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    반도체 나노소자
    1.
    发明公开
    반도체 나노소자 失效
    SEMICONDUCTOR NANO-ELEMENT

    公开(公告)号：KR1020070002111A

    公开(公告)日：2007-01-05

    申请号：KR1020050057421

    申请日：2005-06-30

    Applicant: 한국화학연구원 ,  단국대학교 산학협력단

    Inventor： 이정오 ,  소혜미 ,  공기정 ,  김병계 ,  장현주 ,  류병환 ,  박노정 ,  최영민

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/33 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00

    CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02606 ,  H01L29/0669 ,  H01L51/0048

    Abstract: A semiconductor nano device is provided to improve sensitivity of a gas sensor and to reduce sensor size by coating metal nano particles on a surface of a carbon nanotube transistor. An alignment marker is formed on a SiO2/Si substrate(10). A pattern of liquid catalyst is manufactured using a PMMA(polymethylmethacrylate) layer on the SiO2/Si substrate that is insulated by a SiO2 layer. The PMMA layer is removed by an acetone solution. A single walled carbon nanotube(14) is grown at CH4 and H2 atmosphere during 10 minutes in a furnace of 900 ‹C. An electrode(12) is formed by performing photolithography and thermal evaporation on the carbon nanotube, thereby configuring a carbon nanotube transistor. A metal nano particle(16) is coated on a surface of the carbon nanotube transistor.

    Abstract translation: 提供半导体纳米器件以提高气体传感器的灵敏度，并通过在碳纳米管晶体管的表面上涂覆金属纳米颗粒来减小传感​​器尺寸。 在SiO 2 / Si衬底（10）上形成取向标记。 使用由SiO 2层绝缘的SiO 2 / Si衬底上的PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）层制造液体催化剂的图案。 通过丙酮溶液除去PMMA层。 在900℃的炉中，在CH 4和H 2气氛下10分钟内生长单壁碳纳米管（14）。 通过在碳纳米管上进行光刻和热蒸发形成电极（12），从而构成碳纳米管晶体管。 金属纳米颗粒（16）涂覆在碳纳米管晶体管的表面上。

    반도체 나노소자
    2.
    发明授权
    반도체 나노소자 失效
    半导体纳米元件

    公开(公告)号：KR100820102B1

    公开(公告)日：2008-04-10

    申请号：KR1020050057421

    申请日：2005-06-30

    Applicant: 한국화학연구원 ,  단국대학교 산학협력단

    Inventor： 이정오 ,  소혜미 ,  공기정 ,  김병계 ,  장현주 ,  류병환 ,  박노정 ,  최영민

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/33 ,  B82B3/00 ,  B82Y10/00

    Abstract: 본 발명은 반도체 나노소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 p 형 반도체 나노구조인 경우 일함수가 낮은 Al 등의 금속 나노입자나 유기물을 코팅하고, n 형 반도체 나노구조인 경우 일함수가 높은 Pd 금속 나노입자를 코팅하여 나노구조체의 감도를 향상시킬 수 있도록 한 반도체 나노소자에 관한 것이다.
    이를 위해, 본 발명은 탄소 나노튜브, 반도체 나노와이어 및 각종 나노구조체를 이용한 트랜지스터 또는 소자에 있어서,
    상기 트랜지스터들 또는 소자들 중 어느 하나의 채널에 일함수가 다른 금속 나노입자 또는 촉매역할을 하는 금속 나노입자가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 나노소자를 제공한다.
    탄소 나노튜브, 반도체 나노와이어, 나노구조체, 채널, 금속 나노입자, 일함수

    탄소나노튜브 트랜지스터 및 그 제조 방법
    3.
    发明公开
    탄소나노튜브 트랜지스터 및 그 제조 방법 无效
    碳纳米管晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020100002842A

    公开(公告)日：2010-01-07

    申请号：KR1020080062886

    申请日：2008-06-30

    Applicant: 한국화학연구원 ,  전북대학교산학협력단 ,  단국대학교 산학협력단

    Inventor： 이정오 ,  장현주 ,  소혜미 ,  김주진 ,  김효숙 ,  박노정

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00

    CPC classification number: H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/45 ,  H01L51/0048

    Abstract: PURPOSE: A carbon nanotube transistor and a manufacturing method thereof are provided to maintain the characteristics of an n-type semiconductor in air for long time by using a gadolinium as a source electrode and a drain electrode. CONSTITUTION: In a carbon nanotube transistor and a manufacturing method thereof, a source electrode(12) is formed on a substrate. A drain electrode(14) is formed on the substrate, and the carbon nanotube channel(18) interlinks the source electrode and the drain electrode. A part or greater of the drain electrode and source electrode is formed with a gadolinium metal. The carbon nanotube channel has the characteristics of n-type semiconductor chip.

