公开(公告)号：KR100307998B1

公开(公告)日：2001-12-01

申请号：KR1019950004417

申请日：1995-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  테루.엔지니아링구가부시끼가이샤

Inventor： 고시료이치로 ,  이와타데루오 ,  이시이노부오 ,  히구치기미히로 ,  고시미즈지시오

IPC: H01L21/3065

Abstract: 처리용기내에서 설치된 피처리체에 대하여 플라즈마 막형성처리등의 플라즈마처리를 행하는 플라즈마 처리방법이 개시된다. 이 방법은, 처리용기내로 불활성가스를 도입하는 제 1 의 공정과, 처리용기내로 불활성가스의 플라즈마를 발생시키는 제 2 의 공정과, 계속하여 처리용기내로 피처리체를 처리하는 처리가스를 도입하는 제 3 의 공정과, 처리용기내로 처리가스의 플라즈마를 발생시켜서 피처리체를 처리하는 제 4 의 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1019950034578A

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：KR1019950004417

申请日：1995-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  테루.엔지니아링구가부시끼가이샤

Inventor： 고시료이치로 ,  이와타데루오 ,  이시이노부오 ,  히구치기미히로 ,  고시미즈지시오

IPC: H01L21/3065

Abstract: 처리용기내에 설치된 피처리체에 대하여 플라즈마 막형성처리등의 플라즈마처리를 행하는 플라즈마 처리방법이 개시된다. 이 방법은, 처리 용기내로 불활성가스를 도입하는 제1의 공정과, 처리용기내로 불활성 가스의 플라즈마를 발생시키는 제2의 공정과, 계속하여 처리용기내로 피처리체를 처리하는 처리가스를 도입하는 제3의 공정과, 처리용기내로 처리가스의 플라즈마를 발생시켜서 피처리체를 처리하는 제4의공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR101695037B1

公开(公告)日：2017-01-10

申请号：KR1020110028709

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토다카시 ,  미즈카미슌스케 ,  오타니류지 ,  히구치기미히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/6831 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  Y10T29/41

Abstract: 본발명은반도체웨이퍼등의기판과, 하부전극의기재또는그 주변의구조물과의사이에서방전이발생하는것을방지할수 있고, 양품률을향상시켜생산성의향상을도모할수 있는플라즈마처리장치및 반도체장치의제조방법을제공한다. 처리챔버와, 처리챔버내에마련되고, 고주파전력이인가되는도전성금속으로이루어지는기재를갖고, 피처리기판이탑재되는탑재대를겸한하부전극과, 처리챔버내에마련되고, 하부전극과대향하도록배치된상부전극과, 하부전극상에, 피처리기판의주위를둘러싸도록배치된포커스링을구비한플라즈마처리장치로서, 하부전극의기재와포커스링 사이에, 전류제어소자를거쳐서전기적인접속을실행하고전위차에따라직류전류를발생시키는전기적접속기구가배치된다.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括处理室; 设置在处理室中的下电极，具有由导电金属制成的基座，高频电源施加到该底座，下电极也用作用于安装目标衬底的安装台; 设置在所述处理室中以与所述下电极相对的上电极; 以及设置在所述下电极上方以围绕所述目标基板的聚焦环。 电连接机构设置在下电极的底座和聚焦环之间，通过电流控制元件将下电极的底座与聚焦环电连接，并根据电位差产生直流电流。

公开(公告)号：KR1020080089256A

公开(公告)日：2008-10-06

申请号：KR1020080028971

申请日：2008-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오토다다시 ,  기쿠치에이이치로 ,  히구마마사카즈 ,  히구치기미히로

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/6875

Abstract: A surface processing method for mounting a stage is provided to form a mounting surface corresponding to a substrate by planarizing the mounting surface. A wafer(W) is transferred into a chamber and is mounted on a mounting surface of the ESC(ElectroStatic Chuck)(S31). A high DC voltage is applied to the electrostatic electrode plate so that the wafer is electrostatically attracted to the mounting surface(S32). A processing gas is turned into plasma in a processing space(S33). The remaining processing gas is exhausted out of the chamber and the wafer is transferred out from the chamber(S34). The integrated time period of the radio frequency electrical power is compared with a predetermined time period(S35).

