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公开(公告)号：KR1020140125203A
公开(公告)日：2014-10-28
申请号：KR1020130043079
申请日：2013-04-18
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C11D3/43 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/0206 , C08G77/54 , C08G77/62 , C09D183/14 , C09D183/16 , C11D7/266 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/02164 , H01L21/02214 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L27/1085 , H01L28/40 , C11D3/43 , H01L21/3105
Abstract: The present invention relates to a rinse liquid for an insulating film and a method for rinsing an insulating film, wherein the rinse liquid includes a solvent represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, R^1 and R^a to R^e are defined as in the specification.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于绝缘膜的冲洗液和一种用于漂洗绝缘膜的方法，其中冲洗液包括由化学式1表示的溶剂。在化学式1中，R 1和R 2 a至R e 被定义为在说明书中。
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2.发明公开갭필용 충전제의 제조 방법, 상기 제조 방법에 따라 제조되는 갭필용 충전제, 및 상기 충전제를 사용한 반도체 커패시터의 제조 방법 无效制备GAP填料剂的方法，使用其制备的GAP填料剂以及使用GAP填料剂制造半导体电容器的方法
公开(公告)号：KR1020140087978A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020130074682
申请日：2013-06-27
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/31 , H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: Provided are a manufacturing method of a filler for filling a gap, comprising manufacturing hydrogenation polysilazane by putting 50-70 parts by weight of ammonia based on 100 parts by weight of halo-silane at a rate of 1 to 15 g/hr after injecting the halo-silane into an alkaline solvent, a filler for filling a gap manufactured by the manufacturing method, and a manufacturing method of a semiconductor capacitor using the same.
Abstract translation: 本发明提供填充间隙填料的制造方法，其特征在于，在注入所述间隙后，以1〜15g / hr的速度，以100重量份的卤代硅烷为基准，添加50〜70重量份的氨，制造氢化聚硅氮烷 卤代硅烷变成碱性溶剂，用于填充由该制造方法制造的间隙的填料和使用其的半导体电容器的制造方法。
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公开(公告)号：KR101711923B1
公开(公告)日：2017-03-03
申请号：KR1020130120732
申请日：2013-10-10
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 규소함유화합물, 실리콘탄성체및 용매를포함하는절연막용조성물, 상기절연막용조성물로부터형성된절연막및 상기절연막을포함하는전자소자에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及包含含硅化合物，硅氧烷弹性体和溶剂的绝缘膜组合物，由其制成的绝缘膜，以及包含该组合物的电子器件。 根据本发明的实施方案，提供了一种用于形成具有改善的耐冲击性的绝缘膜的绝缘膜的组合物。
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4.发明公开개질 수소화 폴리실록사잔을 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权改性氢化聚硅氧烷，其中包含其的基于二氧化硅的绝缘层的组合物，用于形成基于二氧化硅的绝缘层的组合物的制造方法，基于二氧化硅的绝缘层以及用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020140087998A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020130133605
申请日：2013-11-05
Applicant: 제일모직주식회사
Inventor： 송현지 , 박은수 , 임상학 , 곽택수 , 김고은 , 김미영 , 김보선 , 김봉환 , 나융희 , 배진희 , 서진우 , 윤희찬 , 이한송 , 전종대 , 한권우 , 홍승희 , 황병규
CPC classification number: C08G77/54 , C08G77/60 , C08G77/62 , C09D183/02 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02222 , H01L21/02255 , H01L21/0229 , H01L21/02326
Abstract: Provided is a modified hydrogenated polysiloxazane prepared by reacting hydrogenated polysiloxazane with a silane compound selected from the group consisting of polysilane, polycyclosilane and a silane oligomer. The modified hydrogenated polysiloxazane has small molar ratio of nitrogen atoms with respect to silicon atoms, and can markedly decrease layer shrinkage ratio during manufacturing a silica-based insulating layer when applied in a composition for manufacturing the silica-based insulating layer.
Abstract translation: 本发明提供了一种通过氢化聚硅氧氮烷与选自聚硅烷，聚环硅烷和硅烷低聚物的硅烷化合物反应制备的改性氢化聚硅氧氮烷。 改性氢化聚硅氧氮烷相对于硅原子具有小的氮原子摩尔比，并且当在用于制造二氧化硅基绝缘层的组合物中时，在制造二氧化硅基绝缘层期间可以显着降低层收缩率。
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公开(公告)号：KR101825546B1
公开(公告)日：2018-02-05
申请号：KR1020140063293
申请日：2014-05-26
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C09D183/14 , C09D183/16 , C09D183/04 , B05D1/00 , B05D3/00
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/12 , C08G77/26 , C08G77/54 , C08G77/60 , C09D183/02 , C09D183/16 , C23C18/1212 , C23C18/122 , C23C18/1275 , C23C18/1283 , H01L21/02164 , H01L21/02216 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L28/90
Abstract: 수소화폴리실라잔, 수소화폴리실록사잔, 또는이들의조합을포함하는실리카계화합물, 그리고용매를포함하는실리카계막 형성용조성물로서, 입경이 0.2 ㎛내지 1 ㎛인파티클을 10 개/㎖이하로포함하는실리카계막 형성용조성물에관한것이다.
