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    Kondensatoren in integrierten Schaltungen und Verfahren zu deren Herstellung
    3.
    发明专利
    Kondensatoren in integrierten Schaltungen und Verfahren zu deren Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102014103294A1

    公开(公告)日：2014-09-18

    申请号：DE102014103294

    申请日：2014-03-12

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ARESU STEFANO ,  ROEHNER MICHAEL

    IPC: H01L27/08 ,  H01G4/38

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst ein Kondensator eine erste Zeile, die ein erstes Kondensatorelement und ein zweites Kondensatorelement, die parallel geschaltet sind, umfasst, und eine zweite Zeile, die ein drittes Kondensatorelement und ein viertes Kondensatorelement, die parallel geschaltet sind, aufweist. Die erste Zeile ist mit der zweiten Zeile in Reihe geschaltet. In einer Metallisierungsebene über einem Werkstück ist das zweite Kondensatorelement zwischen dem ersten Kondensatorelement und dem dritten Kondensatorelement angeordnet. In der Metallisierungsebene ist das dritte Kondensatorelement zwischen dem zweiten Kondensatorelement und dem vierten Kondensatorelement angeordnet. Das erste, das zweite, das dritte und das vierte Kondensatorelement sind in der Metallisierungsebene angeordnet.

    Testen von Halbleitervorrichtungen und Vorrichtungen und deren Auslegung
    6.
    发明专利
    Testen von Halbleitervorrichtungen und Vorrichtungen und deren Auslegung 未知

    公开(公告)号：DE102014119161A1

    公开(公告)日：2015-06-25

    申请号：DE102014119161

    申请日：2014-12-19

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ARESU STEFANO ,  ROEHNER MICHAEL

    IPC: H01L23/60 ,  G01R31/26 ,  G01R31/28 ,  H01L23/482

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung aufweist ein Verfahren zum Testen einer Vielzahl von Halbleitervorrichtungen das Anlegen einer Belastungsspannung mit einer Spitzenspannung auf einer über einem Substrat angeordneten Schirmleitung. Das Substrat weist eine funktionelle Schaltungsanordnung einer Halbleitervorrichtung auf. Eine Feststpannung wird an eine über dem zur Schirmleitung benachbarten Substrat angeordnete erste Metallleitung angelegt. Die erste Metallleitung ist mit der funktionellen Schaltungsanordnung gekoppelt und konfiguriert, während des Betriebs mit einem Hochspannungsknoten gekoppelt zu sein. Die Spitzenspannung ist größer als eine maximale Festspannung. Die Schirmleitung trennt die erste Metallleitung von einer benachbarten zweiten Metallleitung, die konfiguriert ist, während des Betriebs mit einem Niedrigspannungsknoten gekoppelt zu sein. Das Verfahren aufweist ferner das Messen eines Stroms durch die Schirmleitung als Antwort auf die Belastungsspannung, das Bestimmen des Stroms durch die Schirmleitung der Halbleitervorrichtung und das Identifizieren der Halbleitervorrichtung als den Test bestanden habend basierend auf der Bestimmung.

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