Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a beam coupler for multi-color laser display that achieves matching of emitted beams in a comparatively simple way, especially with as few components as possible. SOLUTION: The beam coupler has a lens, and the lens is arranged in a beam path that is formed by the beams emitted from at least two semiconductor lasers. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an especially compact semiconductor laser module. SOLUTION: The semiconductor laser module includes a module carrier with a fixing surface, a pumping device arranged on the fixing surface, a surface emission semiconductor laser arranged on the fixing surface, and a frequency converter arranged on the fixing surface, wherein the maximum fixing surface of the module carrier is 100 m 2 , the surface emission semiconductor laser includes a fixing block having an upper surface and a fixing surface, and at least one semiconductor laser chip arranged on the upper surface of the fixing block, the fixing surface of the fixing block extends substantially perpendicularly to the upper surface of the fixing block, and the surface emission semiconductor laser is fixed onto the fixing surface of the module carrier by the fixing surface of the module carrier. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
Abstract:
PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture exceptionally compact semiconductor lasers in high-volume. SOLUTION: A method of manufacturing a plurality of semiconductor lasers 100 includes (a) a step of preparing a supporting wafer 30, (b) a step of forming a complex 70 by fixing a plurality of semiconductor laser chips 4 to the surface 31 of the supporting wafer 30, and (c) a step of forming a plurality of semiconductor lasers 100 by dividing the complex 70. The semiconductor laser 100 has a fixing block 3 and at least one semiconductor laser chip 4. The fixing block 3 has a fixing surface 13, and the fixing surface 13 is extended substantially perpendicularly to the surface 12 of the fixing block 3. The semiconductor laser chip 4 is arranged on the fixing block 3, and the fixing surface 13 is formed when the complex 70 is divided. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Anordnung einer Vielzahl von LEDs (2) in Verpackungseinheiten (R1, R2, R3) angegeben, bei dem ein Sollwertebereich für mindestens eine photometrische Messgröße (Φ, Cx, Cy) für jede der Verpackungseinheiten (R1, R2, R3) festgelegt wird, wobei der Mittelwert der photometrischen Messgröße (Φ, Cx, Cy) für eine feste Anzahl von N ≥ 3 aufeinanderfolgenden LEDs (2) in dem Sollwertebereich liegen soll. Es wird eine LED (2) aus der Vielzahl von LEDs ausgewählt und der Mittelwert der mindestens einen photometrischen Messgröße (Φ, Cx, Cy), der sich jeweils für die zuletzt in der Verpackungseinheit (R1, R2, R3) angeordneten N – 1 LEDs und eine ausgewählte LED (2) ergibt, berechnet, und eine Verpackungseinheit (R1, R2, R3), für die der berechnete Mittelwert in dem festgelegten Sollwertebereich liegt, mit der ausgewählten LED (2) bestückt. Dies wird wiederholt, bis die Verpackungseinheiten (R1, R2, R3) mit einer gewünschten Gesamtzahl von LEDs (2) bestückt sind.
Abstract:
In at least one embodiment, the ring light module (1) comprises a plurality of first and a plurality of second light-emitting optoelectronic semiconductor components (2), each having a main emission direction (20), wherein the first semiconductor components have a spectral emission which is different than that of the second semiconductor components. The ring light module (1) contains a reflector (3), which has a curved reflective surface (30). The semiconductor components (2) are fitted on a mount (4). The semiconductor components (2) are, when viewed in a plan view of the reflective surface (30), arranged in the form of a ring around the reflective surface (30) along an arrangement line (42). In a centre (44), the reflector (3) has a maximum height, in relation to a base side (40) of the ring light module (1). The centre (44) is located in a geometric centre of an inner face surrounded by the arrangement line (42). When viewed in a plan view of the reflective surface (30), the main emission directions (20) each point towards the centre (44) with a tolerance of at most 15°.
