公开(公告)号：KR1020140125203A

公开(公告)日：2014-10-28

申请号：KR1020130043079

申请日：2013-04-18

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 배진희 ,  이한송 ,  임완희 ,  김고은 ,  곽택수 ,  김보선 ,  김상균 ,  나융희 ,  박은수 ,  서진우 ,  송현지 ,  조연진 ,  한권우 ,  황병규

IPC: C11D3/43 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/0206 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  C11D7/266 ,  C11D7/5022 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/40 ,  C11D3/43 ,  H01L21/3105

Abstract: The present invention relates to a rinse liquid for an insulating film and a method for rinsing an insulating film, wherein the rinse liquid includes a solvent represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, R^1 and R^a to R^e are defined as in the specification.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于绝缘膜的冲洗液和一种用于漂洗绝缘膜的方法，其中冲洗液包括由化学式1表示的溶剂。在化学式1中，R 1和R 2 a至R e 被定义为在说明书中。

公开(公告)号：KR1020140087978A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：KR1020130074682

申请日：2013-06-27

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 배진희 ,  이한송 ,  곽택수 ,  김고은 ,  김보선 ,  김상균 ,  나융희 ,  박은수 ,  서진우 ,  송현지 ,  임상학 ,  임완희 ,  홍승희 ,  황병규

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

Abstract: Provided are a manufacturing method of a filler for filling a gap, comprising manufacturing hydrogenation polysilazane by putting 50-70 parts by weight of ammonia based on 100 parts by weight of halo-silane at a rate of 1 to 15 g/hr after injecting the halo-silane into an alkaline solvent, a filler for filling a gap manufactured by the manufacturing method, and a manufacturing method of a semiconductor capacitor using the same.

Abstract translation: 本发明提供填充间隙填料的制造方法，其特征在于，在注入所述间隙后，以1〜15g / hr的速度，以100重量份的卤代硅烷为基准，添加50〜70重量份的氨，制造氢化聚硅氮烷 卤代硅烷变成碱性溶剂，用于填充由该制造方法制造的间隙的填料和使用其的半导体电容器的制造方法。

公开(公告)号：KR101825546B1

公开(公告)日：2018-02-05

申请号：KR1020140063293

申请日：2014-05-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 배진희 ,  곽택수 ,  이한송 ,  조연진 ,  황병규 ,  김보선 ,  박새미 ,  박은수 ,  서진우 ,  임완희 ,  장준영 ,  한권우

IPC: C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  C09D183/04 ,  B05D1/00 ,  B05D3/00

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/12 ,  C08G77/26 ,  C08G77/54 ,  C08G77/60 ,  C09D183/02 ,  C09D183/16 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1275 ,  C23C18/1283 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L28/90

Abstract: 수소화폴리실라잔, 수소화폴리실록사잔, 또는이들의조합을포함하는실리카계화합물, 그리고용매를포함하는실리카계막 형성용조성물로서, 입경이 0.2 ㎛내지 1 ㎛인파티클을 10 개/㎖이하로포함하는실리카계막 형성용조성물에관한것이다.

Abstract translation: 一种用于形成二氧化硅基层的组合物和一种用于制造二氧化硅基层的方法，所述组合物包含含硅化合物，所述含硅化合物包含氢化聚硅氮烷部分，氢化聚硅氧氮烷部分或其组合，以及 溶剂，其中所述组合物中的所述含硅化合物的颗粒的大量粒径为约0.2μm至约1μm，小于或等于约10个/ ml。

公开(公告)号：KR101688012B1

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：KR1020140040689

申请日：2014-04-04

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 박은수 ,  조연진 ,  한권우 ,  곽택수 ,  김보선 ,  김상균 ,  박새미 ,  배진희 ,  서진우 ,  이한송 ,  임완희 ,  장준영

IPC: G03F7/095 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027

Abstract: 하기화학식 1로표현되는반복단위를포함하는유기실란계중합체, 및용매를포함하고, 상기유기실란계중합체내의탄소(C) 원소의질량은상기유기실란계중합체의전체원소의질량에대하여 0.1% 내지 30%인것인레지스트하층막용조성물을제공한다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R, R 및 R의정의는명세서에서정의한바와같다.

