Abstract:
A semiconductor nano device is provided to improve sensitivity of a gas sensor and to reduce sensor size by coating metal nano particles on a surface of a carbon nanotube transistor. An alignment marker is formed on a SiO2/Si substrate(10). A pattern of liquid catalyst is manufactured using a PMMA(polymethylmethacrylate) layer on the SiO2/Si substrate that is insulated by a SiO2 layer. The PMMA layer is removed by an acetone solution. A single walled carbon nanotube(14) is grown at CH4 and H2 atmosphere during 10 minutes in a furnace of 900 ‹C. An electrode(12) is formed by performing photolithography and thermal evaporation on the carbon nanotube, thereby configuring a carbon nanotube transistor. A metal nano particle(16) is coated on a surface of the carbon nanotube transistor.
Abstract:
본 발명은 반도체 나노소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 p 형 반도체 나노구조인 경우 일함수가 낮은 Al 등의 금속 나노입자나 유기물을 코팅하고, n 형 반도체 나노구조인 경우 일함수가 높은 Pd 금속 나노입자를 코팅하여 나노구조체의 감도를 향상시킬 수 있도록 한 반도체 나노소자에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 탄소 나노튜브, 반도체 나노와이어 및 각종 나노구조체를 이용한 트랜지스터 또는 소자에 있어서, 상기 트랜지스터들 또는 소자들 중 어느 하나의 채널에 일함수가 다른 금속 나노입자 또는 촉매역할을 하는 금속 나노입자가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소자를 제공한다. 탄소 나노튜브, 반도체 나노와이어, 나노구조체, 채널, 금속 나노입자, 일함수
Abstract:
본 발명은 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 금속성 탄소나노튜브 소자 및 약한 반도성을 띠는 나노튜브소자의 금속전극-탄소나노튜브 계면에 단백질이 코팅된 나노입자를 흡착시켜, 반도성 나노튜브에서는 트랜지스터의 특성이 개선되는 효과를 얻을 수 있고, 금속성 나노튜브에서도 게이트 전압을 이용하여 채널의 전류를 크게 변화시킬 수 있는 트랜지스터 작동 효과를 얻을 수 있도록 탄소나노튜브 트랜지스터의 금속 전극과 탄소나노튜브의 계면을 단백질 나노입자로 표면개질시키는 계면공학을 수행한 것으로서, 이빔리소그라피 또는 포토리소그라피를 이용하여 제작된 탄소나노튜브 소자와 금속전극 사이에 단백질이 코팅된 나노입자를 고정화하여 게이트 전압에 보다 쉽게 반응하도록 한 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한 것이다. 탄소나노튜브, 단백질 나노입자, 트랜지스터, 금속전극, 계면
Abstract:
A carbon nano-tube using protein nanoparticles and its manufacturing method are provided to vary a current of a channel largely by absorbing nanoparticles coated with protein at an interface between a metal electrode and a carbon nano-tube. A carbon nano-tube transistor is comprised of a metal source electrode(30), a metal drain electrode, a gate, a channel region made of a carbon nano-tube(20). Nanoparticles(40) are absorbed at interfaces between the carbon nano-tube and the metal source electrode, and between the carbon nano-tube and the metal drain electrode. The nanoparticles are coated with protein and have charged states being easily changed according to variation of a gate voltage. The protein coated on the nanoparticles is streptavidin.
Abstract:
본 발명은 고분자 매개성 그래핀 전사법을 이용하되, 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재(substrate)를 제조하는 방법; 그래핀 표면으로부터 잔류물 없이 고분자를 제거하는 방법; 그래핀 상 고분자 패턴 형성 방법; 유기용매 처리시 고분자층이 제거되지 않도록 그래핀 상에 고분자 층을 고정하는 방법; 및 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재를 포함하는 전기전자소자에 관한 것이다. 본 발명은 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태를 결정하고, 상기 결정된 금속 표면 상태로 금속 함유 층을 변화시키는 조건을 결정하는 것이 특징이다.
Abstract:
본 발명은 아미노싸이올레이트 리간드를 이용한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화금속 박막을 형성할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 그래핀의 화학반응 투명성을 이용하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전자 전달을 방해하지 않으면서 산소의 확산을 막는 그래핀을 활용함으로써 그래핀 표면에서 촉매반응에 의해 원하는 물질을 형성시킬 수 있는 방법 및 이의 응용 방법에 관한 것이다.
Abstract:
본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다. [화학식 1]
(상기 식에서, R 1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R 2 , R 3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R 4 , R 5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)