Abstract translation: 提供了一种用于安装台架的表面处理方法，以通过平坦化安装表面形成与基板相对应的安装表面。 将晶片（W）转移到室中并安装在ESC（静电卡盘）的安装表面上（S31）。 向静电极板施加高的直流电压，使得晶片被静电吸引到安装面（S32）。 在处理空间中处理气体变成等离子体（S33）。 剩余的处理气体从室中排出，并且将晶片从室转出（S34）。 将射频电力的积分时间与预定时间段进行比较（S35）。

公开(公告)号：KR1020110110006A

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：KR1020110028709

申请日：2011-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마모토다카시 ,  미즈카미슌스케 ,  오타니류지 ,  히구치기미히로

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/6831 ,  C23C16/507 ,  C23C16/509 ,  C23C16/5093 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  Y10T29/41 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판과, 하부 전극의 기재 또는 그 주변의 구조물과의 사이에서 방전이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 양품률을 향상시켜 생산성의 향상을 도모할 수 있는 플라즈마 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
처리 챔버와, 처리 챔버내에 마련되고, 고주파 전력이 인가되는 도전성 금속으로 이루어지는 기재를 갖고, 피처리 기판이 탑재되는 탑재대를 겸한 하부 전극과, 처리 챔버내에 마련되고, 하부 전극과 대향하도록 배치된 상부 전극과, 하부 전극상에, 피처리 기판의 주위를 둘러싸도록 배치된 포커스 링을 구비한 플라즈마 처리 장치로서, 하부 전극의 기재와 포커스 링 사이에, 전류 제어 소자를 거쳐서 전기적인 접속을 실행하고 전위차에 따라 직류 전류를 발생시키는 전기적 접속 기구가 배치된다.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括处理室; 设置在处理室中的下电极，具有由导电金属制成的基座，高频电源施加到该底座，下电极也用作用于安装目标衬底的安装台; 设置在所述处理室中以与所述下电极相对的上电极; 以及设置在所述下电极上方以围绕所述目标基板的聚焦环。 电连接机构设置在下电极的底座和聚焦环之间，通过电流控制元件将下电极的底座与聚焦环电连接，并根据电位差产生直流电流。

公开(公告)号：KR1020050058464A

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：KR1020057003051

申请日：2003-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도도시히코 ,  오카모토신 ,  히구치기미히로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/0044 ,  H01L21/3065

Abstract: Argon gas is supplied into a vacuum chamber (1). Keeping this condition, relatively small high-frequency power such as 300W is supplied to a platform (2) (lower electrode) from a high-frequency power supply (11) in order to produce a weak plasma which acts on a semiconductor wafer (W) so as to adjust the condition of charge built up within it (W). During this adjustment, no DC voltage (HV) is applied to an electrostatic chuck (4) for ease of charge movement. Thereafter a direct current voltage is started to be applied to the electrostatic chuck (4), and then strong high-frequency power such as 2000W for a normal processing is supplied to produce a strong plasma, performing a normal processing. Thus, surface arching that possibly occurs in the processed substrate is avoided, improving the productivity compared to the conventional ones.

Abstract translation: 将氩气供应到真空室（1）中。 保持这种状态，从高频电源（11）向平台（2）（下电极）提供相对较小的高频功率（例如300W），以产生作用在半导体晶片（W）上的弱等离子体 ），以便调整其中积聚的电荷的条件（W）。 在该调整期间，为了便于充电移动，不将静电卡盘（4）施加直流电压（HV）。 此后，开始向静电吸盘（4）施加直流电压，然后提供诸如2000W的强大的高频功率进行正常处理以产生强等离子体，进行正常处理。 因此，避免了可能发生在处理过的衬底中的表面拱形，从而提高了与传统衬底相比的生产率。

公开(公告)号：KR100978167B1

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：KR1020080028971

申请日：2008-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오토다다시 ,  기쿠치에이이치로 ,  히구마마사카즈 ,  히구치기미히로

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/6875

Abstract: 본 발명은, 시간과 노력을 절약하면서 기판과 합치하도록 탑재면을 형성할 수 있는 탑재대의 표면 처리 방법을 제공한다. 상기 기판은 기판에 플라즈마 처리를 실시하는 기판 처리 장치의 수용실 내에 배치된 탑재대의 탑재면에 탑재된다. 탑재된 기판은 열팽창된다.

