公开(公告)号：KR20200125942A

公开(公告)日：2020-11-05

申请号：KR20207025275

申请日：2019-02-28

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： MA YUE ,  KEMPEN ANTONIUS THEODORUS WILHELMUS ,  HUMMLER KLAUS MARTIN ,  MOORS JOHANNES HUBERTUS JOSEPHINA ,  ROMMERS JEROEN HUBERT ,  VAN DE WIEL HUBERTUS JOHANNES ,  LAFORGE ANDREW DAVID ,  BRIZUELA FERNANDO ,  WIEGGERS ROB CARLO ,  GOMES UMESH PRASAD ,  NEDANOVSKA ELENA ,  KORKMAZ CELAL ,  KIM ALEXANDER DOWNN ,  DUARTE RODRIGUES NUNES RUI MIGUEL ,  VAN DIJCK HENDRIKUS ALPHONSUS LUDOVICUS ,  VAN DRENT WILLIAM PETER ,  JONKERS PETER GERARDUS ,  ZHU QIUSHI ,  YAGHOOBI PARHAM ,  WESTERLAKEN JAN STEVEN CHRISTIAAN ,  LEENDERS MARTINUS HENDRIKUS ANTONIUS ,  ERSHOV ALEXANDER IGOREVICH ,  FOMENKOV IGOR VLADIMIROVICH ,  LIU FEI ,  JACOBS JOHANNES HENRICUS WILHELMUS ,  KUZNETSOV ALEXEY SERGEEVICH

IPC: G03F7/20 ,  G02B5/08 ,  G02B27/00 ,  H05G2/00

Abstract: EUV 방사선을생성하기위한시스템(SO) 내의하나이상의반사광학요소의반사율열화는광학요소를포함하는진공챔버(26) 내로의가스의제어된도입에의하여감소된다. 가스는수소와같은또 다른가스의흐름에추가될수 있거나수소라디칼의도입과번갈아가며추가될수 있다.

公开(公告)号：DE102022102478A1

公开(公告)日：2023-08-03

申请号：DE102022102478

申请日：2022-02-02

Applicant: ASML NETHERLANDS BV ,  ZEISS CARL SMT GMBH

Inventor： KRUITHOF WILBERT ,  YAGHOOBI PARHAM ,  LEO JOHN

IPC: G03F7/20 ,  G02B5/08 ,  G02B7/182 ,  H05G2/00

Abstract: Die Erfindung betrifft EUV-Lithographiesystem, umfassend:ein Gehäuse (25), in dessen Innenraum (24) ein Restgas (27) enthalten ist,sowie mindestens ein in dem Innenraum (24) angeordnetes gasbindendes Bauteil (29), das ein gasbindendes Material zur Bindung von kontaminierenden Stoffen (28) aufweist. Das gasbindende Bauteil (29) umfasst mindestens einen Strömungskanal (33), der mindestens eine Oberfläche mit dem gasbindenden Material aufweist, wobei eine Gasströmung des Restgases (27) in dem Strömungskanal (33) eine Knudsenzahl zwischen 0,01 und 5, bevorzugt zwischen 0,01 und 0,5, insbesondere zwischen 0,01 und 0,3, aufweist.