公开(公告)号：DE102018122979A1

公开(公告)日：2019-12-19

申请号：DE102018122979

申请日：2018-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRSCHLER JOACHIM ,  EHRENTRAUT GEORG ,  ERBERT CHRISTOFFER ,  GOESCHL KLAUS ,  HEINRICI MARKUS ,  HUTZLER MICHAEL ,  KOELL WOLFGANG ,  KRIVEC STEFAN ,  NEUMANN INGMAR ,  PLAPPERT MATHIAS ,  ROESNER MICHAEL ,  STORBECK OLAF

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78

Abstract: Bei einem Aspekt ist ein Verfahren zum Bilden einer Silicium-Isolator-Schicht bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet ein Anordnen einer Siliciumstruktur in einer Plasmaätzprozesskammer und beinhaltet Anwenden eines Plasmas auf die Siliciumstruktur in der Plasmaätzprozesskammer bei einer Temperatur der Siliciumstruktur gleich oder unterhalb von 100 °C. Das Plasma beinhaltet eine Komponente und ein Halogenderivat, wodurch die Silicium-Isolator-Schicht gebildet wird. Die Silicium-Isolator-Schicht beinhaltet Silicium und die Komponente. Bei einem anderen Aspekt ist eine Halbleitervorrichtung mit einer Silicium-Isolator-Schicht bereitgestellt, die durch das Verfahren gebildet ist.

公开(公告)号：DE102021118992A1

公开(公告)日：2022-02-24

申请号：DE102021118992

申请日：2021-07-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NAPETSCHNIG EVELYN ,  ERBERT CHRISTOFFER ,  RUPP THOMAS ,  SCHÄFFER CARSTEN ,  HIRSCHLER JOACHIM ,  BRANDENBURG JENS ,  ZISCHANG JULIA ,  HUMBEL OLIVER

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

Abstract: Vorgeschlagen wird eine Halbleitervorrichtung (100). Die Halbleitervorrichtung (100) enthält eine Verdrahtungs-Metallschichtstruktur (102). Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ferner eine direkt auf der Verdrahtungs-Metallschichtstruktur (102) angeordnete Dielektrikumsschichtstruktur (104). Die Halbleitervorrichtung (100) enthält überdies eine zumindest teilweise direkt auf der Dielektrikumsschichtstruktur (104) angeordnete Bondingpad-Metallschichtstruktur (106). Eine Schichtdicke (td) der Dielektrikumsschichtstruktur (104) reicht von 1% bis 30% einer Schichtdicke (tw) der Verdrahtungs-Metallschichtstruktur (102). Die Verdrahtungs-Metallschichtstruktur (102) und die Bondingpad-Metallschichtstruktur (106) sind durch Öffnungen (108) in der Dielektrikumsschichtstruktur (104) elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102018118894A1

公开(公告)日：2020-02-06

申请号：DE102018118894

申请日：2018-08-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEINRICI MARKUS ,  BEHRENDT ANDREAS ,  ERBERT CHRISTOFFER ,  HOF EVA-MARIA ,  HOFMANN ROBIN ,  PLAPPERT MATHIAS ,  SCHULTE SUSANNE ,  WIESBROCK FRANK

IPC: H01L23/29

Abstract: Verschiedene Ausführungsformen betreffen eine Polymer-Nanopartikel-Zusammensetzung, die zum Bilden einer Passivierung eines elektronischen Bauelements (200, 300, 400), einer Passivierung eines Halbleiterbauelements (500, 600), einer Passivierung auf Chip-Ebene in einem Halbleiterchip (100) verwendet wird. Die Polymer-Nanopartikel-Zusammensetzung kann eine Polymermatrix und in der Polymermatrix enthaltene Nanopartikel (104n) aufweisen.