公开(公告)号：DE102010031237A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：DE102010031237

申请日：2010-07-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GROSSE KRISTIN ,  BAADE TORSTEN

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/52

Abstract: Das optoelektronische Bauelement (1000) weist einen Halbleiterchip (40) und einen den Halbleiterchip (40) zumindest teilweise umgebenden Leuchtstoff (44) auf. Der Halbleiterchip (40) emittiert eine Primärstrahlung im kurzwelligen blauen Spektralbereich bei einer Dominantwellenlänge von kleiner etwa 465 nm. Der Leuchtstoff (44) wandelt zumindest einen Teil der Primärstrahlung in eine längerwellige Sekundärstrahlung im grünen Spektralbereich bei einer Dominantwellenlänge zwischen etwa 490 nm und etwa 540 nm. Das Mischlicht aus Primärstrahlung und Sekundärstrahlung weist eine Dominantwellenlänge bei Wellenlängen zwischen etwa 460 nm und etwa 480 nm auf. Der Lichtstrom des Mischlichts ist um bis zu 130% größer als der Lichtstrom bei einem optoelektronischen Bauelement ohne Leuchtstoff (44) mit gleicher Dominantwellenlänge im Bereich zwischen 460 nm und 480 nm.

公开(公告)号：DE102008025756A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：DE102008025756

申请日：2008-05-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WINDISCH REINER ,  ZEILER THOMAS ,  GRUBER STEFAN ,  KIRSCH MARKUS ,  MUSCHAWECK JULIUS ,  BAADE TORSTEN ,  BRUNNER HERBERT ,  KOEHLER STEFFEN

IPC: H01L31/0203 ,  H01L33/38 ,  H01L33/50 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01S5/02

Abstract: According to at least one embodiment of the semiconductor arrangement, the latter comprises a mounting side, at least one optoelectronic semiconductor chip with mutually opposing chip top and bottom, and at least one at least partially radiation-transmissive body with a body bottom, on which the semiconductor chip is mounted such that the chip top faces the body bottom. Moreover, the semiconductor arrangement comprises at least two electrical connection points for electrical contacting of the optoelectronic semiconductor chip, wherein the connection points do not project laterally beyond the body and with their side remote from the semiconductor chip delimit the semiconductor arrangement on the mounting side thereof.

公开(公告)号：DE102013215650A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：DE102013215650

申请日：2013-08-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KROMOTIS PATRICK ,  HOFMANN EMANUEL ,  PEYKER LUDWIG ,  BAADE TORSTEN ,  KIENER SIMONE ,  GROSSE KRISTIN

IPC: H01L33/52 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst ein Gehäuse, das einen elektrisch leitenden ersten Kontaktabschnitt aufweist, und einen optoelektronischen Halbleiterchip, der auf dem ersten Kontaktabschnitt angeordnet ist. Der optoelektronische Halbleiterchip und der erste Kontaktabschnitt sind zumindest teilweise durch eine erste Schicht bedeckt, die ein Silikon aufweist. An einer Oberfläche der ersten Schicht ist eine zweite Schicht angeordnet, die SiO2 aufweist. Oberhalb der zweiten Schicht ist eine dritte Schicht angeordnet.

公开(公告)号：DE102007041126A1

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：DE102007041126

申请日：2007-08-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRUNNER HERBERT ,  REILL JOACHIM ,  STREUBEL KLAUS ,  SCHWARZ RAIMUND ,  KOEHLER STEFFEN ,  BAADE TORSTEN

IPC: F21V19/04 ,  F21V19/00

Abstract: The device has a device holder (1) and an opto-electronic component (2) i.e. LED, with a housing body. A semiconductor chip is provided for generating radiation, and a set of electrical connections (5) is used for operating the semiconductor chip. The chip is arranged within the housing body with a housing base (3). The housing base has a set of connecting components (4) for providing detachable mechanical connections. The base includes a heat deriving element, and the detachable connections are in screw connection with a stopper, where the screw connection is a bayonet joint. An independent claim is also included for a method for utilizing an opto-electronic component.

公开(公告)号：DE102012208730A1

公开(公告)日：2013-11-28

申请号：DE102012208730

申请日：2012-05-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAADE TORSTEN ,  SORG JOERG

IPC: H01L33/62 ,  H01L23/60 ,  H01S5/02

Abstract: Optoelektronische Bauelementevorrichtung (900, 1010, 1100), aufweisend: eine erste Elektrode (504, 604, 706, 902) und eine zweite Elektrode (510, 612, 704, 904) ein erstes optoelektronisches Bauelement (506, 606, 708) das mit der ersten Elektrode (504, 604, 706, 902) und der zweiten Elektrode (510, 612, 704, 904) elektrisch gekoppelt ist; und einen ersten elektrisch leitfähigen Abschnitt (102), der mit der ersten Elektrode (504, 604, 706, 902) elektrisch gekoppelt ist und ein zweiter elektrisch leitfähiger Abschnitt (104), der mit der zweiten Elektrode (510, 612, 704, 904) elektrisch gekoppelt ist; wobei der erste elektrisch leitfähige Abschnitt (102) und der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt (104) elektrisch parallel zum ersten optoelektronischen Bauelement (506, 606, 708) geschaltet ist; und wobei der erste elektrisch leitfähige Abschnitt (102) und der zweite elektrisch leitfähige Abschnitt (104) derart relativ zueinander angeordnet (300) und relativ zueinander eingerichtet (200) sind, dass ab einer über dem ersten leitfähigen Abschnitt (102) und dem zweiten leitfähigen Abschnitt (104) anliegenden Ansprechspannung, eine Funkenstrecke (100, 908) zwischen dem ersten leitfähigen Abschnitt (102) und dem zweiten leitfähigen Abschnitt (104) ausgebildet wird; wobei die Ansprechspannung als Wert einen Wert aufweist, der größer als der Wert der Schwellenspannung des ersten optoelektronischen Bauelementes (506, 606, 708) und kleiner oder gleich als der Wert der Durchbruchspannung des ersten optoelektronischen Bauelementes (506, 606, 708) ausgebildet ist.