Abstract:
본 발명은 반도체 나노소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 p 형 반도체 나노구조인 경우 일함수가 낮은 Al 등의 금속 나노입자나 유기물을 코팅하고, n 형 반도체 나노구조인 경우 일함수가 높은 Pd 금속 나노입자를 코팅하여 나노구조체의 감도를 향상시킬 수 있도록 한 반도체 나노소자에 관한 것이다. 이를 위해, 본 발명은 탄소 나노튜브, 반도체 나노와이어 및 각종 나노구조체를 이용한 트랜지스터 또는 소자에 있어서, 상기 트랜지스터들 또는 소자들 중 어느 하나의 채널에 일함수가 다른 금속 나노입자 또는 촉매역할을 하는 금속 나노입자가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소자를 제공한다. 탄소 나노튜브, 반도체 나노와이어, 나노구조체, 채널, 금속 나노입자, 일함수
Abstract:
A semiconductor nano device is provided to improve sensitivity of a gas sensor and to reduce sensor size by coating metal nano particles on a surface of a carbon nanotube transistor. An alignment marker is formed on a SiO2/Si substrate(10). A pattern of liquid catalyst is manufactured using a PMMA(polymethylmethacrylate) layer on the SiO2/Si substrate that is insulated by a SiO2 layer. The PMMA layer is removed by an acetone solution. A single walled carbon nanotube(14) is grown at CH4 and H2 atmosphere during 10 minutes in a furnace of 900 ‹C. An electrode(12) is formed by performing photolithography and thermal evaporation on the carbon nanotube, thereby configuring a carbon nanotube transistor. A metal nano particle(16) is coated on a surface of the carbon nanotube transistor.
Abstract:
PURPOSE: A carbon nanotube transistor and a manufacturing method thereof are provided to maintain the characteristics of an n-type semiconductor in air for long time by using a gadolinium as a source electrode and a drain electrode. CONSTITUTION: In a carbon nanotube transistor and a manufacturing method thereof, a source electrode(12) is formed on a substrate. A drain electrode(14) is formed on the substrate, and the carbon nanotube channel(18) interlinks the source electrode and the drain electrode. A part or greater of the drain electrode and source electrode is formed with a gadolinium metal. The carbon nanotube channel has the characteristics of n-type semiconductor chip.
Abstract:
본 발명은 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 금속성 탄소나노튜브 소자 및 약한 반도성을 띠는 나노튜브소자의 금속전극-탄소나노튜브 계면에 단백질이 코팅된 나노입자를 흡착시켜, 반도성 나노튜브에서는 트랜지스터의 특성이 개선되는 효과를 얻을 수 있고, 금속성 나노튜브에서도 게이트 전압을 이용하여 채널의 전류를 크게 변화시킬 수 있는 트랜지스터 작동 효과를 얻을 수 있도록 탄소나노튜브 트랜지스터의 금속 전극과 탄소나노튜브의 계면을 단백질 나노입자로 표면개질시키는 계면공학을 수행한 것으로서, 이빔리소그라피 또는 포토리소그라피를 이용하여 제작된 탄소나노튜브 소자와 금속전극 사이에 단백질이 코팅된 나노입자를 고정화하여 게이트 전압에 보다 쉽게 반응하도록 한 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한 것이다. 탄소나노튜브, 단백질 나노입자, 트랜지스터, 금속전극, 계면
Abstract:
A carbon nano-tube using protein nanoparticles and its manufacturing method are provided to vary a current of a channel largely by absorbing nanoparticles coated with protein at an interface between a metal electrode and a carbon nano-tube. A carbon nano-tube transistor is comprised of a metal source electrode(30), a metal drain electrode, a gate, a channel region made of a carbon nano-tube(20). Nanoparticles(40) are absorbed at interfaces between the carbon nano-tube and the metal source electrode, and between the carbon nano-tube and the metal drain electrode. The nanoparticles are coated with protein and have charged states being easily changed according to variation of a gate voltage. The protein coated on the nanoparticles is streptavidin.
