公开(公告)号：DE102014017098A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：DE102014017098

申请日：2014-11-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FORSTER MAGDALENA ,  GOLLER BERNHARD ,  MOTZ MARIO ,  SCHERR WOLFGANG ,  SCHMUT KATHARINA ,  SCHWEIZER PHILEMON ,  SORGER MICHAEL ,  WELLENZOHN GUENTHER

IPC: G11C5/14

Abstract: Es wird ein Speichersystem mit eigener Stromversorgung offenbart. Das System weist eine unbeständige Stromversorgungskomponente, eine Batteriekomponente, eine Schalterkomponente und eine flüchtige Speicherkomponente auf. Die unbeständige Stromversorgungskomponente ist so konfiguriert, dass sie eine zeitvariante Stromversorgung vorsieht. Die Batteriekomponente ist so konfiguriert, dass sie eine beständige Stromversorgung erzeugt. Die Schalterkomponente ist so konfiguriert, dass sie aus der zeitvarianten Stromversorgung und der beständigen Stromversorgung eine Dauerstromversorgung erzeugt. Die flüchtige Speicherkomponente ist so konfiguriert, dass sie Daten unter Verwendung der Dauerstromversorgung hält.

公开(公告)号：DE102015120848B4

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：DE102015120848

申请日：2015-12-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO ,  WELLENZOHN GUENTHER ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  KONRATH JENS PETER ,  SCHÄFFER CARSTEN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: Verfahren, das aufweist: Herstellen einer Metallschicht (200) auf einer ersten Oberfläche (101) eines Halbleiterkörpers (100), der SiC aufweist; Bestrahlen der Metallschicht (200) mit Partikeln, um Metallatome aus der Metallschicht (200) in den Halbleiterkörper (100) zu bewegen, um in dem Halbleiterkörper (100) ein Metallatome enthaltendes Gebiet (21) zu bilden; und Ausheilen des Halbleiterkörpers (100), wobei das Ausheilen das Aufheizen wenigstens des Metallatome enthaltenden Gebiets (21) auf eine Temperatur von weniger als 500 °C aufweist.

公开(公告)号：DE102015120848A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：DE102015120848

申请日：2015-12-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RUPP ROLAND ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SANTOS RODRIGUEZ FRANCISCO ,  WELLENZOHN GUENTHER ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  KONRATH JENS PETER ,  SCHÄFFER CARSTEN

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren. Das Verfahren umfasst das Herstellen einer Metallschicht auf einer ersten Oberfläche eines Halbleiterkörpers; das Bestrahlen der Metallschicht mit Partikeln, um Metallatome aus der Metallschicht in den Halbleiterkörper zu bewegen und in dem Halbleiterkörper ein Metallatome enthaltendes Gebiet zu bilden; und Ausheilen des Halbleiterkörpers, wobei das Ausheilen das Aufheizen wenigstens der Metallatome enthaltenden Schicht auf eine Temperatur von weniger als 500°C umfasst.