公开(公告)号：DE10151320B4

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：DE10151320

申请日：2001-10-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BLEICHER MARKUS ,  KOELL WOLFGANG ,  UNTERWEGER JOSEF

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/68

公开(公告)号：DE102018122979A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102018122979

申请日：2018-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRSCHLER JOACHIM ,  EHRENTRAUT GEORG ,  ERBERT CHRISTOFFER ,  GOESCHL KLAUS ,  HEINRICI MARKUS ,  HUTZLER MICHAEL ,  KOELL WOLFGANG ,  KRIVEC STEFAN ,  NEUMANN INGMAR ,  PLAPPERT MATHIAS ,  ROESNER MICHAEL ,  STORBECK OLAF

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78

Abstract: Bei einem Aspekt ist ein Verfahren zum Bilden einer Silicium-Isolator-Schicht bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet ein Anordnen einer Siliciumstruktur in einer Plasmaätzprozesskammer und beinhaltet Anwenden eines Plasmas auf die Siliciumstruktur in der Plasmaätzprozesskammer bei einer Temperatur der Siliciumstruktur gleich oder unterhalb von 100 °C. Das Plasma beinhaltet eine Komponente und ein Halogenderivat, wodurch die Silicium-Isolator-Schicht gebildet wird. Die Silicium-Isolator-Schicht beinhaltet Silicium und die Komponente. Bei einem anderen Aspekt ist eine Halbleitervorrichtung mit einer Silicium-Isolator-Schicht bereitgestellt, die durch das Verfahren gebildet ist.

公开(公告)号：DE10151320A1

公开(公告)日：2003-05-15

申请号：DE10151320

申请日：2001-10-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BLEICHER MARKUS ,  KOELL WOLFGANG ,  UNTERWEGER JOSEF

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/68

Abstract: Carrier (31) of disks (2), in particular, in the form of semiconductor wafers in wet chemical processes comprises at least two matching seating units (31a, 31b) with slits (11) for the disks. At least one (31b) of the seating units is provided with means (243, 253, 263) for prevention of rotation of the disks in the carrier.