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公开(公告)号：KR100756320B1
公开(公告)日：2007-09-07
申请号：KR1020050056879
申请日：2005-06-29
Applicant: 한국화학연구원 , 단국대학교 산학협력단
IPC: H01L21/335 , H01L29/78 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 금속성 탄소나노튜브 소자 및 약한 반도성을 띠는 나노튜브소자의 금속전극-탄소나노튜브 계면에 단백질이 코팅된 나노입자를 흡착시켜, 반도성 나노튜브에서는 트랜지스터의 특성이 개선되는 효과를 얻을 수 있고, 금속성 나노튜브에서도 게이트 전압을 이용하여 채널의 전류를 크게 변화시킬 수 있는 트랜지스터 작동 효과를 얻을 수 있도록 탄소나노튜브 트랜지스터의 금속 전극과 탄소나노튜브의 계면을 단백질 나노입자로 표면개질시키는 계면공학을 수행한 것으로서, 이빔리소그라피 또는 포토리소그라피를 이용하여 제작된 탄소나노튜브 소자와 금속전극 사이에 단백질이 코팅된 나노입자를 고정화하여 게이트 전압에 보다 쉽게 반응하도록 한 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한 것이다.
탄소나노튜브, 단백질 나노입자, 트랜지스터, 금속전극, 계면-
公开(公告)号：KR1020070001405A
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：KR1020050056879
申请日：2005-06-29
Applicant: 한국화학연구원 , 단국대학교 산학협력단
IPC: H01L21/335 , H01L29/78 , B82Y40/00
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y40/00 , H01L21/02606 , H01L29/0669
Abstract: A carbon nano-tube using protein nanoparticles and its manufacturing method are provided to vary a current of a channel largely by absorbing nanoparticles coated with protein at an interface between a metal electrode and a carbon nano-tube. A carbon nano-tube transistor is comprised of a metal source electrode(30), a metal drain electrode, a gate, a channel region made of a carbon nano-tube(20). Nanoparticles(40) are absorbed at interfaces between the carbon nano-tube and the metal source electrode, and between the carbon nano-tube and the metal drain electrode. The nanoparticles are coated with protein and have charged states being easily changed according to variation of a gate voltage. The protein coated on the nanoparticles is streptavidin.
Abstract translation: 提供了使用蛋白质纳米颗粒的碳纳米管及其制造方法，以通过在金属电极和碳纳米管之间的界面处吸收由蛋白质包被的纳米粒子来改变通道的电流。 碳纳米管晶体管由金属源电极（30），金属漏电极，栅极，由碳纳米管（20）制成的沟道区域构成。 纳米颗粒（40）在碳纳米管和金属源电极之间以及碳纳米管和金属漏极之间的界面处被吸收。 纳米颗粒用蛋白质包被，并且根据栅极电压的变化容易地改变带电状态。 涂覆在纳米颗粒上的蛋白质是链霉亲和素。
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公开(公告)号：KR100692916B1
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020050057443
申请日：2005-06-30
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 쉽게 패터닝이 가능한 네가티브 포토레지스트인 SU-8 을 탄소 나노튜브 트랜지스터의 전극부분에 코팅하여 탄소 나노튜브 트랜지스터에 안정적인 p 도핑을 유도하고, 바이오센서로 이용하기 위해 전극을 절연시킬 수 있도록 한 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 탄소나노튜브의 양단부에 각각 전기적으로 접촉되는 소스 전극과 드레인 전극을 포함하는 탄소나노튜브 트랜지스터에 있어서,
상기 전극에 포토레지스트, 저분자 자기조립막 및 기타 폴리머 중 어느 하나가 코팅되는 것을 특징으로 하는 변형전극을 갖는 탄소 나노튜브 트랜지스터를 제공한다.
SU-8 네가티브 포토레지스트, 탄소 나노튜브, 트랜지스터, 저분자 자기조립막, 폴리머-
公开(公告)号：KR1020070002119A
公开(公告)日：2007-01-05
申请号：KR1020050057443
申请日：2005-06-30
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: H01L29/45 , B82Y10/00 , H01L21/02606 , H01L29/0669 , H01L29/41725 , H01L51/0048
Abstract: A carbon nanotube transistor having a deformation electrode is provided to increase the work function of a metal and to effectively induce hole doping by using an SU-8 negative photoresist on an electrode of the carbon nanotube transistor. An alignment marker is formed on a SiO2/Si substrate(10). A pattern of liquid catalyst is manufactured using a PMMA(polymethylmethacrylate) layer on the SiO2/Si substrate that is insulated by a SiO2 layer. The PMMA layer is removed by an acetone solution. A single walled carbon nanotube(14) is grown at CH4 and H2 atmosphere during 10 minutes in a furnace of 900 ‹C. An electrode(12) is formed by performing photolithography and thermal evaporation on the carbon nanotube. The electrode is connected to the carbon nanotube to configure a carbon nanotube transistor and then an SU-8 negative photoresist(16) is coated on the carbon nanotube transistor to form an insulating layer.
Abstract translation: 提供具有变形电极的碳纳米管晶体管，以增加金属的功函数，并且通过在碳纳米管晶体管的电极上使用SU-8负性光刻胶来有效地诱导空穴掺杂。 在SiO 2 / Si衬底（10）上形成取向标记。 使用由SiO 2层绝缘的SiO 2 / Si衬底上的PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）层制造液体催化剂的图案。 通过丙酮溶液除去PMMA层。 在900℃的炉中，在CH 4和H 2气氛下10分钟内生长单壁碳纳米管（14）。 通过对碳纳米管进行光刻和热蒸发来形成电极（12）。 电极与碳纳米管连接以构成碳纳米管晶体管，然后在碳纳米管晶体管上涂覆SU-8负性光致抗蚀剂（16）以形成绝缘层。
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