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公开(公告)号：KR1020080048195A
公开(公告)日：2008-06-02
申请号：KR1020060118233
申请日：2006-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사 , 국민대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/0021 , G03F7/0755 , G03F7/165 , H01L51/0023
Abstract: A method for forming a conductive polymer pattern is provided to improve the adhesive strength to an oxide layer and to enhance the precision of patterning. A method for forming a conductive polymer pattern comprises the steps of forming a self-assembly monolayer(30) on a substrate(10); patterning the self-assembly monolayer; forming a catalyst layer(60) on the self-assembly monolayer; and forming a conductive polymer layer on the self-assembly monolayer. Preferably an insulation layer(20) is formed between the substrate and the self-assembly monolayer. Preferably the conductive polymer layer is made of a polythiophene-based material or a polyaniline-based material.
Abstract translation: 提供形成导电聚合物图案的方法以改善对氧化物层的粘合强度并提高图案化的精度。 形成导电聚合物图案的方法包括以下步骤：在基底（10）上形成自组装单层（30）; 图案化自组装单层; 在所述自组装单层上形成催化剂层（60）; 并在自组装单层上形成导电聚合物层。 优选地，在衬底和自组装单层之间形成绝缘层（20）。 优选地，导电聚合物层由基于聚噻吩的材料或基于聚苯胺的材料制成。
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公开(公告)号：KR101122228B1
公开(公告)日：2012-03-19
申请号：KR1020040085683
申请日：2004-10-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/3279 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L51/0023 , H01L51/56
Abstract: The invention provides a thin film transistor (TFT) array panel that includes an insulating substrate; a gate line formed on the insulating substrate and having a first layer of an Al containing metal, a second layer of a Cu containing metal that is thicker than the first layer, and a gate electrode; a gate insulating layer arranged on the gate line; a semiconductor arranged on the gate insulating layer; a data line having a source electrode and arranged on the gate insulating layer and the semiconductor; a drain electrode arranged on the gate insulating layer and the semiconductor and facing the source electrode; a passivation layer having a contact hole and arranged on the data line and the drain electrode; and a pixel electrode arranged on the passivation layer and coupled with the drain electrode through the contact hole.
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公开(公告)号：KR101061850B1
公开(公告)日：2011-09-02
申请号：KR1020040071612
申请日：2004-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/3276 , Y10S438/924
Abstract: 본 발명은, 액정 표시 장치 또는 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배선으로서, 몰리브덴(Mo)에 니오븀(Nb), 바나듐(V) 또는 티타늄(Ti)을 소정량 첨가한 몰리브덴 합금층과 알루미늄층의 적층구조를 형성함으로써, 기존의 순수 몰리브덴(Mo)을 이용한 경우보다 몰리브덴 합금층과 알루미늄층의 상대적인 식각속도 차이의 감소로 인하여 식각시 언더컷, 오버행 및 마우스 바이트 등이 형성되지 않는 동시에, 반도체층 또는 화소 전극과의 접촉특성도 개선되는 것을 특징으로 하는 저저항성 및 내화학성을 동시에 갖춘 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
몰리브덴 합금, 니오븀, 바나듐, 티타늄, 비저항, 식각속도, 언더컷-
公开(公告)号：KR101054344B1
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：KR1020040093887
申请日：2004-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 본 발명은, 절연 기판, 상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 마주하고 있는 드레인 전극 및 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며, 상기 게이트선과 상기 데이터선 및 드레인 전극 중 적어도 어느 하나는 도전성 산화막으로 이루어진 제1 도전층 및 구리를 포함하는 제2 도전층을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법을 제공한다.
게이트선, 데이터선, 구리(Cu), 비저항, 도전성 산화막-
公开(公告)号：KR1020070053487A
公开(公告)日：2007-05-25
申请号：KR1020050111320
申请日：2005-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/13458 , G02F1/1368 , G02F2001/13625 , H01L27/1288
Abstract: 표시기판의 품질과 제조 공정의 생산성을 향상시키는 표시기판의 제조 방법이 개시된다. 표시기판의 제조 방법은 베이스 기판 위에 형성된 제1 포토레지스트 패턴이 제공하는 게이트 패턴 영역에 전해도금(electroplating)방식으로 구리를 도금하여 다층 구조의 게이트 패턴을 형성하는 단계와, 게이트 패턴 위에 소스 패턴을 형성하는 단계와, 소스 패턴이 형성된 베이스 기판 위에 투명 도전층을 형성하는 단계와, 투명 도전층을 식각하여 드레인 전극과 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 표시기판의 응답속도가 향상되고 구리층의 습식식각공정이 생략되어 표시기판의 제조 공정의 생산성이 향상된다.
