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公开(公告)号：KR100512939B1
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：KR1020030046982
申请日：2003-07-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76229
Abstract: 트렌치 소자분리 방법을 제공한다. 상기 방법은 셀 어레이 영역과 주변회로 영역이 구비된 반도체 기판을 제공하고, 상기 반도체 기판에 트렌치를 형성하되, 상기 셀 어레이 영역 내에 셀 트렌치를 그리고, 상기 주변회로 영역 내에 상기 셀 트렌치 보다 넓은 주변회로 트렌치를 형성하는 것을 구비한다. 상기 셀 및 주변회로 트렌치들이 형성된 반도체 기판 전면에 상기 셀 및 주변회로 트렌치들을 일부 채우는 제 1 절연막을 형성한다. 상기 제 1 절연막이 형성된 반도체 기판 상에 상기 셀 어레이 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 노출된 셀 어레이 영역의 셀 트렌치 측벽에 형성된 제 1 절연막을 식각한다. 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고, 상기 포토레지스트 패턴이 제거된 반도체 기판 전면에 상기 셀 및 주변회로 트렌치들을 채우는 제 2 절연막을 형성한다. 상술한 방법에 따르면, 셀 트렌치 소자분리막을 보이드 없이 형성할 뿐 아니라, 주변회로 트렌치에 인접한 게이트 절연막에 언더컷이 없는 트렌치 소자분리를 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020170050056A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020150151100
申请日：2015-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/033 , H01L21/027 , H01L21/306 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/3081 , H01L21/02115 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L29/6656 , H01L29/66795
Abstract: 본발명의기술적사상에의한반도체소자의패턴형성방법은, 피식각층이형성된기판을준비하는단계, 피식각층상에제1 밀도를갖는하부마스크층및 제1 밀도보다낮은제2 밀도를갖는상부마스크층으로구성된마스크패턴을형성하는단계, 마스크패턴의측벽에하부마스크층및 상부마스크층을덮는스페이서를형성하는단계, 마스크패턴을제거하는단계및 스페이서를식각마스크로이용하여, 피식각층을식각하는단계를포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 根据本发明的技术特征的半导体器件的图案形成方法，包括：准备在蚀刻层形成的基板，蚀刻具有第二密度比下部掩模层下部和第一密度的顶部的步骤对每个层掩模的第一密度 通过形成由层的掩模图案，用于覆盖下部掩模层和在掩模图案的侧壁上的掩模层形成间隔，所述方法和间隔件以除去所述掩模图案作为蚀刻掩模，蚀刻所述各个层的蚀刻 该方法包括以下步骤：
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公开(公告)号：KR1020050006983A
公开(公告)日：2005-01-17
申请号：KR1020030046982
申请日：2003-07-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76229
Abstract: PURPOSE: A trench isolation method is provided to form a cell trench isolation layer without a void and embody a trench isolation without an undercut in a gate insulation layer adjacent to a trench in a peripheral circuit region by making a part of trenches in a cell region and the peripheral circuit region filled with the first insulation layer and by selectively etching the first insulation layer formed on the sidewall of the cell trench while using a photoresist pattern. CONSTITUTION: A semiconductor substrate(100) is prepared which includes a cell array region and a peripheral circuit region. A trench is formed in the semiconductor substrate, wherein a cell trench(130) is formed in the cell array region and a peripheral circuit trench(150) broader than the cell trench is formed in the peripheral circuit region. The first insulation layer(600) is formed on the semiconductor substrate having the cell trench and the peripheral circuit trench to fill a part of the cell trench and the peripheral circuit trench. A photoresist pattern(700) exposing the cell array region is formed on the semiconductor substrate having the first insulation layer. The first insulation layer formed on the cell trench sidewall in the exposed cell array region is etched. The photoresist pattern is removed. The second insulation layer is formed on the semiconductor substrate to fill the cell trench and the peripheral circuit trench.
