-
-
公开(公告)号：KR1020140144552A
公开(公告)日：2014-12-19
申请号：KR1020130066670
申请日：2013-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/044 , G06F1/1626 , G06F1/1643 , G06F1/1669 , G06F3/0231 , G06F1/16 , G06F3/00 , G06F3/002
Abstract: 본 개시는 입력부를 구비한 커버장치에 관한 것으로, 휴대용 단말기를 커버하며 입력부를 구비하는 커버장치는, 복수의 영역들로 구획되고, 상기 영역별로 각각의 전극부를 포함하는 커버부와, 상기 커버부에 제공되고, 상기 커버부가 실장되는 상기 단말기로 착탈 가능하게 연결되는 연결면 및 상기 복수의 영역들 중 일부 영역으로 접촉이 발생될 때, 접촉이 발생된 일부 영역의 상기 전극부를 통해 상기 접촉에 따른 입력 신호를 상기 단말기의 터치패널로 전달하는 전극선을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种包括输入单元的盖装置。 盖装置用于覆盖移动终端并且包括输入单元。 盖装置包括：盖单元，其被分成包括各个电极单元的多个区域; 连接表面，其布置在盖单元上并且可拆卸地连接到安装有盖单元的端子; 以及电极线，其通过在区域中的部分区域上发生触摸时发生触摸的部分区域的电极单元，将触摸的触摸输入信号发送到终端的触摸面板。
-
公开(公告)号：KR1020080065455A
公开(公告)日：2008-07-14
申请号：KR1020070002604
申请日：2007-01-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: An apparatus for polishing a substrate is provided to reduce the quantity of used slurry by adjusting the flow of slurry. A substrate maintaining hole for receiving a substrate is formed in a substrate carrier(10). A first platen is disposed to confront one surface of the substrate carrier. A first polishing pad is attached to one surface of the first platen confronting one surface of the substrate carrier. A slurry supply apparatus supplies slurry to one surface of the substrate. A first flow path through which the slurry flows is formed in one surface of the substrate carrier confronting the first platen. The first flow path can be of a radial shape extended from the center of the substrate carrier to the edge of the substrate carrier.
Abstract translation: 提供一种用于抛光基底的装置，通过调节浆料的流动来减少使用的浆料的量。 在衬底载体（10）中形成用于接收衬底的衬底维持孔。 第一压板被设置成面对衬底载体的一个表面。 第一抛光垫附接到面对基板载体的一个表面的第一压板的一个表面。 浆料供给装置将浆料供给到基板的一个表面。 浆料流过的第一流动路径形成在与第一压板相对的基板载体的一个表面中。 第一流路可以是从基板载体的中心延伸到基板载体的边缘的径向形状。
-
公开(公告)号：KR100741468B1
公开(公告)日：2007-07-20
申请号：KR1020060064520
申请日：2006-07-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: A semiconductor device and a fabricating method thereof are provided to improve operation characteristics of the device by irradiating the heat generated from the device through a pin bridge member. A second semiconductor layer and an insulation layer(23) formed on a semiconductor substrate are patterned to form a second semiconductor pattern which exposes a first semiconductor layer. A first epitaxial layer and a second epitaxial layer are formed on the exposed first semiconductor layer and the second semiconductor pattern, respectively, and then are patterned to form a first semiconductor pin(17) and a second semiconductor pin(37) which are connected to each other by a pin bridge member(50).
Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法，以通过经由销桥构件照射由器件产生的热量来改善器件的操作特性。 形成在半导体衬底上的第二半导体层和绝缘层（23）被图案化以形成暴露第一半导体层的第二半导体图案。 第一外延层和第二外延层分别形成在暴露的第一半导体层和第二半导体图案上，然后被图案化以形成第一半导体管脚（17）和第二半导体管脚（37），它们连接到 彼此通过销桥构件（50）彼此连接。
-
公开(公告)号：KR1020070007495A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020050062151
申请日：2005-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/322
CPC classification number: H01L21/3225 , H01L21/02002 , H01L21/324
Abstract: A method for fabricating a silicon wafer is provided to increase the density of vacancy in the bulk of a silicon wafer and improve the density of BMD(bulk micro defect) by depositing a material layer like silicon nitride on the back surface of the silicon wafer and by applying compressive stress to the back surface of the silicon wafer. A material layer is deposited on the back surface of a silicon wafer to apply tensile stress to the front surface of the silicon wafer(S105). An RTA process is performed to generate vacancies in the silicon wafer(S110). A heat treatment is performed on the silicon wafer to deposit an oxygen BMD in the silicon wafer(S115). The material layer is made of a material for applying compressive stress to the back surface of the silicon wafer.