    Abstract translation: 目的：提供一种碳纳米管晶体管及其制造方法，其通过使用钆作为源电极和漏电极，将n型半导体的特性长时间地维持在空气中。 构成：在碳纳米管晶体管及其制造方法中，在基板上形成源电极（12）。 在基板上形成漏电极（14），碳纳米管通道（18）将源电极和漏电极互连。 漏电极和源电极的一部分或更多部分由钆金属形成。 碳纳米管通道具有n型半导体芯片的特性。

    단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및이의 제조 방법
    4.
    发明授权
    단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및이의 제조 방법 失效
    使用蛋白纳米颗粒的碳纳米管晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：KR100756320B1

    公开(公告)日：2007-09-07

    申请号：KR1020050056879

    申请日：2005-06-29

    Applicant: 한국화학연구원 ,  단국대학교 산학협력단

    Inventor： 이정오 ,  소혜미 ,  공기정 ,  김병계 ,  장현주 ,  류병환 ,  나필선 ,  최영민 ,  박노정

    IPC: H01L21/335 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

    Abstract: 본 발명은 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로서, 금속성 탄소나노튜브 소자 및 약한 반도성을 띠는 나노튜브소자의 금속전극-탄소나노튜브 계면에 단백질이 코팅된 나노입자를 흡착시켜, 반도성 나노튜브에서는 트랜지스터의 특성이 개선되는 효과를 얻을 수 있고, 금속성 나노튜브에서도 게이트 전압을 이용하여 채널의 전류를 크게 변화시킬 수 있는 트랜지스터 작동 효과를 얻을 수 있도록 탄소나노튜브 트랜지스터의 금속 전극과 탄소나노튜브의 계면을 단백질 나노입자로 표면개질시키는 계면공학을 수행한 것으로서, 이빔리소그라피 또는 포토리소그라피를 이용하여 제작된 탄소나노튜브 소자와 금속전극 사이에 단백질이 코팅된 나노입자를 고정화하여 게이트 전압에 보다 쉽게 반응하도록 한 단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및 이의 제조 방법을 제공하고자 한 것이다.
    탄소나노튜브, 단백질 나노입자, 트랜지스터, 금속전극, 계면

    단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및이의 제조 방법
    5.
    发明公开
    단백질 나노입자를 이용한 탄소나노튜브 트랜지스터 및이의 제조 방법 失效
    使用蛋白质纳米颗粒的碳纳米管管晶体及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020070001405A

    公开(公告)日：2007-01-04

    申请号：KR1020050056879

    申请日：2005-06-29

    Applicant: 한국화학연구원 ,  단국대학교 산학협력단

    Inventor： 이정오 ,  소혜미 ,  공기정 ,  김병계 ,  장현주 ,  류병환 ,  나필선 ,  최영민 ,  박노정

    IPC: H01L21/335 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: H01L29/0665 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02606 ,  H01L29/0669

    Abstract: A carbon nano-tube using protein nanoparticles and its manufacturing method are provided to vary a current of a channel largely by absorbing nanoparticles coated with protein at an interface between a metal electrode and a carbon nano-tube. A carbon nano-tube transistor is comprised of a metal source electrode(30), a metal drain electrode, a gate, a channel region made of a carbon nano-tube(20). Nanoparticles(40) are absorbed at interfaces between the carbon nano-tube and the metal source electrode, and between the carbon nano-tube and the metal drain electrode. The nanoparticles are coated with protein and have charged states being easily changed according to variation of a gate voltage. The protein coated on the nanoparticles is streptavidin.

    Abstract translation: 提供了使用蛋白质纳米颗粒的碳纳米管及其制造方法，以通过在金属电极和碳纳米管之间的界面处吸收由蛋白质包被的纳米粒子来改变通道的电流。 碳纳米管晶体管由金属源电极（30），金属漏电极，栅极，由碳纳米管（20）制成的沟道区域构成。 纳米颗粒（40）在碳纳米管和金属源电极之间以及碳纳米管和金属漏极之间的界面处被吸收。 纳米颗粒用蛋白质包被，并且根据栅极电压的变化容易地改变带电状态。 涂覆在纳米颗粒上的蛋白质是链霉亲和素。

    그래핀 저온 전사방법
    9.
    发明申请
    그래핀 저온 전사방법 审中-公开
    石墨烯冷转移法

    公开(公告)号：WO2017065530A1

    公开(公告)日：2017-04-20

    申请号：PCT/KR2016/011504

    申请日：2016-10-13

    Applicant: 한국화학연구원

    Inventor： 최원진 ,  박세린 ,  이정오 ,  양철수 ,  공기정 ,  장현주 ,  안기석 ,  임진오 ,  채시은

    IPC: C01B31/04 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14 ,  B01J21/00 ,  B01J23/00

    CPC classification number: B01J21/00 ,  B01J23/00 ,  H01B1/04 ,  H01B5/14

    Abstract: 본 발명은 고분자 매개성 그래핀 전사법을 이용하되, 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재(substrate)를 제조하는 방법; 그래핀 표면으로부터 잔류물 없이 고분자를 제거하는 방법; 그래핀 상 고분자 패턴 형성 방법; 유기용매 처리시 고분자층이 제거되지 않도록 그래핀 상에 고분자 층을 고정하는 방법; 및 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재를 포함하는 전기전자소자에 관한 것이다. 본 발명은 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태를 결정하고, 상기 결정된 금속 표면 상태로 금속 함유 층을 변화시키는 조건을 결정하는 것이 특징이다.

    Abstract translation:

    本发明涉及一种方法，用于制造基底材料（衬底），但使用聚合物介导的石墨烯转移方法的，石墨烯薄膜具有游离聚合物残余物的清洁表面被转移; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征，以确定哪些确定其增加了相（上）石墨烯薄膜含有金属的层的表面能，改变含有在所确定的金属表面状态的金属层中的含金属层的金属表面状态的条件。

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