公开(公告)号：DE102018122979A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102018122979

申请日：2018-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRSCHLER JOACHIM ,  EHRENTRAUT GEORG ,  ERBERT CHRISTOFFER ,  GOESCHL KLAUS ,  HEINRICI MARKUS ,  HUTZLER MICHAEL ,  KOELL WOLFGANG ,  KRIVEC STEFAN ,  NEUMANN INGMAR ,  PLAPPERT MATHIAS ,  ROESNER MICHAEL ,  STORBECK OLAF

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78

Abstract: Bei einem Aspekt ist ein Verfahren zum Bilden einer Silicium-Isolator-Schicht bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet ein Anordnen einer Siliciumstruktur in einer Plasmaätzprozesskammer und beinhaltet Anwenden eines Plasmas auf die Siliciumstruktur in der Plasmaätzprozesskammer bei einer Temperatur der Siliciumstruktur gleich oder unterhalb von 100 °C. Das Plasma beinhaltet eine Komponente und ein Halogenderivat, wodurch die Silicium-Isolator-Schicht gebildet wird. Die Silicium-Isolator-Schicht beinhaltet Silicium und die Komponente. Bei einem anderen Aspekt ist eine Halbleitervorrichtung mit einer Silicium-Isolator-Schicht bereitgestellt, die durch das Verfahren gebildet ist.

公开(公告)号：DE102016210566A1

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：DE102016210566

申请日：2016-06-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HUTZLER MICHAEL

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Schaltvorrichtung umfasst eine Öffnung, die in einem Substrat angeordnet ist. Eine Source ist benachbart zu der Öffnung angeordnet und weist eine Kontaktoberfläche auf, die parallel zu Seitenwänden der Öffnung ist. Ein Drain ist benachbart zu der Öffnung angeordnet und weist eine Kontaktoberfläche auf, die parallel zu den Seitenwänden der Öffnung ist. Ein bewegbarer Gatestapel umfasst einen Kanal und ein Gate. Der bewegbare Gatestapel ist innerhalb der Öffnung angeordnet.