 웨이퍼의 소수화 처리를 행하기 위한 어드히젼 장치는, 처리액인 HMDS 를 저류하는 탱크와, 탱크로부터의 HMDS 의 증기 캐리어가스의 혼합처리가스를 웨이퍼의 표면에 공급하여 처리하는 처리용기를 구비한다. 처리용기내에는, 웨이퍼를 처리중에 얹어놓는 얹어놓는대가 배열설치된다. 얹어놓는대에는, 웨이퍼의 온도를 제어하기 위하여, 히이터와, 냉각용수를 통과시키는 냉각통로가 내장된다. 처리용기의 배기관에는, 배기가스중의 HMDS 농도를 측정하는 농도측정부가 배열설치된다. 온도 제어신호는 온도조절부에 전달되고, 온도조절부는 이 신호에 따라서, 히이터로의 공급전류, 또는 냉각통로로의 냉각용수의 공급유량을 조절하고, 얹어놓는부의 온도를 변경한다.

公开(公告)号：KR1019940010221A

公开(公告)日：1994-05-24

申请号：KR1019930021321

申请日：1993-10-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 시라이시마사토시 ,  하마다도모꼬

IPC: H01L21/302

Abstract: 반도체 웨이퍼의 소수화 처리를 행하기 위한 어드히젼 장치는, 처리액인 HMDS를 저류하는 탱크와, 탱크로부터의 HMDS의 증기 캐리어가스의 혼합처리가스를 웨이퍼의 표면에 공급하여 처리하는 처리용기을 구비한다. 처리용기내에는, 웨이퍼를 처리중에 얹어놓는대가 배열설치된다. 얹어놓는대에는, 웨이퍼의 온도를 제어하기 위하여, 히이터와, 냉각용수를 통과시키는 냉각통로가 내장된다. 처리용기의 배기관에는, 배기가스중의 HMDS 농도를 측정하는 농도측정부가 배열설치된다. 온도 제어신호는 온도조절부에 전달되고, 온도조절부는 이 신호에 따라서, 히이터로의 공급전류, 또는 냉각통로로의 냉각용수의 공급유량을 조절하고, 얹어놓는부의 온도를 변경한다.

公开(公告)号：KR101849788B1

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：KR1020120091730

申请日：2012-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다신지 ,  시라이시마사토시 ,  데구치마사토시 ,  요시타카나오토 ,  스기하라신타로 ,  마츠나가마사타카

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707

Abstract: 본발명은지지기판과접합된웨이퍼에휘어짐이나왜곡이생기는것을억제하는것을과제로한다. 피처리웨이퍼(W)와지지웨이퍼(S)를접합하는접합장치(30)는, 내부를밀폐가능한처리용기(100)와, 접착제를통해피처리웨이퍼(W)와지지웨이퍼(S)를눌러접합하는접합부(113)와, 접합부(113)에서접합된중합웨이퍼(T)를온도조절하는중합기판온도조절부로서의전달아암(120)을갖는다. 접합부(113) 및전달아암(120)은처리용기(100) 내에배치되어있다.

公开(公告)号：KR1020130029006A

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：KR1020120091730

申请日：2012-08-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다신지 ,  시라이시마사토시 ,  데구치마사토시 ,  요시타카나오토 ,  스기하라신타로 ,  마츠나가마사타카

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67092 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707

Abstract: PURPOSE: A bonding apparatus, a bonding system, a bonding method and a computer storage medium are provided to prevent the warpage of a substrate. CONSTITUTION: A process chamber(100) is hermetically sealed. A bonding part(113) combines a wafer(W) with a support wafer(S). A polymerization wafer(T) is bonded to the bonding part. A polymerization wafer temperature control part adjusts the polymerization substrate. The bonding part and a transfer arm(120) are arranged in the process chamber.

