公开(公告)号：WO2013168968A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：PCT/KR2013/003961

申请日：2013-05-07

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  정대성 ,  이영국 ,  안기석 ,  김성준 ,  강성구

IPC: G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C14/185 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0281

Abstract: 기재 상에 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 형성하고 고분자 지지층을 형성한 뒤 기재를 제거하여 수득하는 전사용 시트는, 원하는 다른 기재 상에 접착한 뒤 고분자 지지층을 제거함으로써 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 전사 하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 이와 같이 전사된 금속 산화물/질화물/황화물 박막은 원하는 두께로 형성될 수 있어서, 그래핀 전극 등을 사용하는 다양한 전자 소자의 제조를 보다 용이하게 할 수 있다.

Abstract translation: 通过在基板上形成金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜，形成聚合物支撑层和除去基板而获得的转印片材可用于通过粘附到另一所需的材料上来转移金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜 并除去聚合物支撑层。 由此转移的金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜可以形成所需的厚度，从而便于使用石墨烯电极等制备各种电子器件。

公开(公告)号：WO2012157894A3

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：PCT/KR2012/003687

申请日：2012-05-10

Applicant: 한국화학연구원 ,  이선숙 ,  정대성 ,  김한선 ,  안기석 ,  정택모 ,  김창균 ,  이영국

Inventor： 이선숙 ,  정대성 ,  김한선 ,  안기석 ,  정택모 ,  김창균 ,  이영국

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 고분자 스템프를 이용하는 박리 기법을 이용하여 목표로 하는 임의의 패턴을 갖는 그래핀 패턴을 형성하는데 적합한 박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 기법에 관한 것이다. 본 발명은 고분자 스템프를 이용하여 기판 상에 형성된 그래핀층의 일부를 물리적으로 선택 박리시킴으로써, 기판 상에 균일한 선폭을 갖는 원하는 형태의 그래핀 패턴을 간단하고 손쉽게 제작할 수 있으며, 또한 회전체 스템프를 이용하는 롤투롤 방식 또는 대면적 스템프를 이용하는 방식으로 기판 상에 형성된 그래핀층의 일부를 물리적으로 선택 박리시킴으로써, 대면적의 기판 상에 균일한 선폭을 갖는 원하는 형태의 그래핀 패턴을 간단하고 손쉽게 제작할 수 있다.

公开(公告)号：KR101431595B1

公开(公告)日：2014-08-22

申请号：KR1020120048247

申请日：2012-05-07

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  정대성 ,  이영국 ,  안기석 ,  김성준 ,  강성구

IPC: G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C14/185 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0281

Abstract: 기재 상에 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 형성하고 고분자 지지층을 형성한 뒤 기재를 제거하여 수득하는 전사용 시트는, 원하는 다른 기재 상에 접착한 뒤 고분자 지지층을 제거함으로써 금속 산화물/질화물/황화물 박막을 전사 하는데 유용하게 사용될 수 있으며, 이와 같이 전사된 금속 산화물/질화물/황화물 박막은 원하는 두께로 형성될 수 있어서, 그래핀 전극 등을 사용하는 다양한 전자 소자의 제조를 보다 용이하게 할 수 있다.

公开(公告)号：KR101174670B1

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：KR1020110045313

申请日：2011-05-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  정대성 ,  안기석 ,  박보근 ,  이영국 ,  김창균 ,  정택모 ,  신용숙 ,  정석종

IPC: H01L21/027 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/0274 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78606

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a patterned graphene applied to a graphene based device is provided to manufacture a single-multilayered graphene with a desirable pattern by using a patterned metal catalyst layer. CONSTITUTION: A substrate is prepared. A mask is fixed to the substrate. A patterned metal catalyst layer is formed on the substrate. A graphene layer is grown on the metal catalyst layer. The grown graphene layer is transferred to the insulation layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造施加到基于石墨烯的器件的图案化石墨烯的方法，以通过使用图案化的金属催化剂层制造具有所需图案的单层多层石墨烯。 构成：制备底物。 掩模固定在基板上。 在基板上形成图案化的金属催化剂层。 在金属催化剂层上生长石墨烯层。 生长的石墨烯层被转移到绝缘层。

公开(公告)号：KR1020120127070A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：KR1020110045303

申请日：2011-05-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  정민욱 ,  박보근 ,  정석종 ,  이영국 ,  정택모 ,  김창균 ,  안기석 ,  신용숙 ,  정대성

IPC: C01B31/02 ,  H01B1/04 ,  H01L21/20 ,  C23C16/26

CPC classification number: C01B32/194 ,  C01B2204/22 ,  C23C16/26 ,  H01B1/04 ,  H01L21/2026

Abstract: PURPOSE: Graphene and a manufacturing method of the same, a semiconductor device using the same, and a manufacturing method of the semiconductor are provided to control the electric characteristic of the graphene by generating the structural change of the graphene. CONSTITUTION: A manufacturing method of graphene controls the electric characteristic of graphene(104) by generating the structural change of the graphene. The structural change of the graphene is generated by doping nitrogen into the graphene based on nitrogen plasma treatment. The structural change of the graphene controls the electric characteristic of the graphene based on conductivity. The conductivity is controlled by the power of nitrogen plasma, the flux of nitrogen, the generating pressure of the nitrogen plasma, and the contact time of the nitrogen plasma and the graphene.