구리, 게이트, 전해도금, 패턴, 습식식각-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070053472A
公开(公告)日：2007-05-25
申请号：KR1020050111290
申请日：2005-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/13458 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/1288
Abstract: 작동의 신뢰성이 향상된 표시기판 및 이의 제조 방법이 개시된다. 표시기판은 베이스 기판, 베이스 기판 위에 알루미늄층과 알루미늄층 위에 산화알루미늄층 및 산화알루미늄층 위에 실링층을 포함하는 다층 구조로 형성된 게이트 배선, 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하며 소스 금속층으로 형성된 소스 배선, 다층 구조의 게이트 배선으로부터 연장된 게이트 전극과 소스 배선으로부터 연장된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 스위칭 소자 및 드레인 전극에 연결된 화소 전극을 포함한다. 따라서, 게이트 배선 및 게이트 전극에 힐락의 발생이 억제되어 표시기판의 작동의 신뢰성이 향상된다.
양극 산화, 게이트 배선, 힐락, 알루미늄, 산화알루미늄-
公开(公告)号：KR1020070019454A
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020050074449
申请日：2005-08-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1262 , G02F1/1368 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법이 제공된다. 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은 기판 상에 게이트 전극, 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계와, 박막 트랜지스터 상에 보호막을 형성하는 단계와, 보호막 상에 박막 트랜지스터 영역에 위치하는 제1 영역 및 화소 영역에 위치하고 제1 영역보다 두께가 얇은 제2 영역을 포함하며, 컨택홀을 정의하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 보호막에 컨택홀을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴의 제2 영역을 선택적으로 제거하는 단계와, 결과물의 전면에 도전성 산화물을 증착하여, 컨택홀을 통하여 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계 및 제2 영역이 제거된 포토레지스트 패턴 및 포토레지스트 패턴 상에 존재하는 도전성 산� ��막을 포토레지스트 스트리퍼를 이용하여 제거하는 단계를 포함하되, 도전성 산화물을 증착하기 전 및/또는 후에 제2 영역이 제거된 포토레지스트 패턴을 열처리하는 단계를 포함한다.
박막 트랜지스터, 리프트 오프법, 액정 표시 장치-
公开(公告)号：KR1020070017818A
公开(公告)日：2007-02-13
申请号：KR1020050072425
申请日：2005-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/1368 , H01L27/1218 , H01L27/1262
Abstract: 힐락 현상을 방지할 수 있는 배선을 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 이의 배선 제조 방법이 제공된다. 박막 트랜지스터 기판은 기판 상에 형성된 게이트 배선과, 게이트 배선 상에 형성된 투명 산화막 재질의 캡핑층을 구비하는 배선 구조를 포함한다.
박막 트랜지스터, 캡핑, 힐락(hillock)-
公开(公告)号：KR1020060122382A
公开(公告)日：2006-11-30
申请号：KR1020050044802
申请日：2005-05-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: A wiring for a display device, a thin film transistor substrate comprising the same, and a method for manufacturing the thin film transistor substrate are provided to improve the resistance and the adhesion of the wiring, by respectively forming different conductive oxide layers on upper and lower surfaces of a conductive layer. A first signal line and a second signal line(171) are formed above a substrate(110), wherein the first and second signal lines cross each other. A thin film transistor is electrically connected to the first signal line and the second signal line. A pixel electrode(191) is electrically connected to the thin film transistor. At least one of the first and second signal lines has a first conductive layer(171p) of polycrystalline oxide, a second conductive layer(171q) including silver, and a third conductive layer(171r) of amorphous conductive type of oxide.
Abstract translation: 提供了一种用于显示装置的布线，包括该布线的薄膜晶体管基板和用于制造薄膜晶体管基板的方法，以通过在上部和下部分别形成不同的导电氧化物层来提高布线的电阻和粘附力 导电层的表面。 第一信号线和第二信号线（171）形成在衬底（110）上方，其中第一和第二信号线彼此交叉。 薄膜晶体管电连接到第一信号线和第二信号线。 像素电极（191）电连接到薄膜晶体管。 第一和第二信号线中的至少一个具有多晶氧化物的第一导电层（171p），包含银的第二导电层（171q）和非晶导体类型的氧化物的第三导电层（171r）。
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公开(公告)号：KR1020060053505A
公开(公告)日：2006-05-22
申请号：KR1020040093887
申请日：2004-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 본 발명은, 절연 기판, 상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 소스 전극을 포함하는 데이터선 및 상기 소스 전극과 마주하고 있는 드레인 전극 및 상기 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극을 포함하며, 상기 게이트선과 상기 데이터선 및 드레인 전극 중 적어도 어느 하나는 도전성 산화막으로 이루어진 제1 도전층 및 구리를 포함하는 제2 도전층을 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법을 제공한다.
게이트선, 데이터선, 구리(Cu), 비저항, 도전성 산화막
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