Abstract translation: 提供一种制造硅晶片的方法，以通过在硅晶片的背表面上沉积诸如氮化硅的材料层来提高硅晶片本体中的空位密度并提高BMD的密度（体微缺陷），以及 通过对硅晶片的背面施加压缩应力。 材料层沉积在硅晶片的背表面上以向硅晶片的前表面施加拉伸应力（S105）。 执行RTA处理以在硅晶片中产生空位（S110）。 在硅晶片上进行热处理以在硅晶片中沉积氧气BMD（S115）。 材料层由用于向硅晶片的背面施加压应力的材料制成。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100906014B1
公开(公告)日：2009-07-06
申请号：KR1020070056875
申请日：2007-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/7885 , H01L21/28273 , H01L21/31155 , H01L21/316 , H01L27/115 , H01L29/42332 , H01L29/513 , H01L29/7883
Abstract: 메모리 히스테리시스 특성을 나타냄과 동시에, 신뢰성이 개선된 비휘발성 메모리 소자가 제공된다. 비휘발성 메모리 소자는 반도체 기판, 반도체 기판 상에 형성되며, 절연막 및 절연막 내에 임베디드된 다수의 탄소 나노 크리스탈을 포함하는 전하 트랩 구조물, 및 전하 트랩 구조물 상에 형성된 게이트를 포함한다.
비휘발성, 나노 크리스탈, 이온 주입, 어닐링-
公开(公告)号：KR1020080108826A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：KR1020070056875
申请日：2007-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/7885 , H01L21/28273 , H01L21/31155 , H01L21/316 , H01L27/115 , H01L29/42332 , H01L29/513 , H01L29/7883 , B82Y10/00
Abstract: A non-volatile memory device and a manufacturing method thereof are provided to secure the reliability of device while maintaining the excellent memory hysteresis characteristic. A non-volatile memory device comprises the semiconductor substrate(100), the charge trap structure(150) and the gate(160). The charge trap structure is formed on the semiconductor substrate. The charge trap structure comprises the insulating layer and a plurality of carbon nano crystals embedded within the insulating layer. The gate is formed on the charge trap structure. The plurality of carbon nano crystals are separated from the gate and the semiconductor substrate. The tunneling insulating layer is positioned between the semiconductor substrate and the plurality of carbon nano crystals.
Abstract translation: 提供了一种非易失性存储器件及其制造方法，以确保器件的可靠性，同时保持优异的存储器滞后特性。 非易失性存储器件包括半导体衬底（100），电荷陷阱结构（150）和栅极（160）。 电荷陷阱结构形成在半导体衬底上。 电荷陷阱结构包括绝缘层和嵌入绝缘层内的多个碳纳米晶体。 栅极形成在电荷陷阱结构上。 多个碳纳米晶体与栅极和半导体衬底分离。 隧道绝缘层位于半导体衬底和多个碳纳米晶体之间。
-
公开(公告)号：KR1020070059259A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020050117908
申请日：2005-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/67742 , H01L21/67242 , H01L21/68707
Abstract: A semiconductor substrate transferring apparatus is provided to safely transfer the semiconductor substrate along a set path and accurately guide the substrate on a set portion of substrate processing equipment. A blade(130) extends from a transfer arm(120) for transferring a semiconductor substrate, and supports the semiconductor substrate in a horizontal direction. A light emitting part(140) is disposed on one side of the blade to illuminate light in a horizontal direction crossing a transfer path of the semiconductor substrate. A light receiving part(150) is disposed opposite to the light emitting part to generate an electric signal according to the light interfered or illuminated by passage of the semiconductor substrate. A drive part(110) adjusts an angle of the blade.