公开(公告)号：KR100782621B1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：KR1020057003051

申请日：2003-08-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도도시히코 ,  오카모토신 ,  히구치기미히로

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/0044 ,  H01L21/3065

Abstract: 진공 챔버(1)내에 Ar 가스를 공급하고, 이 상태에서, 우선 고주파 전원(11)으로부터 탑재대(2)(하부 전극)에, 예컨대 300 W 등의 비교적 낮은 고주파 전력을 공급하여, 약한 플라즈마를 발생시키고, 반도체 웨이퍼(W)에 작용시켜 반도체 웨이퍼(W)의 내부에 축적된 전하의 상태를 조정한다. 이 때, 전하가 이동하기 쉽게 하기 위해, 정전척(4)에의 직류 전압(HV)의 인가를 행하지 않는다. 이 후, 정전척(4)에의 직류 전압의 인가를 개시하고, 그 후 2000 W 등의 통상의 처리용의 높은 고주파 전력을 공급하여, 강한 플라즈마를 발생시키고, 통상의 플라즈마 처리를 행한다. 이에 의해, 피처리 기판에 발생하는 표면 아킹의 발생을 방지하여, 종래와 비교하여 생산성의 향상을 도모할 수 있다.

公开(公告)号：KR100290750B1

公开(公告)日：2001-06-01

申请号：KR1019940025027

申请日：1994-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  동경 엘렉트론 에이티 주식회사

Inventor： 사이토스스무 ,  고시미즈지시오 ,  에구치가즈오 ,  히구치기미히로 ,  데구치요이치

IPC: G01N21/68 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  G01N21/62

Abstract: 개시된 내용은 피처리물상에서 수행되는 플라즈마 처리의 종점을 검출하는 방법 및 플라즈마 처리장치이다. 그 방법은 플라즈마 내의 C
2 에 대하여 특정한 파장대역을 넘는 방출 스펙트럼을 광학적 검출수다에 의하여 검출하는 단계와, 광학적 검출수단에 의하여 검출된 방출 스펙트럼의 방출강도로부터 플라즈마 처리의 종점을 결정하는 단계를 포함하여 구성된다. 장치는 처리실과, 한쌍의 전극과, 광수집기구와 광검출기 및 결정기구를 가진다. 처리실은 감시창을 가진다. 전극은 처리실내에 위치된다. 제1전극은 피처리물을 지지하는데 사용된다. 고주파 전원이 처리가스를 플라즈마로 변환하도록 전극사이에 공급된다. 광수집기구는 감시창을 통한 플라즈마로부터 광을 수집한다. 광학적 검출기는 수집된 광으로부터 방출스펙트럼을 검출한다. 결정기구는 검출된 방출 스펙트럼의 방출강도로부터 플라즈마 처리의 종점을 결정한다. 감시창은 처리실에서 돌출한 원동형 부재의 먼쪽 끝단에 고정된다. 부재는 플라즈마 처리에 의하여 발생된 가스를 빼내기 위한 좁은 가스 통로를 가진다.

公开(公告)号：KR1019950010713A

公开(公告)日：1995-04-28

申请号：KR1019940025027

申请日：1994-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  동경 엘렉트론 에이티 주식회사

Inventor： 사이토스스무 ,  고시미즈지시오 ,  에구치가즈오 ,  히구치기미히로 ,  데구치요이치

IPC: G01N21/68 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  G01N21/62

Abstract: 개시된 내용은 피처리물상에서 수행되는 플라즈마 처리의 종점을 검출하는 방법 및 플라즈마 처리장치이다.
그 방법은 플라즈마 내의 C
2 에 대하여 특정한 파장대역을 넘는 방출 스펙트럼을 광학적 검출수단에 의하여 검출하는 단게와 광학적 검출수단에 의하여 검출된 방출 스펙트럼의 방출강도로부터 플라즈마 처리의 종점을 결정하는 단계를 포함하여 구성된다. 장치는 처리실과 한쌍의 전극과 광수집기구와 광검출기, 및 결정기구를 가진다. 처리실은 감시창을 가진다. 전극은 처리실내에 위치된다. 제1전극은 피처리물을 지지는데 사용된다. 고주파 전원이 처리가스를 플라즈마로 변환하도록 전극사이에 공급된다. 광수집기구는 감시창을 통한 플라즈마로부터 광을 수집한다. 광학적 검출기는 수집된 광으로부터 방출스펙트럼을 검출한다. 결정기구는 검출된 방출 스펙트럼의 방출강도로부터 플라즈마 처리의 종점을 결정한다. 감시창은 처리실에서 돌출한 원통형 부재의 먼쪽 끝단에 고정된다. 부재는 플라즈마 처리에 의하여 발생된 가스를 빼내기 위한 좁은 가스 통로를 가진다.