Abstract translation: 目的：提供沟槽隔离方法以形成没有空隙的电池沟槽隔离层，并且通过在电池区域中形成沟槽的一部分，在与外围电路区域中的沟槽相邻的栅绝缘层中实现沟槽隔离 并且外围电路区填充有第一绝缘层，并且通过在使用光致抗蚀剂图案的同时选择性地蚀刻形成在电池槽的侧壁上的第一绝缘层。 构成：制备包括电池阵列区域和外围电路区域的半导体衬底（100）。 在半导体衬底中形成沟槽，其中在单元阵列区域中形成单元沟槽（130），并且在外围电路区域中形成比单元沟槽宽的外围电路沟槽（150）。 第一绝缘层（600）形成在具有单元沟道和外围电路沟槽的半导体衬底上，以填充单元沟槽和外围电路沟槽的一部分。 在具有第一绝缘层的半导体衬底上形成露出电池阵列区的光致抗蚀剂图案（700）。 蚀刻形成在暴露的单元阵列区域中的单元沟槽侧壁上的第一绝缘层。 去除光致抗蚀剂图案。 第二绝缘层形成在半导体衬底上以填充电池沟槽和外围电路沟槽。
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公开(公告)号：KR1020040040734A
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：KR1020020068934
申请日：2002-11-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/316
Abstract: PURPOSE: A method for forming an insulating layer is provided to compensate the adhesive force between a lower thin film and a flowable oxide layer by performing a surface treatment on the lower thin film. CONSTITUTION: A surface treatment is performed on a substrate(10). At this time, the substrate has a plurality of metal lines(12). Flowable oxide is then supplied to the entire surface of the resultant structure for forming a flowable oxide layer(14). Preferably, an oxidation process or nitridation process is used as the surface treatment. Preferably, the oxidation process is one selected from a group consisting of an oxygen plasma process, an oxygen hard bake process, or a cleaning process. Preferably, the nitridation process is one selected from a group consisting of an ammonia plasma process, a nitrogen hard bake process, or a cleaning process.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成绝缘层的方法，通过对下部薄膜进行表面处理来补偿下部薄膜和可流动氧化物层之间的粘合力。 构成：在基材（10）上进行表面处理。 此时，基板具有多个金属线（12）。 然后将可流动的氧化物提供到所得结构的整个表面，以形成可流动的氧化物层（14）。 优选地，使用氧化工艺或氮化工艺作为表面处理。 优选地，氧化工艺是选自氧等离子体工艺，氧气硬烘焙工艺或清洁工艺中的一种。 优选地，氮化工艺是选自氨等离子体工艺，氮硬烘烤工艺或清洁工艺中的一种。
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公开(公告)号：KR1020000002103A
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019980022679
申请日：1998-06-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B65G37/02
Abstract: PURPOSE: A manufacturing system for manufactures is provided to add or subtract a unit operating process from an assembling part, an inspecting part, or a packing part according to a change of the kind and the model of the manufacture. CONSTITUTION: A manufacturing system for a manufacture comprises:a loading unit(151) containing plural rotational rollers on a couple of fixing stands for loading and transferring an assembled material; plural supporting stands(133) perpendicularly installed on the fixing stand of the loading unit for facing the ground; and wheels installed in the bottom ends of each supporting stand.
