반도체 나노소자
    1.
    发明授权
    반도체 나노소자 失效
    半导体纳米元件

    公开(公告)号:KR100820102B1

    公开(公告)日:2008-04-10

    申请号:KR1020050057421

    申请日:2005-06-30

    Abstract: 본 발명은 반도체 나노소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 p 형 반도체 나노구조인 경우 일함수가 낮은 Al 등의 금속 나노입자나 유기물을 코팅하고, n 형 반도체 나노구조인 경우 일함수가 높은 Pd 금속 나노입자를 코팅하여 나노구조체의 감도를 향상시킬 수 있도록 한 반도체 나노소자에 관한 것이다.
    이를 위해, 본 발명은 탄소 나노튜브, 반도체 나노와이어 및 각종 나노구조체를 이용한 트랜지스터 또는 소자에 있어서,
    상기 트랜지스터들 또는 소자들 중 어느 하나의 채널에 일함수가 다른 금속 나노입자 또는 촉매역할을 하는 금속 나노입자가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소자를 제공한다.
    탄소 나노튜브, 반도체 나노와이어, 나노구조체, 채널, 금속 나노입자, 일함수

    반도체 나노소자
    2.
    发明公开
    반도체 나노소자 失效
    SEMICONDUCTOR NANO-ELEMENT

    公开(公告)号:KR1020070002111A

    公开(公告)日:2007-01-05

    申请号:KR1020050057421

    申请日:2005-06-30

    Abstract: A semiconductor nano device is provided to improve sensitivity of a gas sensor and to reduce sensor size by coating metal nano particles on a surface of a carbon nanotube transistor. An alignment marker is formed on a SiO2/Si substrate(10). A pattern of liquid catalyst is manufactured using a PMMA(polymethylmethacrylate) layer on the SiO2/Si substrate that is insulated by a SiO2 layer. The PMMA layer is removed by an acetone solution. A single walled carbon nanotube(14) is grown at CH4 and H2 atmosphere during 10 minutes in a furnace of 900 ‹C. An electrode(12) is formed by performing photolithography and thermal evaporation on the carbon nanotube, thereby configuring a carbon nanotube transistor. A metal nano particle(16) is coated on a surface of the carbon nanotube transistor.

    Abstract translation: 提供半导体纳米器件以提高气体传感器的灵敏度,并通过在碳纳米管晶体管的表面上涂覆金属纳米颗粒来减小传感​​器尺寸。 在SiO 2 / Si衬底(10)上形成取向标记。 使用由SiO 2层绝缘的SiO 2 / Si衬底上的PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)层制造液体催化剂的图案。 通过丙酮溶液除去PMMA层。 在900℃的炉中,在CH 4和H 2气氛下10分钟内生长单壁碳纳米管(14)。 通过在碳纳米管上进行光刻和热蒸发形成电极(12),从而构成碳纳米管晶体管。 金属纳米颗粒(16)涂覆在碳纳米管晶体管的表面上。

    탄소나노튜브 트랜지스터 및 그 제조 방법
    3.
    发明公开
    탄소나노튜브 트랜지스터 및 그 제조 방법 无效
    碳纳米管晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020100002842A

    公开(公告)日:2010-01-07

    申请号:KR1020080062886

    申请日:2008-06-30

    CPC classification number: H01L29/0669 H01L29/0673 H01L29/45 H01L51/0048

    Abstract: PURPOSE: A carbon nanotube transistor and a manufacturing method thereof are provided to maintain the characteristics of an n-type semiconductor in air for long time by using a gadolinium as a source electrode and a drain electrode. CONSTITUTION: In a carbon nanotube transistor and a manufacturing method thereof, a source electrode(12) is formed on a substrate. A drain electrode(14) is formed on the substrate, and the carbon nanotube channel(18) interlinks the source electrode and the drain electrode. A part or greater of the drain electrode and source electrode is formed with a gadolinium metal. The carbon nanotube channel has the characteristics of n-type semiconductor chip.