Abstract translation: 目的：提供接合装置，接合系统，接合方法和计算机存储介质以防止基板翘曲。 构成：处理室（100）被气密密封。 接合部（113）将晶片（W）与支撑晶片（S）组合。 聚合晶片（T）结合到接合部分。 聚合晶片温度控制部分调节聚合基板。 接合部和传送臂（120）布置在处理室中。

公开(公告)号：KR1020080067297A

公开(公告)日：2008-07-18

申请号：KR1020080003815

申请日：2008-01-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아소유타카 ,  시라이시마사토시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67098 ,  G03F7/168 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70625

Abstract: A reflow treatment unit and a reflow treatment method are provided to detect easily an end point of a reflow process by monitoring a state of the reflow process. A reflow treatment unit performs a reflow process for floating and modifying a resist layer by applying a solvent to the resist layer having a pattern formed on a surface of a substrate. The reflow treatment unit includes a process chamber(41) for receiving the substrate. The reflow treatment unit further includes a holding plate(43) for holding the substrate in the process chamber. A solvent supply part is formed to introduce the gas including the solvent into the process chamber. A measurement part is formed to detect modification degree of the resist layer.

Abstract translation: 提供回流处理单元和回流处理方法，通过监视回流处理的状态容易地检测回流处理的终点。 回流处理单元通过向具有形成在基板的表面上的图案的抗蚀剂层施加溶剂来进行浮选和修饰抗蚀剂层的回流处理。 回流处理单元包括用于接收基板的处理室（41）。 回流处理单元还包括用于将基板保持在处理室中的保持板（43）。 形成溶剂供应部分，以将包括溶剂的气体引入处理室。 形成测量部件以检测抗蚀剂层的修饰度。

公开(公告)号：KR101052953B1

公开(公告)日：2011-07-29

申请号：KR1020090014311

申请日：2009-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시라이시마사토시 ,  데라다다카시 ,  아소우유타카 ,  오니시다쓰미 ,  마나베에이지

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 포토레지스트 패턴을 용해하여 소망의 레지스트 패턴을 형성하는 리플로우 처리에 있어서, 생산 효율이 향상하고, 비용을 절감할 수 있는 기판 처리 방법을 제공한다.
본 발명은 기판(G)상에 형성된 포토레지스트 패턴(206)을 용해하여, 새로운 포토레지스트 패턴을 형성하는 기판 처리 방법으로서, 바탕막의 에칭 마스크로서 사용된 상기 포토레지스트 패턴(206)을 소정 시간, 순수(W)에 노출시키는 스텝과, 상기 기판(G)상에 에어를 분사하여, 상기 순수(W)를 제거하는 스텝과, 상기 포토레지스트 패턴(206)을 용제 분위기에 노출시켜 용해하고, 소정 에어리어를 마스크하는 스텝을 실행한다.

Abstract translation: 本发明提供一种基板处理方法，其能够提高生产效率并降低用于通过溶解光致抗蚀剂图案来形成所需抗蚀剂图案的回流处理的成本。

公开(公告)号：KR1020080108264A

公开(公告)日：2008-12-12

申请号：KR1020087024013

申请日：2007-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아소유타카 ,  시라이시마사토시

IPC: G03F7/40 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/40 ,  G03F7/0048 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38 ,  H01L21/0273

Abstract: The flow prompting area (104) of a lower layer film (101) from a resist (103) to a target area (S1) is surface-treated with a surfactant to prompt flow of the resist. When the resist (103) is softened, the softened resist (103) advances toward the flow prompting area (104) to be guided to the target area (S1). The more the resist (103) advances to the target area (S1), the more advancement of the resist (103) toward a not-surface-treated inhibited area (S2) is restricted by its reaction. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 从抗蚀剂（103）到目标区域（S1）的下层膜（101）的流动促进区域（104）用表面活性剂进行表面处理以促进抗蚀剂的流动。 当抗蚀剂（103）软化时，软化抗蚀剂（103）朝着流动提示区域（104）前进，以被引导到目标区域（S1）。 抗蚀剂（103）前进到目标区域（S1）越多，抗蚀剂（103）朝向未表面处理的抑制区域（S2）的进展越多，受其反应的限制。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020130111953A