Abstract translation: 本发明提供一种抗蚀剂底层用组合物，其含有含有以化学式1表示的重复单元的有机硅烷类聚合物和溶剂，其中有机硅烷系聚合物内的碳（C）元素的质量为 相对于硅烷类聚合物的元素的总质量为0.1-30％。 在化学式1中，R 1，R 2和R 3与说明书中所定义相同。

公开(公告)号：KR101583232B1

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：KR1020120158707

申请日：2012-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 송현지 ,  홍승희 ,  김보선 ,  서진우 ,  황병규 ,  곽택수 ,  김상균 ,  임상학

IPC: C08G77/26 ,  C08G77/06 ,  C08L83/08 ,  H01B3/46

Abstract: 주쇄에 Si-N 연결(linkage)을가지는폴리실라잔중합체의제조방법으로서, 하기화학식 1로나타내어지는아미노실란단량체를, 상기아미노실란의 Si원자를배위할수 있는친핵성화합물의존재하에활성화시켜불균등화반응및 재배열반응을통해중합시키는단계를포함하는중합체제조방법및 이렇게제조된중합체를포함하는절연막형성용조성물이제공된다:상기화학식 1에서, R, R, 및 R는동일하거나상이하며, 각각독립적으로, 수소, -Si(R), C1 내지 C30의알킬기, C6 내지 C20의아릴기, C1 내지 C10의알콕시기, C6 내지 C20의아릴옥시기, C1 내지 C20의알킬또는아릴옥시카르보닐기, C1 내지 C20의아실기, 또는 C1 내지 C20의아실옥시기이되, R, R, 및 R중하나이상은 -Si(R)이고, 여기서 R는동일하거나상이하며, 각각독립적으로, 수소, C1 내지 C30의알킬기, C6 내지 C20의아릴기, C1 내지 C10의알콕시기, 또는 C6 내지 C20의아릴옥시기이되, R중하나이상은수소이다.

Abstract translation: 具有在主链中具有的Si-N连接（键）的硅氮烷聚合物的聚酯制造方法中，以激活由式（1）表示的氨基硅烷单体，在氨基的亲核化合物的存在下可以协调硅烷歧化中的Si原子 其中，R 1，R 2和R 3彼此相同或不同，并且R 1，R 2和R 3中的每一个彼此相同或不同， -Si（R），C1至C30烷基，C6至C20芳基，C1至C10烷氧基，C6至C20芳氧基，C1至C20烷基或芳氧基羰基， 是C1至C20难怪基或C1〜C20的怀疑-1,3- sigiyi之中，R，R和R重或大于-Si（R），其中R是相同或不同，各自独立地为氢，C1至C30更 烷基，C6至C20芳基，C1至C10芳基 基，或C 6至C的为奇数C20芳氧基，R是氢或一个重负载yisangeun。

公开(公告)号：KR1020150116122A

公开(公告)日：2015-10-15

申请号：KR1020140040689

申请日：2014-04-04

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 박은수 ,  조연진 ,  한권우 ,  곽택수 ,  김보선 ,  김상균 ,  박새미 ,  배진희 ,  서진우 ,  이한송 ,  임완희 ,  장준영

IPC: G03F7/095 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/095 ,  G03F7/075 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0276

Abstract: 하기화학식 1로표현되는반복단위를포함하는유기실란계중합체, 및용매를포함하고, 상기유기실란계중합체내의탄소(C) 원소의질량은상기유기실란계중합체의전체원소의질량에대하여 0.1% 내지 30%인것인레지스트하층막용조성물을제공한다. [화학식 1]상기화학식 1에서, R, R 및 R의정의는명세서에서정의한바와같다.

