Abstract:
A method is described for fabricating a three-dimensional integrated device including a plurality of vertically stacked and interconnected wafers. Wafers (1, 2, 3) are bonded together using bonding layers (26, 36) of thermoplastic material such as polyimide; electrical connections are realized by vias (12, 22) in the wafers connected to studs (27, 37). The studs connect to openings (13, 23) having a lateral dimension larger than that of the vias at the front surfaces of the wafers. Furthermore, the vias in the respective wafers need not extend vertically from the front surface to the back surface of the wafers. A conducting body (102), provided in the wafer beneath the device region and extending laterally, may connect the via with the matallized opening (103) in the back surface. Accordingly, the conducting path through the wafer may be led underneath the devices thereof. Additional connections may be made between openings (113) and studs (127) to form vertical heat conduction pathways between the wafers.
Abstract:
A vertically integrated structure includes a micro-electromechanical system (MEMS) and a chip for delivering signals to the MEMS. The MEMS has an anchor portion having a conductor therethrough, by which it is connected to a substrate. The chip is attached to the MEMS substrate in a direction normal to the substrate surface, so as to make a conductive path from the chip to the MEMS. The chip may be attached by bonding the conductor to C4 metal pads formed on the chip, or by bonding the conductor to metal studs on the chip. The MEMS substrate may be thinned before attachment to the chip, or may be removed from the underside of the MEMS. A temporary carrier plate is used to facilitate handling of the MEMS and alignment to the chip.
Abstract:
A process is described for semiconductor device integration at chip level or wafer level, in which vertical connections are formed through a substrate (1). A metallized feature (2) is formed in the top surface of a substrate, and a handling plate (35) is attached to the substrate. The substrate is then thinned at the bottom surface thereof to expose the bottom of the feature, to form a conducting through-via (20). The substrate may comprise a chip (44) having a device (30), e.g. a PE chip. The plate may be a wafer (65) attached to the substrate using a vertical stud/via interconnection. The substrate and plate may each have devices (30,60) fabricated therein, so that the process provides vertical wafer-level integration of the devices.
Abstract:
A vertically integrated structure includes a micro-electromechanical system (MEMS) and a chip for delivering signals to the MEMS. The structure includes a metal stud connecting a surface of the chip and the MEMS; the MEMS has an anchor portion having a conducting pad on an underside thereof contacting the metal stud. The MEMS is spaced from the chip by a distance corresponding to a height of the metal stud, and the MEMS includes a doped region in contact with the conducting pad. In particular, the MEMS may include a cantilever structure, with the end portion including a tip extending in the vertical direction. A support structure (e.g. of polyimide) may surround the metal stud and contact both the underside of the MEMS and the surface of the chip. A temporary carrier plate is used to facilitate handling of the MEMS and alignment to the chip.
Abstract:
Es werden Techniken in Bezug auf eine implantierbare Biosensor-Packung bereitgestellt. Eine oder mehrere hierin beschriebene Ausführungsformen können sich zum Beispiel auf eine Vorrichtung beziehen, die ein Biosensor-Modul aufweisen kann. Das Biosensor-Modul kann ein Halbleitersubstrat und einen Prozessor aufweisen. Das Halbleitersubstrat kann einen Sensor aufweisen, der mit dem Prozessor funktionsfähig gekoppelt ist. Die Vorrichtung kann außerdem eine Polymer-Schicht aufweisen. Das Biosensor-Modul kann in der Polymer-Schicht derart eingebettet sein, dass die Polymer-Schicht auf einer Mehrzahl von Seiten des Biosensor-Moduls bereitgestellt sein kann.
Abstract:
Es werden technische Lösungen zum Realisieren einer Optogenetikbehandlung unter Verwendung einer Sonde und einer Sondensteuerung beschrieben. Eine Sondensteuerung steuert eine Sonde, das Verfahren durchzuführen, welches Emittieren einer Lichtwelle durch eine Lichtquelle der Sonde umfasst, wobei die Sonde in ein Gewebe einbettbar ist, um mit einer entsprechenden Chemikalie in einer oder mehreren Zellen in dem Gewebe zu interagieren. Das Verfahren umfasst ferner Aufnehmen einer Spektroskopie der Lichtwelle, die mit der entsprechenden Chemikalie interagiert, durch einen Sensor der Sonde. Das Verfahren umfasst ferner Senden der Spektroskopie an ein Analysesystem durch die Sonde. Das Verfahren umfasst ferner Empfangen angepasster Parameter für die Lichtquelle von dem Analysesystem durch die Sonde und Anpassen von Einstellungen der Lichtquelle gemäß den empfangenen angepassten Parametern durch eine Steuerung der Sonde, um eine andere Lichtwelle zum Interagieren mit der entsprechenden Chemikalie zu emittieren.