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公开(公告)号:KR102248808B1
公开(公告)日:2021-05-10
申请号:KR1020180046336
申请日:2018-04-20
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor: 안호균 , 신민정 , 김정진 , 김해천 , 도재원 , 민병규 , 윤형섭 , 이형석 , 임종원 , 장성재 , 정현욱 , 조규준 , 강동민 , 김동영 , 김성일 , 이상흥 , 이종민 , 지홍구
IPC: H01L29/778 , H01L29/66 , H01L21/762 , H01L21/027
Abstract: 제 1 반도체층과제 2 반도체층사이에절연층이매립된기판, 상가기판을관통하는관통홀, 상기관통홀은상기제 1 반도체층을관통하는제 1 홀, 및상기제 1 홀의바닥면으로부터상기절연층및 상기제 2 반도체층을관통하는제 2 홀을포함하고, 상기관통홀 내에배치되는에피층, 상기제 2 홀내에배치되어상기에피층의일면과접하는드레인전극, 및상기에피층의다른일면상에배치되는소스전극및 게이트전극을포함하는반도체소자를제공한다.
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公开(公告)号:KR1020170074153A
公开(公告)日:2017-06-29
申请号:KR1020160069686
申请日:2016-06-03
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor: 민병규 , 윤형섭 , 이종민 , 강동민 , 김동영 , 김성일 , 김해천 , 안호균 , 이상흥 , 임종원 , 조규준 , 주철원 , 도재원 , 신민정 , 장성재 , 장유진 , 정현욱
IPC: H01L29/778 , H01L29/66 , H01L21/02
Abstract: 본발명의실시예에따른전계효과트랜지스터는기판상에제공된활성층과, 상기활성층상에배치된캡층과, 상기활성층및 상기캡층중 어느하나의층 상에제공되며일정간격이격된소스전극및 드레인전극과, 상기소스전극과상기드레인전극사이에배치된게이트전극과, 상기게이트전극과상기드레인전극사이에제공된더미전극패드, 및상기게이트전극과상기더미전극패드상에제공되며상기소스전극과상기더미전극패드를전기적으로연결하는전계전극을포함할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的场效应晶体管包括有源层和覆盖层和有源层和设置在从所述源极电极和设置在基板上设置的有源层上,所述帽层的漏极电极间隔开预定距离的一个层上的一个 栅电极,设置在所述源电极和所述漏电极之间;虚设电极焊盘,设置在所述栅电极和所述漏电极之间;以及栅电极,设置在所述栅电极和所述虚设电极焊盘上, 以及用于电连接电极焊盘的电场电极。
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