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公开(公告)号：WO2020060066A1
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：PCT/KR2019/011105
申请日：2019-08-30
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명의 일 실시에에 따른 멤스 소자는, 적외선 센서를 구비한 센서 기판; 및 상기 하부 기판과 접합되어 케비티를 구성하는 캡 기판을 포함한다. 상기 캡 기판은, 상부 기판; 상기 상부 기판의 상부면에 형성된 나방눈(Moth-eye) 구조의 상부 패턴; 상기 상부 패턴을 마주보도록 배치되고 상기 상부 기판의 하부면에서 함몰된 케비티 영역에 형성된 나방눈(Moth-eye) 구조의 하부 패턴; 상기 하부 패턴의 주위에 배치되고 상기 케비티 영역 내에 배치된 게터; 상기 상부 기판의 하부면에서 상기 케비티 영역보다 돌출되고 상기 상부 기판과 동일한 구조와 재질을 가지고 상기 케비티 영역을 감싸도록 배치된 격벽; 상기 상부 기판의 하부면에서 상기 케비티 영역의 배치평면보다 더 함몰되고 상기 격벽을 감싸도록 배치된 절단 부위; 및 상기 격벽의 하부면에 배치된 상부 본딩 패드;를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120015962A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：KR1020100078538
申请日：2010-08-13
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L21/265 , H01L21/28185 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/788
Abstract: PURPOSE: A tunnel insulating layer, a non-volatile memory device, and a manufacturing method thereof are provided to remarkably reduce a leakage current by forming an insulating layer separation area including silicon-nitrogen combination by annealing after injecting a nitrogen ion in the tunnel insulating layer. CONSTITUTION: An insulating layer consisting of silicon oxide is formed on the upper side of a substrate(S10). The insulating layer is formed by a low-pressure chemical vapor deposition, a wet oxidation method or a thermal oxidation method. An ion doping layer is formed in the inner side of the insulating layer by injecting an ion in the insulating layer(S20). An insulating layer separation area is formed in the inner side of the insulating layer by annealing the insulating layer in which the ion doping layer is formed(S30).
Abstract translation: 目的：提供隧道绝缘层，非易失性存储器件及其制造方法，通过在隧道绝缘中注入氮离子之后通过退火形成包含硅 - 氮组合的绝缘层分离区，显着降低漏电流 层。 构成：在基板的上侧形成由氧化硅构成的绝缘层（S10）。 绝缘层通过低压化学气相沉积，湿式氧化法或热氧化法形成。 通过在绝缘层中注入离子，在绝缘层的内侧形成离子掺杂层（S20）。 通过使形成有离子掺杂层的绝缘层退火，在绝缘层的内侧形成绝缘层分离区域（S30）。
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公开(公告)号：KR101186978B1
公开(公告)日：2012-09-28
申请号：KR1020100115846
申请日：2010-11-19
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 반도체 소자 및 무선주파수 소자의 제조방법이 제공된다. 반도체 소자의 제조방법에 따르면, 바디, 상기 바디 상의 매몰 절연층 및 상기 매몰 절연층 상의 반도체층의 적층 구조를 갖는 복합 기판을 제공한다. 상기 매몰 절연층 및 상기 반도체층을 식각하여 적어도 하나의 트렌치를 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치 내의 상기 바디 상에 인버젼 방지층을 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치를 채우도록 상기 인버젼 방지층 상에 매립 보호층을 형성한다. 상기 적어도 하나의 트렌치 밖의 상기 반도체층 상의 상기 인버젼 방지층의 제 1 부분은 제거되고, 상기 적어도 하나의 트렌치 내의 상기 인버젼 방지층의 제 2 부분은 상기 매립 보호층에 의해서 보호되도록, 상기 매립 보호층 및 상기 인버젼 방지층을 평탄화한다.
