公开(公告)号：DE102014111420A1

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：DE102014111420

申请日：2014-08-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WACHTER ULRICH ,  HUBER VERONIKA ,  KILGER THOMAS ,  OTREMBA RALF ,  STADLER BERND ,  MAIER DOMINIC ,  SCHIESS KLAUS ,  SCHLOEGL ANDREAS ,  WAHL UWE

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L23/28 ,  H01L23/36 ,  H01L23/485 ,  H01L33/48

Abstract: Ein Halbleitergehäuse wird durch Bereitstellen eines Halbleiter-Nacktchips mit einem Anschluss an einer ersten Seite des Nacktchips, einem Bereitstellen eines Materials, das mit dem Nacktchip an einer gegenüberliegenden zweiten Seite des Nacktchips verbunden ist und einem solchen Einbetten des Nacktchips in eine Formmasse hergestellt, so dass der Nacktchip an allen Seiten, mit Ausnahme der ersten Seite, von der Formmasse bedeckt ist. Die Formmasse wird an einer Seite der Formmasse, benachbart zu der zweiten Seite des Nacktchips, gedünnt, um das Material an der zweiten Seite des Nacktchips freizulegen, ohne dabei die zweite Seite des Nacktchips freizulegen. Eine elektrische Verbindung wird mit dem Anschluss an der ersten Seite des Nacktchips ausgebildet. Im Fall eines Transistor-Nacktchips kann der Anschluss ein Source-Anschluss sein, und der Transistor-Nacktchip kann mit der Source nach unten an einem Metallblock wie einem Diepaddle eines Leiterrahmens angebracht sein.

公开(公告)号：DE102005023026A1

公开(公告)日：2006-11-16

申请号：DE102005023026

申请日：2005-05-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAHL UWE ,  WILLMEROTH ARMIN

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: The power transistor (1) has a front side (2), a back side (3) and a lateral edge (8). A horizontal barrier plate (6), which has the same potential as the drift zone (9), is attached at the front side between the edge and the edge connector (4). The barrier plate is laminated over a field plate (7), forming a plate capacitor structure. The edge is provided with the same potential as the drift zone. The edge connector is provided to reduce voltage between the edge and the source zone (14). A semiconductor body (27) includes the n-type drift zone, n-type source zones, p-type body zone (13) and the drain zone (10). Gates (15) are formed to complete a metal oxide semiconductor (MOS) structure (12) with the drift zone, source zone and body zone. The edge connector is arranged between the edge and the MOS structure, in which the edge connector is provided with p-type field rings. An independent claim is included for the lateral power transistor.

公开(公告)号：DE10340131B4

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：DE10340131

申请日：2003-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAHL UWE ,  WILLMEROTH ARMIN ,  CUADRON MIGUEL ,  AHLERS DIRK

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78

Abstract: The invention relates to a semiconductor power device with charge compensation structure and monolithic integrated circuit, and method for fabricating it. In the case of this semiconductor power device, zones ( 6 ) in charge compensation cells ( 27 ) that are arranged vertically and doped complimentarily to the semiconductor chip volume ( 5 ) are arranged in the entire chip volume, the complimentarily doped zones ( 6 ) extending right into surface regions ( 11 ) of the semiconductor power elements ( 7 ) and not projecting into surface regions ( 12 ) of semiconductor surface elements ( 1 ).

公开(公告)号：DE10340131A1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：DE10340131

申请日：2003-08-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WAHL UWE ,  WILLMEROTH ARMIN ,  CUADRON MIGUEL ,  AHLERS DIRK

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/76 ,  H01L29/78

Abstract: The invention relates to a semiconductor power device with charge compensation structure and monolithic integrated circuit, and method for fabricating it. In the case of this semiconductor power device, zones ( 6 ) in charge compensation cells ( 27 ) that are arranged vertically and doped complimentarily to the semiconductor chip volume ( 5 ) are arranged in the entire chip volume, the complimentarily doped zones ( 6 ) extending right into surface regions ( 11 ) of the semiconductor power elements ( 7 ) and not projecting into surface regions ( 12 ) of semiconductor surface elements ( 1 ).