Abstract translation: 一种用于形成二氧化硅基层的组合物和一种用于制造二氧化硅基层的方法，所述组合物包含含硅化合物，所述含硅化合物包含氢化聚硅氮烷部分，氢化聚硅氧氮烷部分或其组合，以及 溶剂，其中所述组合物中的所述含硅化合物的颗粒的大量粒径为约0.2μm至约1μm，小于或等于约10个/ ml。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101688012B1
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：KR1020140040689
申请日：2014-04-04
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/095 , G03F7/075 , G03F7/09 , H01L21/027
Abstract: 하기화학식 1로표현되는반복단위를포함하는유기실란계중합체, 및용매를포함하고, 상기유기실란계중합체내의탄소(C) 원소의질량은상기유기실란계중합체의전체원소의질량에대하여 0.1% 내지 30%인것인레지스트하층막용조성물을제공한다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R, R 및 R의정의는명세서에서정의한바와같다.
Abstract translation: 本发明提供一种抗蚀剂底层用组合物，其含有含有以化学式1表示的重复单元的有机硅烷类聚合物和溶剂，其中有机硅烷系聚合物内的碳（C）元素的质量为 相对于硅烷类聚合物的元素的总质量为0.1-30％。 在化学式1中，R 1，R 2和R 3与说明书中所定义相同。
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公开(公告)号：KR101583232B1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：KR1020120158707
申请日：2012-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 주쇄에 Si-N 연결(linkage)을가지는폴리실라잔중합체의제조방법으로서, 하기화학식 1로나타내어지는아미노실란단량체를, 상기아미노실란의 Si원자를배위할수 있는친핵성화합물의존재하에활성화시켜불균등화반응및 재배열반응을통해중합시키는단계를포함하는중합체제조방법및 이렇게제조된중합체를포함하는절연막형성용조성물이제공된다:상기화학식 1에서, R, R, 및 R는동일하거나상이하며, 각각독립적으로, 수소, -Si(R), C1 내지 C30의알킬기, C6 내지 C20의아릴기, C1 내지 C10의알콕시기, C6 내지 C20의아릴옥시기, C1 내지 C20의알킬또는아릴옥시카르보닐기, C1 내지 C20의아실기, 또는 C1 내지 C20의아실옥시기이되, R, R, 및 R중하나이상은 -Si(R)이고, 여기서 R는동일하거나상이하며, 각각독립적으로, 수소, C1 내지 C30의알킬기, C6 내지 C20의아릴기, C1 내지 C10의알콕시기, 또는 C6 내지 C20의아릴옥시기이되, R중하나이상은수소이다.
Abstract translation: 具有在主链中具有的Si-N连接（键）的硅氮烷聚合物的聚酯制造方法中，以激活由式（1）表示的氨基硅烷单体，在氨基的亲核化合物的存在下可以协调硅烷歧化中的Si原子 其中，R 1，R 2和R 3彼此相同或不同，并且R 1，R 2和R 3中的每一个彼此相同或不同， -Si（R），C1至C30烷基，C6至C20芳基，C1至C10烷氧基，C6至C20芳氧基，C1至C20烷基或芳氧基羰基， 是C1至C20难怪基或C1〜C20的怀疑-1,3- sigiyi之中，R，R和R重或大于-Si（R），其中R是相同或不同，各自独立地为氢，C1至C30更 烷基，C6至C20芳基，C1至C10芳基 基，或C 6至C的为奇数C20芳氧基，R是氢或一个重负载yisangeun。
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公开(公告)号：KR1020150116122A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：KR1020140040689
申请日：2014-04-04
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/095 , G03F7/075 , G03F7/09 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/095 , G03F7/075 , G03F7/091 , H01L21/0276
Abstract: 하기화학식 1로표현되는반복단위를포함하는유기실란계중합체, 및용매를포함하고, 상기유기실란계중합체내의탄소(C) 원소의질량은상기유기실란계중합체의전체원소의질량에대하여 0.1% 내지 30%인것인레지스트하층막용조성물을제공한다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R, R 및 R의정의는명세서에서정의한바와같다.
Abstract translation: 本发明提供一种抗蚀剂底层用组合物，其含有含有以化学式1表示的重复单元的有机硅烷类聚合物和溶剂，其中有机硅烷系聚合物内的碳（C）元素的质量为 相对于硅烷类聚合物的元素的总质量为0.1-30％。 在化学式1中，R 1，R 2和R 3与说明书中所定义相同。
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公开(公告)号：KR1020140136232A
公开(公告)日：2014-11-28
申请号：KR1020130056498
申请日：2013-05-20
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: H01L21/02524 , H01L31/0392
Abstract: Provided is a method of forming a ceramic film which includes a step of preparing a composite for forming a ceramic film; a step of coating a substrate with the composite for forming a ceramic film; a step of firstly hardening the substrate coated with the composite for forming a ceramic film at a temperature of 100°C to 500°C under a reducing atmosphere; and a step of secondarily hardening the firstly hardened substrate at a temperature of 200°C to 3,000°C under an oxidizing atmosphere.
Abstract translation: 提供一种形成陶瓷膜的方法，其包括制备用于形成陶瓷膜的复合材料的步骤; 用用于形成陶瓷膜的复合材料涂覆基材的步骤; 首先在还原气氛下，在100℃〜500℃的温度下硬化涂覆有复合材料的基材以形成陶瓷膜的步骤; 以及在氧化气氛下，在200℃〜3000℃的温度下使第一硬化基板二次硬化的工序。
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公开(公告)号：KR101692757B1
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：KR1020130043079
申请日：2013-04-18
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C11D3/43 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/0206 , C08G77/54 , C08G77/62 , C09D183/14 , C09D183/16 , C11D7/266 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/02164 , H01L21/02214 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L27/1085 , H01L28/40
Abstract: 하기화학식 1로표현되는용제를포함하는절연막용린스액, 상기린스액을사용한절연막의린스방법에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R 및 R 내지 R는명세서에서정의된바와같다.
Abstract translation: 一种用于绝缘层的冲洗液，所述漂洗液包括由以下化学式1表示的溶剂：
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