公开(公告)号：DE102017109812A1

公开(公告)日：2017-11-16

申请号：DE102017109812

申请日：2017-05-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EICHLER CHRISTOPH ,  SOMERS ANDRÉ ,  LELL ALFRED ,  STOJETZ BERNHARD ,  LOEFFLER ANDREAS

IPC: H01L33/08 ,  H01L21/36 ,  H01S5/30

Abstract: Es wird ein Licht emittierender Halbleiterchip (100) angegeben mit einer ersten Halbleiterschicht (1), die zumindest Teil einer zur Lichterzeugung vorgesehenen aktiven Schicht ist und die entlang zumindest einer Erstreckungsrichtung eine laterale Variation einer Materialzusammensetzung aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips (100) angegeben.

公开(公告)号：DE102016103358A1

公开(公告)日：2017-08-31

申请号：DE102016103358

申请日：2016-02-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LOEFFLER ANDREAS ,  VIERHEILIG CLEMENS ,  GERHARD SVEN

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/024

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Laserbarren (1) mit einer Halbleiterschicht (11) mit mehreren Schichten und mit einer aktiven Zone (15), wobei die aktive Zone (15) in einer x-y-Ebene angeordnet ist, wobei Laserdioden (12) jeweils in einer x-Richtung zwischen zwei Endflächen einen Modenraum (4) ausbilden, wobei die Modenräume (4) der Laserdioden (12) nebeneinander in der y-Richtung angeordnet sind, wobei zwischen zwei Modenräumen (4) ein Graben (3) in der Halbleiterschicht (11) vorgesehen ist, wobei sich die Gräben (3) in der x-Richtung erstrecken, und wobei sich die Gräben (3) von einer Oberseite der Halbleiterschicht (11) in der z-Richtung bis in die aktive Zone (15) erstrecken.

公开(公告)号：DE102011100037A1

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：DE102011100037

申请日：2011-04-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BUTENDEICH RAINER DR ,  MEYER TOBIAS ,  PETER MATTHIAS ,  LOEFFLER ANDREAS ,  LEIRER CHRISTIAN

IPC: H01L33/14 ,  H01L23/60

Abstract: Es wird ein Strahlung emittierender Halbleiterchip (1) mit einer auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basierenden Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem pn-Übergang angegeben umfassend – eine erste Schutzschicht (3), die gezielt eingebrachte Kristalldefekte (4) aufweist, – eine zweite Schutzschicht (5), die eine höhere Dotierung (n2) aufweist als die erste Schutzschicht (3), wobei die erste und die zweite Schutzschicht (3, 5) zum Schutz des Halbleiterchips (1) vor elektrostatischen Entladungspulsen vorgesehen sind, – eine aktive Zone (7) zur Strahlungserzeugung, die der ersten und der zweiten Schutzschicht (3, 5) in Wachstumsrichtung (W) nachgeordnet ist, wobei sich im Betrieb des Halbleiterchips (1) ein Durchbruchverhalten der Halbleiterschichtenfolge (2) in Sperrrichtung in Bereichen mit Kristalldefekten (4) von Bereichen ohne Kristalldefekte unterscheidet, und wobei bei elektrostatischen Entladungspulsen elektrische Ladung homogen verteilt über die Bereiche mit Kristalldefekten (4) abgeleitet wird.

公开(公告)号：DE102012217640A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102012217640

申请日：2012-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEIRER CHRISTIAN ,  MEYER TOBIAS ,  PETER MATTHIAS ,  OFF JUERGEN ,  HERTKORN JOACHIM ,  LOEFFLER ANDREAS ,  WALTER ALEXANDER ,  SCHIAVON DARIO

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst eine Schichtstruktur mit einer leuchtaktiven Schicht. Dabei weist die leuchtaktive Schicht in einem ersten lateralen Bereich eine höhere Dichte an V-Defekten auf als in einem zweiten lateralen Bereich.

公开(公告)号：DE112012001920A5

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：DE112012001920

申请日：2012-04-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LOEFFLER ANDREAS ,  LEIRER CHRISTIAN ,  PETER MATTHIAS ,  BUTENDEICH RAINER ,  MEYER TOBIAS

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14