Abstract translation: 目的：提供石墨烯及其制造方法，使用该方法的半导体装置和半导体的制造方法，以通过产生石墨烯的结构变化来控制石墨烯的电特性。 构成：石墨烯的制造方法通过产生石墨烯的结构变化来控制石墨烯（104）的电特性。 石墨烯的结构变化是通过基于氮等离子体处理将氮掺杂到石墨烯中而产生的。 石墨烯的结构变化基于导电性控制石墨烯的电特性。 电导率由氮等离子体的功率，氮通量，氮等离子体的产生压力以及氮等离子体和石墨烯的接触时间来控制。

公开(公告)号：KR1020120127069A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：KR1020110045302

申请日：2011-05-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  정대성 ,  김한선 ,  안기석 ,  정택모 ,  김창균 ,  이영국

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B32B43/006 ,  B32B2313/04 ,  B81C1/00492 ,  B81C99/0025 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/304 ,  Y10T156/195 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/42

Abstract: PURPOSE: A method and apparatus for forming a graphene pattern using a stripping method are provided to easily form the graphene pattern having a uniform line width on a substrate by selectively stripping a part of a graphene layer formed on the substrate using a polymer stamp. CONSTITUTION: A graphene layer(104a) is formed on a substrate(102). A graphene stripping layer(108) is formed on a pattern surface of a polymer stamp(106) having a raised pattern. The pattern surface of the polymer stamp is attached with a target location of the graphene layer. The graphene layer attached to the raised pattern of the polymer stamp is selectively stripped from the substrate. The graphene pattern layer is formed on the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种使用剥离方法形成石墨烯图案的方法和装置，通过使用聚合物印模选择性地剥离在基板上形成的石墨烯层的一部分，以容易地在基板上形成具有均匀线宽的石墨烯图案。 构成：石墨烯层（104a）形成在基板（102）上。 在具有凸起图案的聚合物印模（106）的图案表面上形成石墨烯剥离层（108）。 聚合物印模的图案表面附着有石墨烯层的目标位置。 附着在聚合物印模的凸起图案上的石墨烯层从衬底中选择性剥离。 石墨烯图案层形成在基板上。

公开(公告)号：KR101218580B1

公开(公告)日：2013-01-21

申请号：KR1020110045302

申请日：2011-05-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  정대성 ,  김한선 ,  안기석 ,  정택모 ,  김창균 ,  이영국

IPC: H01L21/027

CPC classification number: B32B43/006 ,  B32B2313/04 ,  B81C1/00492 ,  B81C99/0025 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  H01L21/304 ,  Y10T156/195

Abstract: 본 발명은, 고분자 스템프를 이용하는 박리 기법을 이용하여 목표로 하는 임의의 패턴을 갖는 그래핀 패턴을 형성하는데 적합한 박리 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 기법에 관한 것으로, 이를 위하여 본 발명은, 고분자 스템프를 이용하여 기판 상에 형성된 그래핀층의 일부를 물리적으로 선택 박리시킴으로써, 기판 상에 균일한 선폭을 갖는 원하는 형태의 그래핀 패턴을 간단하고 손쉽게 제작할 수 있으며, 또한 회전체 스템프를 이용하는 롤투롤 방식 또는 대면적 스템프를 이용하는 방식으로 기판 상에 형성된 그래핀층의 일부를 물리적으로 선택 박리시킴으로써, 대면적의 기판 상에 균일한 선폭을 갖는 원하는 형태의 그래핀 패턴을 간단하고 손쉽게 제작할 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR1020130124820A

公开(公告)日：2013-11-15

申请号：KR1020120048247

申请日：2012-05-07

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  정대성 ,  이영국 ,  안기석 ,  김성준 ,  강성구

IPC: G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C16/403 ,  C23C14/185 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0281 ,  B32B9/041 ,  H01L29/1606

Abstract: A transfer sheet is obtained by removing a base material after forming a metal oxide/nitride/sulfide thin film and a polymer support layer on the base material. The transfer sheet is used for transferring the metal oxide/nitride/sulfide thin film by removing the polymer support layer after the polymer support layer is attached to the desired base material. Various electronic devices using a graphene electrode and the like are easily used by forming the transferred metal oxide/nitride/sulfide thin film with a desired thickness.

Abstract translation: 通过在基材上形成金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜和聚合物载体层之后除去基材来获得转印片。 转印片用于在聚合物支撑层附着到所需的基材上之后通过除去聚合物支撑层来转移金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜。 通过形成所需厚度的转移的金属氧化物/氮化物/硫化物薄膜，易于使用使用石墨烯电极等的各种电子装置。