Abstract:
본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터 어레이에 미생물 유도형 마이크로플루이딕 채널이 접합된 미생물 검출센서, 그의 제조방법 및 이를 이용한 미생물 검출방법에 관한 것이다. 본 발명의 미생물 검출센서는 미생물을 특이적으로 결합할 수 있는 인식물질이 고정화된 탄소나노튜브 트랜지스터 어레이에, 미생물 유도형 마이크로플루이딕 채널을 접합한 구조이며, 상기 채널 내부에 패턴화된 마이크로구조체에 의해 타겟 미생물이 탄소나노튜브 표면으로 배열되도록 유도하여, 검출 시간을 단축하고, 감도를 향상시킬 수 있다. 특히, 본 발명의 미생물 검출센서는 용액 속의 타겟 미생물의 수가 적을 경우, 미생물이 단순 확산에 의해 센서 표면에 도달하는데 걸리는 시간을 획기적으로 단축할 수 있다. 나아가, 본 발명의 검출방법을 통하여, 시료내의 대장균을 20분 이내에 간단하게 측정할 수 있으며, 측정과정에서 복잡한 실험장비, 시설 또는 배양에 필요한 조건 등이 전혀 필요하지 않으므로 수질, 식품, 환경 등의 응용분야에서 간단하게 미생물 검출수단으로 응용될 수 있다. 미생물, 탄소나노튜브, 나노 트랜지스터, 마이크로플루이딕 채널
Abstract:
본 발명은 압타머를 이용한 탄소 나노튜브 트랜지스터 바이오센서 및 이것을 이용한 타겟물질(단백질) 검출 방법을 제공하고자 한 것이다. 특히, 본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터의 채널영역을 구성하고 있는 탄소나노튜브 표면에 프로브 물질로서, 단백질에 높은 친화력을 가지는 DNA 핵산가닥인 압타머(Aptamer)를 흡착 고정시킴으로써, 이 압타머에 특정 타겟물질이 노출되었을 때 나타나는 탄소나노튜브의 전기적인 변화로 압타머와 특이적으로 결합하는 타겟(target)물질 즉, 특정분자(단백질, 펩티드, 아미노산, 유/무기화합물 등)의 검출이 가능한 압타머 및 탄소나노튜브 트랜지스터를 이용한 바이오센서 및 이것을 이용한 타겟물질 검출 방법을 제공하고자 한 것이다. 탄소나노튜브 트랜지스터, 압타머, 바이오센서, 단백질, 피렌, 전기전도도 변화
Abstract:
PURPOSE: An array-type molecular electronic device and a method for fabricating the same are provided to achieve the structural stability by inserting a molecular layer into each nano-via hole. CONSTITUTION: An array-type molecular electronic device comprises a substrate, a plurality of lower electrodes, a molecular layer, a dielectric film and a plurality of upper electrodes. A plurality of lower electrodes(23) are formed on the substrate(21). A plurality of via holes are formed on the dielectric film(22) for exposing the lower electrode. The molecular layer is inserted into the respective via holes. The plurality of upper electrodes(27) are formed on the dielectric film including the molecular layer.
Abstract:
PURPOSE: A microorganism detection sensor is provided to induce arrangement of target microorganism to the surface of carbon nanotube and to improve sensitivity. CONSTITUTION: A microorganism detection sensor comprises: a gate formed on a silicon substrate(1); a metal source electrode(3) at one side of the gate; a metal drain electrode(3') at the opposite side of the gate; a carbon nanotube transistor array(10); a recognizing material which specifically binds to microorganism on the surface of the carbon nanotube; and microfluidic channel(5). A method for manufacturing microorganism detection sensor comprises: a step of forming a carbon nanotube transistor array comprising the metal source electrode, metal drain electrode, and gate; a step of fixing the fixing material on the surface of the carbon nanotube; a step of attaching the recognizing material which specifically binds to the microorganism; and a step of conjugating the microfluidic channel to the carbon nanotube transistor array.
Abstract:
본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법은 소스 전극과 드레인 전극 사이에 탄소나노튜브 채널이 형성되어 있으며, 상기 탄소나노튜브 채널 일측에 게이트 전극이 형성되어 있는 탄소나노튜브 트랜지스터를 제조하는 방법으로서, a) 기판상에 상기 탄소나노튜브 채널을 형성하는 단계; b) 상기 탄소나노튜브 채널의 양단에 상기 소스 전극 및 드레인 전극을 전기적으로 각각 연결하는 단계; 및 c) 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 스트레스 전압을 인가하여, 상기 탄소나노튜브 채널 내 금속성을 제거하는 단계;를 포함한다. 본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터 제조 방법에 의하면, 트랜지스터 소자 내에서 채널로 이용되며, 금속성과 반도체성이 혼재되어 있는 탄소나노튜브에서 금속성 부분을 선택적으로 제거할 수 있다. 탄소나노튜브