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    5.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE502004010654D1

    公开(公告)日：2010-03-04

    申请号：DE502004010654

    申请日：2004-06-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BUTENDEICH RAINER ,  LINDER NORBERT ,  MAYER BERND ,  PIETZONKA INES

    IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01S5/30

    Abstract: The component has n- and p-doped confinement layers (14,22) and n active, photon emitting layer (18) between them. The n-doped confinement layer is doped with a first n-doping material to produce high active doping and/or a sharp doping profile and the active layer is doped with a second different doping material to improve the layer quality of the active layer.

    RADIATION RECEPTOR, AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A RADIATION RECEPTOR
    6.
    发明申请
    RADIATION RECEPTOR, AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A RADIATION RECEPTOR 审中-公开
    辐射接收器及其制造方法辐射接收器

    公开(公告)号：WO2009094966A3

    公开(公告)日：2009-10-08

    申请号：PCT/DE2008002126

    申请日：2008-12-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BUTENDEICH RAINER ,  WINDISCH REINER

    Inventor： BUTENDEICH RAINER ,  WINDISCH REINER

    IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352

    CPC classification number: H01L31/03529 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

    Abstract: Disclosed is a radiation receptor (1) comprising a semiconductor body (2) that has a first active region (210) and a second active region (220) which are used for detecting radiation. The first active region (210) and the second active region (220) are located at a distance from each other in a vertical direction. A tunnel region (24) is arranged between the first active region (210) and the second active region (220). The tunnel region (24) is connected in an electrically conducting manner to a connecting surface (31) which is used for externally contacting the semiconductor body (2) in an electrical manner between the first active region (210) and the second active region (220). A method for producing a radiation receptor is also disclosed.

    Abstract translation: 本发明公开了包含具有第一活性区（210）和第二有源区（220），其每一个被提供用于检测辐射的半导体主体（2）辐射接收器（1）。 第一有源区（210）和第二有源区（220）在垂直方向上间隔开。 第一有源区（210）和第二有源区（220）之间，隧道区域（24）。 通道部（24）被导电地用适合于半导体主体（2）在所述第一有源区（210）和第二有源区（220）之间设置的外部电接触通货膨胀的连接表面（31）相连接。 此外，提供了用于产生辐射接收器的方法。

    RADIATION-EMITTING SEMI-CONDUCTOR COMPONENT
    7.
    发明申请
    RADIATION-EMITTING SEMI-CONDUCTOR COMPONENT 审中-公开
    辐射发射半导体元件

    公开(公告)号：WO2005004244A3

    公开(公告)日：2005-04-21

    申请号：PCT/DE2004001344

    申请日：2004-06-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BUTENDEICH RAINER ,  LINDER NORBERT ,  MAYER BERND ,  PIETZONKA INES

    Inventor： BUTENDEICH RAINER ,  LINDER NORBERT ,  MAYER BERND ,  PIETZONKA INES

    IPC: H01L33/02 ,  H01S5/30 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/02 ,  H01S5/3086

    Abstract: The invention relates to a radiation-emitting semi-conductor element provided with a layered structure, comprising an n-doped confinement layer (14), a p-doped confinement layer (22), and an active layer (18) emitting photons, said layer being arranged between the n-doped confinement layer (14) and the p-doped confinement layer (22). According to the invention, the n-doped confinement layer (14) is doped with a first n-dopant (or two n-dopants which are different from each other) in order to produce a high active doping and a precise doping profile, and the active layer (18) is doped with exclusively one second n dopant, which is different form the first dopant, in order to improve the layer quality of the active layer (18).

    Abstract translation: 在具有层结构，其设置在n掺杂限制层（14）发射辐射的半导体器件，p型掺杂的限制层（22），和n型掺杂的限制层（14）和p掺杂限制层（22）的活性之间， 光子发光层（18），本发明提供了具有第一n型掺杂剂（或两种不同的n型掺杂剂）的n型掺杂的限制层（14）被掺杂，以产生高活性掺杂和尖锐的掺杂分布，和 有源层（18）仅掺杂有与第一掺杂剂不同的第二n型掺杂剂，用于改善有源层（18）的层质量。

    Leuchtstoffmischung, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement
    8.
    发明专利
    Leuchtstoffmischung, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102017122996A1

    公开(公告)日：2019-04-04

    申请号：DE102017122996

    申请日：2017-10-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BERTRAM RALPH PETER ,  O'BRIEN DAVID ,  BUTENDEICH RAINER

