Abstract:
An adhesive film for die bonding in a semiconductor assembly is provided to prevent burrs generated through deformation of an adhesive film due to excellent cuttability and flexibility and to ensure excellent pick-up property. An adhesive film for die bonding in a semiconductor assembly has 50-150 % of elongation at break measured at 1000 mm/min tension rate in a tension condition of 25°C and 10-1000 mm/min, and satisfies chemical formula: (E10-E1000 ) / (log10 10 - log10 1000)
Abstract:
An adhesive composition is provided to minimize the generation of gap or void generated form the interface in bonding an adhesive film for die bonding and a semiconductor wafer and to form a film by increasing tensile strength of the film. An adhesive composition for semiconductor assembly comprises a binder part, a hardened part and solvent. The solvent is a binary mixed solvent consisting of low-boiling-point solvent of 40-100 °C and high-boiling-point solvent of 140-200 °C. The binder part is an acrylic polymer, an NCO-added polymer or an epoxy-added polymer. The hardened part is epoxy resin, phenol type hardened resin, urethane resin, silicon resin, polyester resin, amine-based hardened resin, melanin hardened resin, urea hardened resin or acid anhydride-based hardened resin.
Abstract:
본 발명은 아크릴계 고분자, 에폭시 수지, 페놀형 경화 수지, 경화 촉매, 실란 커플링제 및 충진제를 포함하고 경화 후 공-연속으로 상 분리되는 반도체 다이 접착제 조성물 및 이로부터 제조된 접착제 필름에 관한 것이다. 본 발명에 따르는 접착 필름은 경화부의 함량이 많더라도 연 구조성과 필름의 인장강도 증가를 동시에 만족시키므로, 필름이 끊어지지 않고 단단하여 반도체 조립시 높은 신뢰성을 확보할 수 있다. 공-연속 상, 가교성 관능기, 반도체 접착 필름, 다이 접착(die attach), 아크릴계 고분자, 페놀형 경화 수지, 경화 촉매, 실란 커플링제
Abstract:
본 발명은 0℃ 내지 100℃의 저비점 용매 및 140℃ 내지 200℃의 고비점 용매로 구성되는 이성분 혼합계 용매를 포함하는 반도체 다이 접착제 조성물 및 그로부터 제조된 접착 필름에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 접착필름은 필름 내에 2% 미만의 고비점 용매를 가지게 되므로 경화부의 함량이 많더라도 연 구조성과 필름의 인장강도 증가를 동시에 만족하여 필름이 끊어지지 않고 단단한 특성을 가지게 된다. 또한 보이드를 유발하는 휘발성 성분의 비점이 높기 때문에 반도체 조립공정 중에 용매의 휘발에 의한 보이드 발생이 현저히 감소하며 이로 인해 면상에 생성된 갭이나 보이드의 부피팽창을 감소시켜 반도체 조립 시 높은 신뢰성을 확보할 수 있다. 고비점 용매, 연 구조성, 보이드, 가교성 관능기, 반도체 접착 필름, 다이 접착(die attach),
Abstract:
본 발명은 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용하여 제조된 접착 필름에 관한 것으로, 전이금속 및 전이금속 이온의 이동으로 인해 야기되는 반도체 칩의 신뢰성 저하를 해결하기 위한 것으로서, 전이금속 이온과 결합을 통하여 또는 전이금속 이온을 산화 또는 환원시켜 이의 이동도를 현저히 감소시킬 수 있는 기능기를 포함하는 고분자 바인더를 접착제 조성물로 사용함으로써, 반도체 작동의 안정성을 높일 수 있고, 접착 필름의 치수 안정성을 확보함과 동시에 인장강도를 증가시켜 신뢰도를 높일 수 있는 조성물 및 그 조성물로 제조된 필름을 제공한다. 접착필름, 반도체용 접착제, 조성물, 다이싱, 전이금속
Abstract:
본 발명은 엘라스토머 수지, 필름형성 수지, 에폭시 수지, 페놀형 에폭시 수지 경화제, 경화촉진제, 실란 커플링제, 충진제, 열안정제 및 유기용매를 포함하는 반도체 조립용 접착 필름 조성물 및 이를 이용한 접착필름에 관한 것으로, 본 발명에 의한 조성물은 상기 열안정제를 사용함으로써, 반도체의 다이싱 공정에서 발생하는 마찰열에 따른 접착 필름의 들뜸 및 말림 현상을 방지하고, 높은 신뢰성 및 공정성이 요구되는 반도체 공정에 효과적으로 적용할 수 있는 반도체 조립용 접착 필름을 제공할 수 있다. 반도체 조립용 접착필름, 열안정제, 에폭시, 실란 커플링제, 다이쉐어, 픽업공정
Abstract:
본 발명은 반도체용 접착제 조성물 및 이를 이용하여 제조된 복층구조 접착 필름에 관한 것으로, 전이금속 및 전이금속 이온의 이동으로 인해 야기되는 반도체 칩의 신뢰성 저하를 해결하기 위하여, 전이금속 이온과 결합을 통하여 또는 전이금속 이온을 산화 또는 환원시키고, 전이금속의 이동도를 현저히 감소시킬 수 있는 기능기를 포함하는 접착제 조성물을 사용하되, 후속의 와이어 본딩 공정을 고려하여 유동성을 확보할 수 있는 접착필름을 더 형성함으로써, 반도체 작동의 안정성을 높일 수 있고, 접착 필름의 치수 안정성을 확보함과 동시에 인장강도를 증가시켜 반도체 칩 접합 공정의 신뢰도를 높일 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다. 접착필름, 반도체용 접착제, 조성물, 다이싱, 전이금속
Abstract:
PURPOSE: An adhesive composition for a semiconductor device is provided to maximize operational efficiency of a semiconductor device during or after a semiconductor process and to prevent the deterioration of reliability of a semiconductor chip caused by transition metals remaining on the surface of the semiconductor chip or transition metal ions on the interface. CONSTITUTION: An adhesive composition for a semiconductor device includes elastomer resins, epoxy resins, phenolic curing resins, curing catalysts, silane coupling agents and filler. The silane coupling agent includes an epoxy group-containing silane coupling agent and a silane coupling agent containing transition metal-capturing functional groups.
Abstract:
PURPOSE: An adhesive composition for a semiconductor device, and a multi-layer adhesive film using thereof are provided to prevent the reliability deterioration of a semiconductor chip occurred from a transition metal infiltrated on a bonding interface. CONSTITUTION: A multi-layer adhesive film for a semiconductor device comprises a first adhesive layer(150) and a second adhesive layer(140). The first adhesive layer is formed on the upper side of a base film with an adhesive composition containing 50~90wt% of binder with a transition metal-trapping group. The second adhesive layer is formed on the upper side of the first adhesive layer with the adhesive composition containing 15~30wt% of the binder with the transition metal-trapping group.
Abstract:
PURPOSE: An adhesive composition for a semiconductor device is provided to prevent the reliability of a semiconductor chip from getting fallen due to transition metal or transition metal ions and to enhance the reliability by increasing the tensile strength of a film. CONSTITUTION: An adhesive composition for a semiconductor device comprises: a polymer binder including a monomer with a transition metal-capturing group; an epoxy resin; a phenolic curable resin; a curing catalyst; a silane coupling agent; and a filler. The transition metal-capturing group oxidizes or reduces transition metal or hinders the mobility of the transition metal. The transition metal-capturing group includes one or more which are selected from -CN, -COOH, -NCO, -SH, or -NH.