Abstract translation: 半导体衬底传送装置被设置为沿着设定路径安全地传送半导体衬底，并且将衬底精确地引导到衬底处理设备的设置部分上。 刀片（130）从用于传送半导体衬底的传送臂（120）延伸，并且在水平方向上支撑半导体衬底。 发光部分（140）设置在叶片的一侧上以照射与半导体衬底的传送路径交叉的水平方向的光。 光接收部分（150）与发光部分相对设置，以根据半导体衬底通过的干扰或照亮的光产生电信号。 驱动部分（110）调节叶片的角度。
-
公开(公告)号：KR100708607B1
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：KR1020060000357
申请日：2006-01-03
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 양쪽 키패드를 갖는 이동 통신 단말기에 관한 것으로, 종래의 이동 통신 단말기는 표시창 아래에 키패드가 설치되기 때문에, 쿼티형으로 키패드를 설치할 경우 키패드 크기가 작아 문자 입력이 쉽지 않고 문자 입력중 오타가 빈번히 발생될 수 있다. 이와 같은 문제점을 해소하기 위해서, 본 발명은 앞면의 왼쪽에 왼쪽 키패드가 설치된 제 1 본체와, 제 1 본체의 앞면에 좌우로 이동할 수 있도록 결합되고 앞면의 왼쪽에 표시창이 오른쪽에 오른쪽 키패드가 설치된 제 2 본체를 포함하는 양쪽 키패드를 갖는 이동 통신 단말기를 제공한다. 본 발명에 따르면, 제 2 본체가 슬라이딩 이동하기 전에는 바 타입의 통상적인 이동 통신 단말기로 사용할 수 있다. 그리고 제 2 본체가 슬라이드 다운되어 제 1 본체의 좌측 키패드가 노출된 경우, 표시창을 중심으로 양쪽에 키패드가 배치되기 때문에, 양손을 이용하여 용이하게 문자를 입력할 수 있다. 특히 양쪽에 배치된 키패드는 각각 문자 입력에 필요한 정도로 충분한 크기로 제공된다.
쿼티(qwerty), 키패드, 양쪽, 슬라이드, 단말기Abstract translation: 本发明涉及一种具有两个键盘的移动通信终端，在传统的移动通信终端中，键盘被安装在显示窗口下，因此，当以码头形式安装键盘时， 它可能经常发生。 为了解决上述问题，本发明被耦合，以便可移动的第一主体，左小键盘安装在正面的左侧，左侧和右侧上的控制台显示窗口的前面是右侧的小键盘被安装在右侧的前部的左侧 本发明提供了一种具有包括主体的两个键盘的移动通信终端。 根据本发明，在第二机身滑动之前，它可以用作传统的条形移动通信终端。 当第二主体滑下并且第一主体的左键盘暴露时，由于键盘布置在显示窗口的两侧，所以可以使用双手容易地输入字符。 特别是，设置在两侧的小键盘的尺寸足以用于字符输入。
-
公开(公告)号：KR1020140091297A
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：KR1020130003396
申请日：2013-01-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/044 , G06F3/0418 , G06F3/0416
Abstract: The present invention relates to an electronic device and method to control touch sensitivity on the electronic device. The method to control the touch sensitivity includes: estimating in consideration to at least one of the location information on the electronic device, and humidity and temperature changes whether a water layer is formed on the surface of a touchscreen; and adjusting the touch detection sensitivity of the touchscreen when it is estimated that the water layer is formed on the surface of the touchscreen.
Abstract translation: 本发明涉及一种控制电子设备上的触摸灵敏度的电子设备和方法。 控制触摸灵敏度的方法包括：考虑到电子设备上的位置信息中的至少一个，以及在触摸屏的表面上是否形成水层的湿度和温度变化; 以及当估计在触摸屏的表面上形成水层时，调整触摸屏的触摸检测灵敏度。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.021 seconds)