Abstract translation: 本发明提供一种抗蚀剂底层用组合物，其含有含有以化学式1表示的重复单元的有机硅烷类聚合物和溶剂，其中有机硅烷系聚合物内的碳（C）元素的质量为 相对于硅烷类聚合物的元素的总质量为0.1-30％。 在化学式1中，R 1，R 2和R 3与说明书中所定义相同。

公开(公告)号：KR1020140136232A

公开(公告)日：2014-11-28

申请号：KR1020130056498

申请日：2013-05-20

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 송현지 ,  곽택수 ,  김고은 ,  김보선 ,  나융희 ,  박은수 ,  배진희 ,  서진우 ,  윤희찬 ,  이한송 ,  임완희 ,  전종대 ,  한권우 ,  홍승희 ,  황병규

IPC: H01L21/31 ,  C04B41/87

CPC classification number: H01L21/02524 ,  H01L31/0392

Abstract: Provided is a method of forming a ceramic film which includes a step of preparing a composite for forming a ceramic film; a step of coating a substrate with the composite for forming a ceramic film; a step of firstly hardening the substrate coated with the composite for forming a ceramic film at a temperature of 100°C to 500°C under a reducing atmosphere; and a step of secondarily hardening the firstly hardened substrate at a temperature of 200°C to 3,000°C under an oxidizing atmosphere.

Abstract translation: 提供一种形成陶瓷膜的方法，其包括制备用于形成陶瓷膜的复合材料的步骤; 用用于形成陶瓷膜的复合材料涂覆基材的步骤; 首先在还原气氛下，在100℃〜500℃的温度下硬化涂覆有复合材料的基材以形成陶瓷膜的步骤; 以及在氧化气氛下，在200℃〜3000℃的温度下使第一硬化基板二次硬化的工序。

公开(公告)号：KR1020140087643A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：KR1020120158165

申请日：2012-12-31

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 박은수 ,  김고은 ,  곽택수 ,  김미영 ,  김봉환 ,  나융희 ,  배진희 ,  서진우 ,  송현지 ,  윤희찬 ,  이한송 ,  임상학 ,  전종대 ,  한권우 ,  홍승희 ,  황병규

IPC: H01L21/20 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: Provided are a silica membrane preparing method comprising a step of coating a substrate with polysilazane or polysiloxazane and pretreating the coated membrane with UV-ozone and a step of hardening the pretreated membrane at a temperature of 400-800°C and a semiconductor capacitor including a silica membrane manufactured by the manufacturing method.

Abstract translation: 提供一种二氧化硅膜制备方法，其包括用聚硅氮烷或聚硅氧氮烷涂覆基材并用UV-臭氧预处理涂覆的膜的步骤和在400-800℃的温度下硬化预处理的膜的步骤和包括 二氧化硅膜由制造方法制造。

公开(公告)号：KR101711923B1

公开(公告)日：2017-03-03

申请号：KR1020130120732

申请日：2013-10-10

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 송현지 ,  곽택수 ,  김보선 ,  서진우 ,  황병규 ,  김고은 ,  김윤준 ,  박은수 ,  배진희

IPC: H01B3/46 ,  H01B17/62

Abstract: 규소함유화합물, 실리콘탄성체및 용매를포함하는절연막용조성물, 상기절연막용조성물로부터형성된절연막및 상기절연막을포함하는전자소자에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及包含含硅化合物，硅氧烷弹性体和溶剂的绝缘膜组合物，由其制成的绝缘膜，以及包含该组合物的电子器件。 根据本发明的实施方案，提供了一种用于形成具有改善的耐冲击性的绝缘膜的绝缘膜的组合物。

公开(公告)号：KR1020150019949A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：KR1020130097456

申请日：2013-08-16

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 서진우 ,  김고은 ,  황병규 ,  임완희 ,  김상균 ,  송현지 ,  임상학

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/3122

Abstract: 수소화 폴리실록사잔 또는 수소화 폴리실라잔; 및 용매를 포함하는 조성물을 기판에 도포하고, 상기 조성물을 UV 조사한 후 얻어진 막을 항온항습 조건에서 처리하고, 상기 결과물을 200℃ 내지 700℃의 온도에서 열처리하는 공정을 포함하는 절연막의 제조방법을 제공한다.

Abstract translation: 提供一种制造绝缘层的方法，其包括以下步骤：将包含聚硅氧氮硅烷氢氧化物或聚硅氮烷氢氧化物和溶剂的组合物喷涂在基材上; 在恒温恒湿条件下处理在组合物上发射紫外线后获得的层; 并将结果热处理在200至700摄氏度。