    Abstract translation: 目的:提供一种碳纳米管晶体管及其制造方法,其通过使用钆作为源电极和漏电极,将n型半导体的特性长时间地维持在空气中。 构成:在碳纳米管晶体管及其制造方法中,在基板上形成源电极(12)。 在基板上形成漏电极(14),碳纳米管通道(18)将源电极和漏电极互连。 漏电极和源电极的一部分或更多部分由钆金属形成。 碳纳米管通道具有n型半导体芯片的特性。

    단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및이의 제조 방법
    4.
    发明授权
    단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및이의 제조 방법 失效
    使用蛋白纳米颗粒的碳纳米管晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR100756320B1

    公开(公告)日:2007-09-07

    申请号:KR1020050056879

    申请日:2005-06-29

    Abstract: 본 발명은 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 금속성 탄소나노튜브 소자 및 약한 반도성을 띠는 나노튜브소자의 금속전극-탄소나노튜브 계면에 단백질이 코팅된 나노입자를 흡착시켜, 반도성 나노튜브에서는 트랜지스터의 특성이 개선되는 효과를 얻을 수 있고, 금속성 나노튜브에서도 게이트 전압을 이용하여 채널의 전류를 크게 변화시킬 수 있는 트랜지스터 작동 효과를 얻을 수 있도록 탄소나노튜브 트랜지스터의 금속 전극과 탄소나노튜브의 계면을 단백질 나노입자로 표면개질시키는 계면공학을 수행한 것으로서, 이빔리소그라피 또는 포토리소그라피를 이용하여 제작된 탄소나노튜브 소자와 금속전극 사이에 단백질이 코팅된 나노입자를 고정화하여 게이트 전압에 보다 쉽게 반응하도록 한 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한 것이다.
    탄소나노튜브, 단백질 나노입자, 트랜지스터, 금속전극, 계면

    단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및이의 제조 방법
    5.
    发明公开
    단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및이의 제조 방법 失效
    使用蛋白质纳米颗粒的碳纳米管管晶体及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020070001405A

    公开(公告)日:2007-01-04

    申请号:KR1020050056879

    申请日:2005-06-29

    CPC classification number: H01L29/0665 B82Y40/00 H01L21/02606 H01L29/0669

    Abstract: A carbon nano-tube using protein nanoparticles and its manufacturing method are provided to vary a current of a channel largely by absorbing nanoparticles coated with protein at an interface between a metal electrode and a carbon nano-tube. A carbon nano-tube transistor is comprised of a metal source electrode(30), a metal drain electrode, a gate, a channel region made of a carbon nano-tube(20). Nanoparticles(40) are absorbed at interfaces between the carbon nano-tube and the metal source electrode, and between the carbon nano-tube and the metal drain electrode. The nanoparticles are coated with protein and have charged states being easily changed according to variation of a gate voltage. The protein coated on the nanoparticles is streptavidin.

    Abstract translation: 提供了使用蛋白质纳米颗粒的碳纳米管及其制造方法,以通过在金属电极和碳纳米管之间的界面处吸收由蛋白质包被的纳米粒子来改变通道的电流。 碳纳米管晶体管由金属源电极(30),金属漏电极,栅极,由碳纳米管(20)制成的沟道区域构成。 纳米颗粒(40)在碳纳米管和金属源电极之间以及碳纳米管和金属漏极之间的界面处被吸收。 纳米颗粒用蛋白质包被,并且根据栅极电压的变化容易地改变带电状态。 涂覆在纳米颗粒上的蛋白质是链霉亲和素。

    탄소나노튜브 트랜지스터 어레이에 미생물 유도형 마이크로플루이딕 채널이 접합된 미생물 검출센서, 그의 제조방법 및 이를 이용한 미생물 검출방법
    6.
    发明授权
    탄소나노튜브 트랜지스터 어레이에 미생물 유도형 마이크로플루이딕 채널이 접합된 미생물 검출센서, 그의 제조방법 및 이를 이용한 미생물 검출방법 有权
    使用与嵌入式MYCROFLICIC通道结合的碳纳米管阵列的微生物检测传感器及其检测微生物的方法