公开(公告)号：DE102004063991B4

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：DE102004063991

申请日：2004-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  WAHL UWE ,  MEYER THORSTEN ,  RUEB MICHAEL ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

公开(公告)号：DE10240861B4

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：DE10240861

申请日：2002-09-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEBOY GERALD ,  WILLMEROTH ARMIN ,  WAHL UWE

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/808

Abstract: The device has a channel zone (5A,5B,5C) arranged between a connection zone (2) and a drift zone. A first channel (51) formed adjacent to a control electrode is conductive when the control voltage is not equal to zero. A first terminal electrode (22) is connected to the drift zone via at least one second channel (71) of a first conductivity type, conductive when a control voltage is equal to zero. An Independent claim is included for a method of manufacturing a semiconductor device.

公开(公告)号：DE102004052643A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：DE102004052643

申请日：2004-10-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  WAHL UWE ,  MEYER THORSTEN ,  RUEB MICHAEL ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SCHMITT MARKUS ,  TOLKSDORF CAROLIN ,  SCHAEFFER CARSTEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Lateral trench transistor (200) has a body region (4) inside which a semiconductor region (10) is provided adjoining to it. The semiconductor region is electrically connected with the source contact (12) and its type of endowment corresponds to the type of endowment of body region. An independent claim is also included for a method for manufacturing of endowed semiconductor region.

公开(公告)号：DE10240861A1

公开(公告)日：2004-03-25

申请号：DE10240861

申请日：2002-09-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DEBOY GERALD ,  WILLMEROTH ARMIN ,  WAHL UWE

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L21/336

Abstract: The device has a channel zone (5A,5B,5C) arranged between a connection zone (2) and a drift zone. A first channel (51) formed adjacent to a control electrode is conductive when the control voltage is not equal to zero. A first terminal electrode (22) is connected to the drift zone via at least one second channel (71) of a first conductivity type, conductive when a control voltage is equal to zero. An Independent claim is included for a method of manufacturing a semiconductor device.

公开(公告)号：DE10235000A1

公开(公告)日：2004-02-12

申请号：DE10235000

申请日：2002-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WEBER HANS ,  AHLERS DIRK ,  WAHL UWE ,  TIHANYI JENOE ,  WILLMEROTH ARMIN

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Production of a channel zone (12a, 12b) in a transistor comprises structuring a polysilicon layer (11) via the channel zone to be formed and using as a mask substrate for the following doping of the channel zone. An Independent claim is also included for a PMOS field effect transistor cell having a channel zone lying below a polysilicon layer.

公开(公告)号：DE102014111420B4

公开(公告)日：2022-03-17

申请号：DE102014111420

申请日：2014-08-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WACHTER ULRICH ,  HUBER VERONIKA ,  KILGER THOMAS ,  OTREMBA RALF ,  STADLER BERND ,  MAIER DOMINIC ,  SCHIESS KLAUS ,  SCHLOEGL ANDREAS ,  WAHL UWE

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L23/28 ,  H01L23/36 ,  H01L23/485 ,  H01L33/48

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleitergehäuses, wobei das Verfahren umfasst:Bereitstellen eines Halbleiter-Nacktchips mit einem Anschluss an einer ersten Seite des Nacktchips;Plattieren einer Kupferschicht an einer der ersten Seite gegenüberliegenden zweiten Seite des Nacktchips, wobei das Plattieren auf Wafer-Ebene erfolgt;Einbetten des Nacktchips in eine Formmasse, so dass der Nacktchip an allen Seiten, mit Ausnahme der ersten Seite, von der Formmasse bedeckt ist;Dünnen der Formmasse an einer zu der zweiten Seite des Nacktchips benachbarten Seite der Formmasse, um die Kupferschicht an der zweiten Seite des Nacktchips freizulegen, ohne dabei die zweite Seite des Nacktchips freizulegen; undAusbilden einer elektrischen Verbindung mit dem Anschluss an der ersten Seite des Nacktchips.