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公开(公告)号：KR20180032888A
公开(公告)日：2018-04-02
申请号：KR20160122142
申请日：2016-09-23
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G01J5/0853 , G01J3/108 , G01J5/602 , G01J2005/604
Abstract: 본발명은파장선택형적외선센서및 이의제조방법에관한것으로, 보다상세히는입사되는적외선복사파장을선택할수 있도록공진파장을가변할수 있도록제조된파장선택형적외선센서및 이의제조방법에관한것이며, 본발명에의한파장선택형적외선센서는검출회로를포함하는기판(100), 상기기판(100)의상면에형성되는고정반사판(200), 상기기판(100)의상면에형성되되, 상기고정반사판(200)의양측에형성되는금속패드(300), 상기고정반사판(200)의상측에일정거리이격되어형성되는흡수부(400) 및상기고정반사판(200)과흡수부(400) 사이에형성되며, 상기고정반사판(200)과흡수부(400) 사이를상하로이동가능한이동반사판(500)을포함하며, 상기이동반사판(500)은입사되는적외선의파장에따라상하로움직여상기공기층(A)의간격을조절하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及产生波长可选择红外线传感器的方法以及它们的，将更加具体地涉及一种波长可选择红外线传感器及其制造方法，以改变落在共振波长被选择的红外辐射波长，这是事件发生后，本发明的一个 在基板100的两侧波长可选择红外传感器中，基板100被固定反射器200和衣服上侧形成100所述基板，所述固定反射器200形成在服饰平面包括所述检测电路 以及形成在固定反射器200和吸收器400之间的吸收器400.吸收器400包括形成在固定反射器200上的金属垫300， 移动反射板500根据红外线的波长向上和向下移动以调节空气层A的间隔 而且，其特征在于。
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公开(公告)号：KR1020120054459A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：KR1020100115846
申请日：2010-11-19
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L21/76251 , H01L21/76224
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a radio frequency device and a semiconductor device is provided to reduce radio frequency loss by preventing by forming an inversion blocking layer. CONSTITUTION: A complex substrate having a laminating structure of a body, a buried insulating layer(104), and a semiconductor layer is provided. A trench is formed by etching the buried insulating layer and the semiconductor layer. An inversion blocking layer(120) is formed on the body within the trench. A burying protective layer(122) is formed on the inversion blocking layer in order to fill the trench. A first part of the inversion blocking layer of the semiconductor layer outside the trench is eliminated. The burying protective layer and the inversion blocking layer are flattered in order to protect a second part of the inversion blocking layer within the trench through the burying protective layer.
Abstract translation: 目的：提供一种制造射频装置和半导体装置的方法，以通过形成反转阻挡层来防止射频损失。 构成：提供具有本体层叠结构的复合衬底，埋层绝缘层（104）和半导体层。 通过蚀刻掩埋绝缘层和半导体层形成沟槽。 在沟槽内的主体上形成反转阻挡层（120）。 在反转阻挡层上形成埋入保护层（122）以填充沟槽。 沟槽外的半导体层的反转阻挡层的第一部分被消除。 掩埋保护层和反转阻挡层被覆盖以便通过掩埋保护层保护沟槽内的反转阻挡层的第二部分。
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公开(公告)号：KR101897068B1
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：KR1020160122142
申请日：2016-09-23
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은파장선택형적외선센서및 이의제조방법에관한것으로, 보다상세히는입사되는적외선복사파장을선택할수 있도록공진파장을가변할수 있도록제조된파장선택형적외선센서및 이의제조방법에관한것이며, 본발명에의한파장선택형적외선센서는검출회로를포함하는기판(100), 상기기판(100)의상면에형성되는고정반사판(200), 상기기판(100)의상면에형성되되, 상기고정반사판(200)의양측에형성되는금속패드(300), 상기고정반사판(200)의상측에일정거리이격되어형성되는흡수부(400) 및상기고정반사판(200)과흡수부(400) 사이에형성되며, 상기고정반사판(200)과흡수부(400) 사이를상하로이동가능한이동반사판(500)을포함하며, 상기이동반사판(500)은입사되는적외선의파장에따라상하로움직여상기공기층(A)의간격을조절하는것을특징으로한다.
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