Abstract:
Halbleiterlaser (1) mit- einem Träger (2),- einer kantenemittierenden Laserdiode (3), die auf dem Träger (2) angebracht ist und die eine aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) sowie eine Facette (30) mit einem Strahlungsaustrittsbereich (31) aufweist,- einer Schutzabdeckung (4), und- einem Klebemittel (5), mit dem die Schutzabdeckung (4) an der Facette (30) und an einer Seitenfläche (20) des Trägers (2) befestigt ist, wobei- ein mittlerer Abstand zwischen einer Lichteintrittsseite (41) der Schutzabdeckung (4) und der Facette (30) höchstens 60 µm beträgt,- der Halbleiterlaser (1) dazu eingerichtet ist, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden, und- zumindest eine der Facette (30) abgewandte Lichtaustrittsseite (42) der Schutzabdeckung (4) mit einer fotokatalytischen Beschichtung (45) versehen ist, wobei die fotokatalytische Beschichtung (45) dazu eingerichtet ist, aufgrund der Laserstrahlung (L) Ablagerungen an der Lichtaustrittsseite (42) zu entfernen und/oder zu zersetzen,- das Klebemittel (5) die Lichteintrittsseite (41), die Seitenfläche (20) sowie den gesamten Strahlungsaustrittsbereich (31) unmittelbar bedeckt und die Schutzabdeckung (4) eine Linse zur Kollimation der Laserstrahlung (L) ist, wobei der mittlere Abstand zwischen der Lichteintrittsseite (41) und der Facette (30) zwischen einschließlich 0,2 µm und 15 µm beträgt.
Abstract:
Es wird ein Beleuchtungsmodul (1) mit einem Montagekörper (3), der sich zwischen einer Rückseite (31) und einer der Rückseite gegenüberliegenden Vorderseite (30) erstreckt, und mit einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (2), die zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen sind, angegeben, wobei – der Montagekörper an der Rückseite eine Mehrzahl von Ausnehmungen (35) aufweist, in denen die Halbleiterbauelemente angeordnet sind, – der Montagekörper für die in den Halbleiterbauelementen erzeugte Strahlung durchlässig ist und die Strahlung an der Vorderseite des Montagekörpers austritt, – auf der Rückseite des Montagekörpers eine Kontaktschicht (5) angeordnet ist, mit der die Halbleiterbauelemente über Verbindungsleitungen elektrisch leitend verbunden sind, und – auf der Rückseite des Montagekörpers eine Reflektorschicht (6) angeordnet ist, die zumindest die Ausnehmungen vollständig überdeckt.
Abstract:
The semiconductor laser module has a module carrier (20) with a mounting surface (21), a pumping device (1) arranged on the mounting surface, and a surface-emitting diode laser, which is also arranged on the mounting surface. A frequency converting device (6) is arranged on the mounting surface. The mounting surface of the module carrier has an area of 100 millimeter. The surface-emitting diode laser is fixed with a mounting surface of a mounting block (3) on the mounting surface of the module carrier.
Abstract:
Ein Optoelektronisches Bauelement umfasst: – mindestens einen Halbleiterchip, der zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignet ist, – ein Strahlformungselement (1), durch das zumindest ein Teil der von dem Halbleiterchip im Betrieb emittierten elektromagnetischen Strahlung tritt und das eine optische Achse (2) aufweist, und das eine äußere Kontur (5) bezüglich eines zur optischen Achse (2) senkrechten Koordinatensystems (3, 4) aufweist, wobei die Kontur (5) eine Kurve (n) darstellt, die spiegelsymmetrisch zu beiden Mittelachsen (a1, a2) einer von der Kontur einbeschriebenen Ellipse (e) ist, wobei in jedem der vier gleichen Abschnitte zwischen den jeweiligen Mittelachsen (a1, a2) aufeinanderfolgen: ein Ellipsensegment (b1), ein linearer Teil (c1), ein zweites Ellipsensegment (d), ein weiterer linearer Teil (c2) und ein drittes Ellipsensegment (b2).
Abstract:
The motor vehicle headlight has semiconductor lasers as light source (1) of the motor vehicle headlight, and a light modulator which modifies the directional characteristic of the light. The light is radiated from the semiconductor lasers. The light modulator has a micro-electromechanical optical system, particularly a micromirror array, a liquid crystal display (LCD) panel, a liquid crystal on silicon (LCoS) panel or a grating light value.