公开(公告)号：KR1020100135469A

公开(公告)日：2010-12-27

申请号：KR1020090053852

申请日：2009-06-17

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 서수정 ,  임승규 ,  나성훈 ,  김진수 ,  김종천 ,  김태성 ,  주범석 ,  이광근 ,  장재권

IPC: H01C10/32 ,  H01C1/012

Abstract: PURPOSE: A high resistance cermet resistor and a forming method thereof are provided to prevent hypoxia by selectively performing anodizing process after a deposition process. CONSTITUTION: A first photoresist pattern is formed on a substrate(10). A metal electrode(30) is deposited on the front of a substrate. A first photo resistor pattern is removed from the substrate. A second photo resist pattern is formed on the substrate without a resistor formation position. A mixture is deposited on the front of the substrate and is made of active material and stable metal. A cermet resistor(60) is formed by anodizing the mixture. A second photoresist pattern is removed from the substrate.

Abstract translation: 目的：提供高电阻金属陶瓷电阻器及其形成方法，以在沉积工艺之后选择性地进行阳极氧化处理来防止缺氧。 构成：在衬底（10）上形成第一光致抗蚀剂图案。 金属电极（30）沉积在基板的前面。 从衬底去除第一光电阻图案。 在基板上形成第二光刻胶图案，而不形成电阻器形成位置。 混合物沉积在基材的前面，并由活性材料和稳定的金属制成。 通过阳极氧化混合物形成金属陶瓷电阻（60）。 从衬底去除第二光致抗蚀剂图案。

公开(公告)号：KR101044973B1

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：KR1020090053852

申请日：2009-06-17

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 서수정 ,  임승규 ,  나성훈 ,  김진수 ,  김종천 ,  김태성 ,  주범석 ,  이광근 ,  장재권

IPC: H01C10/32 ,  H01C1/012

Abstract: 본 발명은 고저항체로 사용할 수 있는 고저항 서멧 저항체 및 그 형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 고저항 서멧 저항체의 형성방법은, 고저항체로 사용되는 서멧 저항체를 형성하는 방법에 있어서, 양극산화가 쉽게 이루어지는 활성물질과 양극산화에 안정한 안정금속을 함께 증착하여 혼합체를 형성하고, 상기 혼합체를 양극산화하여 상기 활성물질만 선택적으로 산화된 서멧을 형성하는 것을 특징으로 한다. 또한 본 발명에 의한 고저항 서멧 저항체는 양극산화가 쉽게 이루어지는 활성물질을 양극산화한 산화물을 기반으로 하여 양극산화에 안정한 안정금속 입자가 분산된 상태의 서멧으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 증착공정을 실시한 뒤에 양극산화공정을 실시하여 산소결핍의 문제를 방지함으로써, 뛰어난 열안정성 및 고주파특성을 갖는 고저항체를 제조할 수 있으며, 서멧을 직접 증착하지 않기 때문에 증착과정에서 옥사이드 타겟 또는 산소기체를 사용하지 않음으로써, 증착용 챔버의 오염을 막을 수 있는 효과가 있다.
양극산화, 애노다이징, 서멧, cermet, 저항