    公开(公告)号:KR101093225B1

    公开(公告)日:2011-12-13

    申请号:KR1020090025166

    申请日:2009-03-25

    Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터 어레이에 미생물 유도형 마이크로플루이딕 채널이 접합된 미생물 검출센서, 그의 제조방법 및 이를 이용한 미생물 검출방법에 관한 것이다.
    본 발명의 미생물 검출센서는 미생물을 특이적으로 결합할 수 있는 인식물질이 고정화된 탄소나노튜브 트랜지스터 어레이에, 미생물 유도형 마이크로플루이딕 채널을 접합한 구조이며, 상기 채널 내부에 패턴화된 마이크로구조체에 의해 타겟 미생물이 탄소나노튜브 표면으로 배열되도록 유도하여, 검출 시간을 단축하고, 감도를 향상시킬 수 있다. 특히, 본 발명의 미생물 검출센서는 용액 속의 타겟 미생물의 수가 적을 경우, 미생물이 단순 확산에 의해 센서 표면에 도달하는데 걸리는 시간을 획기적으로 단축할 수 있다. 나아가, 본 발명의 검출방법을 통하여, 시료내의 대장균을 20분 이내에 간단하게 측정할 수 있으며, 측정과정에서 복잡한 실험장비, 시설 또는 배양에 필요한 조건 등이 전혀 필요하지 않으므로 수질, 식품, 환경 등의 응용분야에서 간단하게 미생물 검출수단으로 응용될 수 있다.
    미생물, 탄소나노튜브, 나노 트랜지스터, 마이크로플루이딕 채널

    압타머를 이용한 탄소 나노튜브 트랜지스터 바이오센서 및이것을 이용한 타겟물질 검출 방법
    7.
    发明授权
    압타머를 이용한 탄소 나노튜브 트랜지스터 바이오센서 및이것을 이용한 타겟물질 검출 방법 有权
    具有适体的碳纳米管生物传感器作为分子识别元件以及使用其的感测目标材料的方法

    公开(公告)号:KR100748408B1

    公开(公告)日:2007-08-10

    申请号:KR1020050056195

    申请日:2005-06-28

    Abstract: 본 발명은 압타머를 이용한 탄소 나노튜브 트랜지스터 바이오센서 및 이것을 이용한 타겟물질(단백질) 검출 방법을 제공하고자 한 것이다.
    특히, 본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터의 채널영역을 구성하고 있는 탄소나노튜브 표면에 프로브 물질로서, 단백질에 높은 친화력을 가지는 DNA 핵산가닥인 압타머(Aptamer)를 흡착 고정시킴으로써, 이 압타머에 특정 타겟물질이 노출되었을 때 나타나는 탄소나노튜브의 전기적인 변화로 압타머와 특이적으로 결합하는 타겟(target)물질 즉, 특정분자(단백질, 펩티드, 아미노산, 유/무기화합물 등)의 검출이 가능한 압타머 및 탄소나노튜브 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 이것을 이용한 타겟물질 검출 방법을 제공하고자 한 것이다.
    탄소나노튜브 트랜지스터, 압타머, 바이오센서, 단백질, 피렌, 전기전도도 변화

    어레이 구조의 분자 전자 소자 및 그 제조 방법
    8.
    发明公开
    어레이 구조의 분자 전자 소자 및 그 제조 방법 失效
    具有结构稳定性的阵列型分子电子器件及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020050019969A

    公开(公告)日:2005-03-04

    申请号:KR1020030057136

    申请日:2003-08-19

    Abstract: PURPOSE: An array-type molecular electronic device and a method for fabricating the same are provided to achieve the structural stability by inserting a molecular layer into each nano-via hole. CONSTITUTION: An array-type molecular electronic device comprises a substrate, a plurality of lower electrodes, a molecular layer, a dielectric film and a plurality of upper electrodes. A plurality of lower electrodes(23) are formed on the substrate(21). A plurality of via holes are formed on the dielectric film(22) for exposing the lower electrode. The molecular layer is inserted into the respective via holes. The plurality of upper electrodes(27) are formed on the dielectric film including the molecular layer.