Abstract translation: 目的：根据制造类型和型号的变化，提供制造商制造系统，从组装部件，检查部件或包装部件中增加或减少单元操作过程。 构成：用于制造的制造系统包括：装载单元（151），其在多个固定架上容纳多个旋转辊，用于装载和传送组装的材料; 垂直安装在装载单元的用于面对地面的固定台上的多个支撑架（133） 和安装在每个支撑架底端的轮子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110055246A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020090112188
申请日：2009-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/91
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to prevent the bridge of a capacitor due to excessive etch in a capacitor support stand by forming the capacitor support stand made of materials with a low etching selectivity in comparison to an etch stop layer. CONSTITUTION: A mold oxide layer is formed on a semiconductor substrate. A support stand layer(150) made of materials with durability against the wet etch and high tensile stress is formed on the mold oxide layer. A plurality of holes are formed to expose a conductive layer on the semiconductor substrate by etching the mold oxide layer and the support stand layer. A plurality of bottom electrodes(142) are formed by coating the conductive materials on the inner wall of the hole. A plurality of capacitor support stands are formed by etching the support stand layer with a preset pattern. The plurality of capacitor support stands connect the adjacent bottom electrodes with a stripe shape. A dielectric layer and a top electrode(146) are formed on the bottom electrode.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，通过与蚀刻停止层相比形成由具有低蚀刻选择性的材料制成的电容器支撑架，以防止由于电容器支撑架中的过度蚀刻引起的电容器的桥接。 构成：在半导体衬底上形成模具氧化物层。 在模具氧化物层上形成由具有耐湿蚀刻和高拉伸应力的耐久性的材料制成的支撑架层（150）。 形成多个孔，以通过蚀刻模具氧化物层和支撑架层来暴露半导体衬底上的导电层。 通过将导电材料涂覆在孔的内壁上形成多个底部电极（142）。 通过以预设图案蚀刻支撑架层来形成多个电容器支撑架。 多个电容器支撑架将相邻的底部电极连接成条状。 电介质层和顶部电极（146）形成在底部电极上。
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公开(公告)号：KR100327000B1
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：KR1019990032127
申请日：1999-08-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B65G37/02
CPC classification number: B23P21/004 , F24F1/00 , Y10T29/49829 , Y10T29/5196 , Y10T29/53113 , Y10T29/53365 , Y10T29/534 , Y10T29/53435 , Y10T29/53539
Abstract: 본발명에의한공기조화기의생산라인은, 실내기와실외기를양산할수 있도록작업대가구비된공기조화기의생산라인에있어서, 상기작업대는, 팰릿공급구간과, 상기팰릿공급구간의일측에부품조립구간, 냉매튜브진공형성및 냉매주입구간, 냉매주입용튜브제거구간, 콘트롤부조립구간, 냉매누설검사구간, 캐비넷조립구간, 포장구간, 출하및 적재구간의수순으로설치되는실외기작업부와, 상기팰릿공급구간의타측에제1팰릿이송구간, 부품조립구간, 소음검사구간, 제2팰릿이송구간, 포장구간, 출하및 적재구간의수순으로연결되며또한상기실외기작업부의부품조립구간에서캐비넷조립구간까지일체로설치되는실내기작업부와, 상기실외기작업부의캐비넷조립구간과포장구간과의사이에설치되며또한실내기작업부의제2팰릿이송구간과포장구간과의사이에설치되어상기실외기와실내기를동시성능검사하는성능검사구간과, 상기성능검사구간과실외기작업부의포장구간과의사이에설치되며또한성능검사구간과실내기작업부의포장구간과의사이에설치되어상기실외기와실내기가팰릿으로부터분리및 각각이송되게하는완제품이송및 분리구간으로구성된것을특징으로있으므로, 설치공간및 설비비를줄일수 있음은물론, 라인별롯(LOT) 구성시간을짧게할수 있고, 또성능검사와완제품이송및 분리공정을빠르게진행시킬수 있는것이다.
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公开(公告)号：KR1019990085892A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019980018586
申请日：1998-05-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 분리형 에어컨의 실외기를 생산하기 위한 조립 시스템과 이 조립 시스템을 이용한 실외기의 조립 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 조립 시스템은 조립하기 위한 조립 섹션과, 조립 섹션에서 조립된 실외기에 냉매를 주입하기 위한 냉매 주입 섹션과, 냉매 주입 섹션에서 냉매 주입이 완료된 실외기를 검사하기 위한 검사 섹션, 및 검사 섹션에서 검사가 완료된 실외기를 포장하여 출하하기 위한 포장 섹션을 포함하며, 조립되는 실외기는 대차에 탑재되어 이동된다. 또한, 본 발명에 따른 조립 방법은 이동되는 대차 상에서 실외기를 조립하는 단계와, 조립된 실외기에 냉매를 주입하는 단계와, 냉매 주입이 완료된 실외기를 검사하는 단계, 및 검사가 완료된 실외기를 포장하여 출하하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101979752B1
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：KR1020120047003
申请日：2012-05-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28 , H01L27/108 , H01L21/8242
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