    IPC: C09K11/00 ,  C09K11/08 ,  H01L33/50

    Abstract: Es wird eine Leuchtstoffmischung umfassend:- einen ersten Leuchtstoff (1), der ein Emissionsspektrum (2) mit einer FWHM-Breite (3) zwischen einschließlich 70 Nanometer und einschließlich 150 Nanometer aufweist und elektromagnetische Strahlung aus dem grünen Spektralbereich aussendet,- einen zweiten Leuchtstoff (4), der ein Emissionsspektrum (5) mit einer FWHM-Breite (6) zwischen einschließlich 1 Nanometer und einschließlich 40 Nanometer aufweist und elektromagnetische Strahlung aus dem roten Spektralbereich aussendet, und- einen dritten Leuchtstoff (7), der ein Emissionsspektrum (13) mit einer FWHM-Breite (8) zwischen einschließlich 25 Nanometer und einschließlich 100 Nanometer aufweist und elektromagnetische Strahlung aus dem orange-roten Spektralbereich aussendet,angegeben.Weiterhin werden eine weitere Leuchtstoffmischung, ein Konversionselement und ein optoelektronisches Bauelement angegeben.

    Lichtquelle
    9.
    发明专利
    Lichtquelle 未知

    公开(公告)号：DE102016109901A1

    公开(公告)日：2017-11-30

    申请号：DE102016109901

    申请日：2016-05-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SINGER FRANK ,  LINKOV ALEXANDER ,  ILLEK STEFAN ,  BUTENDEICH RAINER ,  KOLLER CHRISTOPH ,  SCHWARZ THOMAS

    IPC: F21K9/61 ,  F21S4/28 ,  F21V8/00 ,  F21Y103/10 ,  F21Y103/30 ,  F21Y115/10 ,  G02B6/42 ,  G05D25/02 ,  H01L25/075 ,  H05B44/00

    Abstract: In einer Ausführungsform umfasst die Lichtquelle (1) einen ersten Halbleiteremitter (21) zur Erzeugung von erstem Licht und einen zweiten Halbleiteremitter (22) zur Erzeugung von zweitem Licht, das eine andere Farbe aufweist. In einem Lichtmischkörper (3) werden das erste und das zweite Licht durchmischt, sodass ein Mischlicht entsteht. Ein Detektor (4) befindet sich an dem Lichtmischkörper (3) und ist zur Bestimmung eines Farbort des Mischlichts eingerichtet. Die Halbleiteremitter (21, 22) sind entlang einer Linie (L) angeordnet und weisen unterschiedliche Abstände zu dem Detektor (4) auf. Der Lichtmischkörper (3) ist an Seitenflächen (25) der Halbleiteremitter (21, 22) angeordnet und bedeckt jede der Seitenflächen (25) mindestens teilweise, gesehen in Projektion auf die entsprechende Seitenfläche (25), sodass der Detektor (4) von jedem der Halbleiteremitter (21, 22), vermittelt durch den Lichtmischkörper (3) und/oder durch den Lichtmischkörper (3) hindurch, gleich viel Licht empfängt.

    Verfahren zum Betreiben einer Halbleiterlichtquelle und Halbleiterlichtquelle
    10.
    发明专利
    Verfahren zum Betreiben einer Halbleiterlichtquelle und Halbleiterlichtquelle 未知

    公开(公告)号：DE102016102596A1

    公开(公告)日：2017-08-17

    申请号：DE102016102596

    申请日：2016-02-15

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BUTENDEICH RAINER ,  ILLEK STEFAN

    IPC: H05B37/02 ,  H05B44/00 ,  H01L25/075

    Abstract: Es ist das Verfahren zum Betreiben einer Halbleiterlichtquelle (1) eingerichtet. Die Halbleiterlichtquelle (1) weist eine erste Lichtquelle (21) zur Erzeugung von blauem Licht, eine zweite Lichtquelle (22) zur Erzeugung vom bläulich-weißem Licht, eine dritte Lichtquelle (23) zur Erzeugung von grünlich-weißem Licht und eine vierte Lichtquelle (24) zur Erzeugung von rotem Licht sowie optional eine Ansteuereinheit (3) auf. Die Lichtquellen (21, 22, 23, 24) sind unabhängig voneinander ansteuerbar und die Halbleiterlichtquelle (1) wird so betrieben, sodass insgesamt weißes Mischlicht mit einer abstimmbaren korrelierten Farbtemperatur erzeugt wird und jede der Lichtquellen (21, 22, 23, 24) im eingeschalteten Zustand der Halbleiterlichtquelle mit mindestens 5 %, besonders bevorzugt mit mindestens 10 %, eines bestimmungsgemäßen zugehörigen Maximalstroms betrieben wird.

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