公开(公告)日：2013-10-11

申请号：KR1020127032885

申请日：2011-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이와츠하루오 ,  기타하라시게노리 ,  시라이시마사토시

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 표면에 있어서, 소정의 패턴에 대응하는 개소에 복수의 개구부가 형성되고, 당해 개구부로부터 이면에 연통되는 유통로가 형성되고, 각 유통로에 있어서의 개구부와 반대측의 단부에는, 당해 각 유통로를 막는 개폐 가능하게 구성된 덮개가 설치되고, 또한 각 유통로에 에칭액이 충전된 템플릿의 표면을, 기판에 밀착시킨다. 이어서, 덮개를 개방 조작하여 각 유통로 내의 공기 배출을 행함으로써 개구부로부터 기판에 대하여 에칭액을 공급하고, 에칭액을 공급할 때에, 템플릿의 유통로의 내면에 배치된 가진 기구를 진동시킴으로써 에칭액을 진동시킨다. 가진 기구는, 평면에서 보아 에칭액이 유통로에서 와류를 형성하도록 배치되어 있다.

公开(公告)号：KR1020080068590A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：KR1020080005754

申请日：2008-01-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아소유타카 ,  시라이시마사토시 ,  타나카시노부

IPC: H01L21/027 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/16 ,  H01L21/0337 ,  H01L29/786

Abstract: A reflow treatment method and a method for manufacturing a TFT are provided to improve etching accuracy by adjusting the volume of a resist. A method for treating a reflow comprises the steps: preparing a substrate having a wiring metal layer, a drain electrode resist mask(211) and a wiring resist mask(231) which are placed on an electrode metal layer and the wiring metal layer respectively; mounting the substrate into a treatment chamber of a reflow treatment unit, applying a solvent on the electrode resist mask and the wiring resist mask and softening them for coating a neighboring region to the electrode metal layer with a strained resist. The volume of the electrode resist mask is 1.5~3 times bigger than the wiring resist mask.

Abstract translation: 提供回流处理方法和制造TFT的方法，以通过调节抗蚀剂的体积来提高蚀刻精度。 一种处理回流的方法包括以下步骤：制备分别放置在电极金属层和布线金属层上的具有布线金属层的基片，漏电极抗蚀剂掩模（211）和布线抗蚀剂掩模（231） 将所述基板安装到回流处理单元的处理室中，在所述电极抗蚀剂掩模和所述布线抗蚀剂掩模上施加溶剂并使其软化，以用应变抗蚀剂将相邻区域涂覆到所述电极金属层。 电极抗蚀剂掩模的体积是布线抗蚀剂掩模的1.5〜3倍。

公开(公告)号：KR1020080066600A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：KR1020080003332

申请日：2008-01-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아소유타카 ,  시라이시마사토시 ,  타나카시노부

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6715 ,  G03F7/3092

Abstract: A reflow treatment apparatus and a reflow treatment method are provided to obtain a sufficient yield by performing a uniform treatment process within a surface of a substrate. A reflow treatment apparatus is used for softening and floating a resist layer on a substrate under solvent environment. A substrate supporting member is formed to support the substrate including the resist layer at a horizontal stance. A solvent environment forming unit is installed relatively, movably, and closely with respect to the substrate supported by the substrate supporting member, in order to form the solvent environment in a space of an upper part of the substrate. The solvent environment forming unit includes a solvent supply hole(55) and a solvent absorbing hole(57).

Abstract translation: 提供回流处理装置和回流处理方法，以通过在基板的表面内进行均匀的处理工艺来获得足够的产量。 回流处理装置用于在溶剂环境下在基板上软化和浮动抗蚀剂层。 形成基板支撑部件，以水平方式支撑包括抗蚀剂层的基板。 溶剂环境形成单元相对于由基板支撑构件支撑的基板相对地，可移动地和紧密地安装，以便在基板的上部的空间中形成溶剂环境。 溶剂环境形成单元包括溶剂供给孔（55）和溶剂吸收孔（57）。