-
公开(公告)号：KR101016729B1
公开(公告)日：2011-02-25
申请号：KR1020090014518
申请日：2009-02-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 열안정성이 우수하며 높은 저항값을 가지는 세라믹-금속 나노복합체를 이용한 박막 내장형 저항체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 박막 내장형 저항체는 세라믹-금속 나노복합체를 이용하여 제조됨으로써 산화 구조로 인해 산화의 영향을 적게 받아 우수한 열안정성을 나타낼 뿐만 높은 저항값을 나타내어 회로의 집적도를 높인 저항 내장형 인쇄회로기판 등에 사용될 수 있다.
박막 내장형 저항체, 산화실리콘, 백금, 열안정성, 고저항-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100095308A
公开(公告)日：2010-08-30
申请号：KR1020090014518
申请日：2009-02-20
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 삼성전기주식회사
Abstract: PURPOSE: A thin film embedded resistor prepared using a ceramic-metal nano-composite is provided to increase the integration of a circuit, thereby allowing a user to implement a fine pitch member. CONSTITUTION: An oxidation silicon - platinum nano-composite is deposited on a substrate to distribute platinum particle inside a matrix. The oxidation silicon - platinum nano-composite has an atomic ratio of 67:33 or 42:58 of oxidation silicon and platinum, respectively. The size of the platinum particles distributed within the oxidation silicon matrix is 3-5 nm. The thin film embedded register has 3K at a TCR of 100 ppm.
Abstract translation: 目的：提供使用陶瓷 - 金属纳米复合材料制成的薄膜嵌入式电阻器，以增加电路的集成度，从而允许使用者实现细间距元件。 构成：将氧化硅 - 铂纳米复合材料沉积在基底上以将铂颗粒分布在基体内。 氧化硅 - 铂纳米复合材料的氧化硅和铂的原子比分别为67:33或42:58。 分布在氧化硅基质中的铂颗粒的尺寸为3-5nm。 薄膜嵌入寄存器在TCR为100ppm时具有3K。
-
公开(公告)号：KR101073485B1
公开(公告)日：2011-10-17
申请号：KR1020090022927
申请日：2009-03-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L2224/11472 , H01L2224/11906 , H01L2224/131 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2224/48 , H01L2924/00012
Abstract: 본발명은인쇄회로기판또는실리콘웨이퍼등과같은기판에형성되는무연솔더범프의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로기판에형성된구리포스트의전면을캡핑할수 있도록솔더를형성함으로써기계적신뢰성을향상시킬수 있는무연솔더범프의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 目的：提高机械可靠性的自由铅焊料凸块的制造方法是在基板上形成形成铜柱的前侧的焊料为封盖。 关于剪切应力的阻力增加。 构成：在基板（1）上形成铜线（2）。 光致抗蚀剂层（3）形成在铜线上。 根据光致抗蚀剂层的图案，铜柱（5）形成在铜线上。 形成光致抗蚀剂层（4）以具有与铜柱的底部的直径相同直径的图案。 焊料（10）被形成为使得铜柱的上部的正面被盖住。
-
公开(公告)号：KR1020100135469A
公开(公告)日：2010-12-27
申请号：KR1020090053852
申请日：2009-06-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A high resistance cermet resistor and a forming method thereof are provided to prevent hypoxia by selectively performing anodizing process after a deposition process. CONSTITUTION: A first photoresist pattern is formed on a substrate(10). A metal electrode(30) is deposited on the front of a substrate. A first photo resistor pattern is removed from the substrate. A second photo resist pattern is formed on the substrate without a resistor formation position. A mixture is deposited on the front of the substrate and is made of active material and stable metal. A cermet resistor(60) is formed by anodizing the mixture. A second photoresist pattern is removed from the substrate.
Abstract translation: 目的：提供高电阻金属陶瓷电阻器及其形成方法，以在沉积工艺之后选择性地进行阳极氧化处理来防止缺氧。 构成：在衬底（10）上形成第一光致抗蚀剂图案。 金属电极（30）沉积在基板的前面。 从衬底去除第一光电阻图案。 在基板上形成第二光刻胶图案，而不形成电阻器形成位置。 混合物沉积在基材的前面，并由活性材料和稳定的金属制成。 通过阳极氧化混合物形成金属陶瓷电阻（60）。 从衬底去除第二光致抗蚀剂图案。
-
公开(公告)号：KR101044973B1
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：KR1020090053852
申请日：2009-06-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 고저항체로 사용할 수 있는 고저항 서멧 저항체 및 그 형성방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 고저항 서멧 저항체의 형성방법은, 고저항체로 사용되는 서멧 저항체를 형성하는 방법에 있어서, 양극산화가 쉽게 이루어지는 활성물질과 양극산화에 안정한 안정금속을 함께 증착하여 혼합체를 형성하고, 상기 혼합체를 양극산화하여 상기 활성물질만 선택적으로 산화된 서멧을 형성하는 것을 특징으로 한다. 또한 본 발명에 의한 고저항 서멧 저항체는 양극산화가 쉽게 이루어지는 활성물질을 양극산화한 산화물을 기반으로 하여 양극산화에 안정한 안정금속 입자가 분산된 상태의 서멧으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 증착공정을 실시한 뒤에 양극산화공정을 실시하여 산소결핍의 문제를 방지함으로써, 뛰어난 열안정성 및 고주파특성을 갖는 고저항체를 제조할 수 있으며, 서멧을 직접 증착하지 않기 때문에 증착과정에서 옥사이드 타겟 또는 산소기체를 사용하지 않음으로써, 증착용 챔버의 오염을 막을 수 있는 효과가 있다.
양극산화, 애노다이징, 서멧, cermet, 저항-
公开(公告)号：KR1020100104484A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：KR1020090022927
申请日：2009-03-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L2224/11472 , H01L2224/11906 , H01L2224/131 , H01L2224/45 , H01L2224/45147 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2224/48 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: The manufacturing method of the free lead solder bump in which the mechanical reliability is improved is that solder the front side of the formed copper post is the capping is formed in substrate. The resistance about the shear stress is increased. CONSTITUTION: A copper wire(2) is formed on the substrate(1). The photoresist layer(3) is formed on the copper wire. According to the pattern of the photoresist layer, the copper post(5) is formed on the copper wire. The photoresist layer(4) is formed in order to have the pattern of the same diameter as the diameter of the bottom part of the copper post. The solder(10) is formed so that the frontal face of upper part of the copper post be capped.
Abstract translation: 目的：提高机械可靠性的自由铅焊料凸块的制造方法是在基板上形成形成铜柱的前侧的焊料为封盖。 关于剪切应力的阻力增加。 构成：在基板（1）上形成铜线（2）。 光致抗蚀剂层（3）形成在铜线上。 根据光致抗蚀剂层的图案，铜柱（5）形成在铜线上。 形成光致抗蚀剂层（4）以具有与铜柱的底部的直径相同直径的图案。 焊料（10）被形成为使得铜柱的上部的正面被盖住。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.016 seconds)
