Chip carrier used as heat sink for semiconductor chips, comprises two recesses in respective surface of chip carrier, and dimensioned to receive two semiconductor chips

    公开(公告)号:DE102005008600A1

    公开(公告)日:2006-08-31

    申请号:DE102005008600

    申请日:2005-02-23

    Abstract: A chip carrier (1) comprises two opposing surfaces (2, 3); and two recesses (4, 5) provided in the respective surface, where the chip carrier is configured to provide a heat sink for semiconductor chips arranged on the chip carrier, and the recesses are dimensioned to receive two semiconductor chips (10, 10'). Independent claims are also included for: (1) a system comprising a chip carrier and two semiconductor chips supported by the chip carrier, the chip carrier comprising two opposing surfaces, and two recesses in the respective surface, where the semiconductor chips are received within the respective recess, and the chip carrier is configured to provide a heat sink for the semiconductor chips supported by the chip carrier; and (2) a method for producing a chip carrier to support semiconductor chips, comprising forming a first recess in a first surface of the chip carrier; and forming a second recess in a second surface of the chip carrier, the second surface opposing the first surface, where the recesses are configured to receive the semiconductor chips in the respective recesses, and the chip carrier is configured to provide a heat sink for the semiconductor chips.

    5.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE10201781A1

    公开(公告)日:2003-08-07

    申请号:DE10201781

    申请日:2002-01-17

    Abstract: A radio-frequency power component and a radio-frequency power module, as well as to methods for producing them are encompassed. The radio-frequency power component has a semiconductor chip that is suitable for flip chip mounting. The semiconductor chip has an active upper face that produces power losses. This active upper face is covered by an electrically isolating layer leaving free contact surfaces, with a heat-dissipating metal layer being applied to its upper face. The metal layer directly dissipates the heat losses from the active semiconductor structures.

    Sensorbauelement
    7.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102009038706B4

    公开(公告)日:2023-01-12

    申请号:DE102009038706

    申请日:2009-08-25

    Abstract: Bauelement (100 - 400), umfassend:einen ersten Sensor (10) mit einer ersten Sensoroberfläche (12), wobei die erste Sensoroberfläche (12) exponiert ist, um das Erfassen einer ersten Variablen zu gestatten, und der erste Sensor (10) ein erstes Sensorsignal ausgibt,einen zum ersten Sensor (10) identischen zweiten Sensor (11) mit einer zweiten Sensoroberfläche (13), wobei die zweite Sensoroberfläche (13) abgedichtet ist, um das Erfassen der ersten Variablen zu blockieren, und der zweite Sensor (11) ein zweites Sensorsignal ausgibt,ein Formmaterial (14), das den ersten und zweiten Sensor (11, 12) einbettet, wobei das Formmaterial (14) die zweite Sensoroberfläche (13) abdichtet, wobei das Formmaterial (14) eine mechanische Spannung in dem ersten Sensor (10) und dem zweiten Sensor (11) verursacht, wobei die mechanische Spannung das erste Sensorsignal und das zweite Sensorsignal beeinflusst, undeine Auswertungseinheit zum Vergleichen des ersten und zweiten Sensorsignals und zum Kompensieren des Einflusses der mechanischen Spannung auf das erste Sensorsignal unter Verwendung des zweiten Sensorsignals.

    Halbleiterbauteil mit einem Magnetfeldsensor und Verfahren zur Herstellung

    公开(公告)号:DE102006057970B4

    公开(公告)日:2020-01-02

    申请号:DE102006057970

    申请日:2006-12-08

    Abstract: Halbleiterbauteil (300) umfassend einen Halbleiterchip (10), wobei- ein Magnetfeldsensor (11) in den Halbleiterchip (10) integriert ist,- Lotdepots (16) auf eine aktive Hauptoberfläche (12) des Halbleiterchips (10) aufgebracht sind, und- ein Magnet (19) aus einem permanentmagnetischen Material auf die aktive Hauptoberfläche (12) des Halbleiterchips (10) zwischen den Lotdepots (16) aufgebracht ist, wobei der Magnetfeldsensor (11), der Magnet (19) und die Lotdepots (16) an der gleichen Hauptoberfläche (12) des Halbleiterchips (10) angeordnet sind.

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