    Abstract translation: 目的:提供阵列型分子电子器件及其制造方法,以通过将分子层插入每个纳米通孔中来实现结构稳定性。 构成:阵列型分子电子器件包括衬底,多个下电极,分子层,电介质膜和多个上电极。 在基板(21)上形成有多个下电极(23)。 在电介质膜(22)上形成多个通孔,用于暴露下电极。 将分子层插入相应的通孔中。 多个上电极(27)形成在包含分子层的电介质膜上。

    탄소나노튜브 트랜지스터 어레이에 미생물 유도형 마이크로플루이딕 채널이 접합된 미생물 검출센서, 그의 제조방법 및 이를 이용한 미생물 검출방법
    9.
    发明公开
    탄소나노튜브 트랜지스터 어레이에 미생물 유도형 마이크로플루이딕 채널이 접합된 미생물 검출센서, 그의 제조방법 및 이를 이용한 미생물 검출방법 有权
    使用与嵌入式MYCROFLICIC通道结合的碳纳米管阵列的微生物检测传感器及其检测微生物的方法

    公开(公告)号:KR1020100107087A

    公开(公告)日:2010-10-05

    申请号:KR1020090025166

    申请日:2009-03-25

    Abstract: PURPOSE: A microorganism detection sensor is provided to induce arrangement of target microorganism to the surface of carbon nanotube and to improve sensitivity. CONSTITUTION: A microorganism detection sensor comprises: a gate formed on a silicon substrate(1); a metal source electrode(3) at one side of the gate; a metal drain electrode(3') at the opposite side of the gate; a carbon nanotube transistor array(10); a recognizing material which specifically binds to microorganism on the surface of the carbon nanotube; and microfluidic channel(5). A method for manufacturing microorganism detection sensor comprises: a step of forming a carbon nanotube transistor array comprising the metal source electrode, metal drain electrode, and gate; a step of fixing the fixing material on the surface of the carbon nanotube; a step of attaching the recognizing material which specifically binds to the microorganism; and a step of conjugating the microfluidic channel to the carbon nanotube transistor array.

    Abstract translation: 目的:提供微生物检测传感器,以诱导目标微生物排列到碳纳米管表面,提高敏感性。 构成:微生物检测传感器包括:形成在硅衬底(1)上的栅极; 栅极一侧的金属源电极(3); 在栅极的相对侧的金属漏电极(3'); 碳纳米管晶体管阵列(10); 与碳纳米管表面上的微生物特异性结合的识别材料; 和微流体通道(5)。 微生物检测传感器的制造方法包括:形成由金属源电极,金属漏电极和栅极构成的碳纳米管晶体管阵列的工序; 将固定材料固定在碳纳米管的表面上的步骤; 附着特异性结合微生物的识别材料的步骤; 以及将微流体通道与碳纳米管晶体管阵列共轭的步骤。

    탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법 및 그에 의한탄소나노튜브 트랜지스터
    10.
    发明授权
    탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법 및 그에 의한탄소나노튜브 트랜지스터 有权
    탄소나노튜브트랜지스터제조방법및그에의한탄소나노튜브트랜스스터터

    公开(公告)号:KR100930997B1

    公开(公告)日:2009-12-10

    申请号:KR1020080006535

    申请日:2008-01-22

    CPC classification number: H01L51/0048 B82Y10/00 H01L51/0545

    Abstract: 본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법은 소스 전극과 드레인 전극 사이에 탄소나노튜브 채널이 형성되어 있으며, 상기 탄소나노튜브 채널 일측에 게이트 전극이 형성되어 있는 탄소나노튜브 트랜지스터를 제조하는 방법으로서, a) 기판상에 상기 탄소나노튜브 채널을 형성하는 단계; b) 상기 탄소나노튜브 채널의 양단에 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 전기적으로 각각 연결하는 단계; 및 c) 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 스트레스 전압을 인가하여, 상기 탄소나노튜브 채널 내 금속성을 제거하는 단계;를 포함한다.
    본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법에 의하면, 트랜지스터 소자 내에서 채널로 이용되며, 금속성과 반도체성이 혼재되어 있는 탄소나노튜브에서 금속성 부분을 선택적으로 제거할 수 있다.
    탄소나노튜브

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造碳纳米管晶体管的方法,其中在源电极和漏电极之间形成碳纳米管沟道并且在碳纳米管沟道的一侧形成栅电极,所述方法包括以下步骤: :(a)在基板上形成碳纳米管沟道; (b)将源电极和漏电极分别电连接到碳纳米管沟道的两端; 和(c)在所述源电极和所述漏电极之间施加应力电压以去除所述碳纳米管沟道的金属性。 根据本发明的制造碳纳米管晶体管的方法,可以从用作晶体管的沟道的碳纳米管中选择性地去除金属部分,并且具有彼此混合的金属特性和半导体特性。

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