Semiconductor laser module
    2.
    发明专利
    Semiconductor laser module 审中-公开
    半导体激光模块

    公开(公告)号:JP2009194389A

    公开(公告)日:2009-08-27

    申请号:JP2009032915

    申请日:2009-02-16

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an especially compact semiconductor laser module.
    SOLUTION: The semiconductor laser module includes a module carrier with a fixing surface, a pumping device arranged on the fixing surface, a surface emission semiconductor laser arranged on the fixing surface, and a frequency converter arranged on the fixing surface, wherein the maximum fixing surface of the module carrier is 100 m
    2 , the surface emission semiconductor laser includes a fixing block having an upper surface and a fixing surface, and at least one semiconductor laser chip arranged on the upper surface of the fixing block, the fixing surface of the fixing block extends substantially perpendicularly to the upper surface of the fixing block, and the surface emission semiconductor laser is fixed onto the fixing surface of the module carrier by the fixing surface of the module carrier.
    COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题:提供特别紧凑的半导体激光器模块。 解决方案:半导体激光器模块包括具有固定表面的模块载体,布置在固定表面上的泵送装置,布置在固定表面上的表面发射半导体激光器和布置在固定表面上的变频器,其中 模块载体的最大固定面为100微米,表面发射半导体激光器包括具有上表面和固定表面的固定块,以及至少一个半导体激光芯片,其布置在 固定块,固定块的固定表面基本上垂直于固定块的上表面延伸,并且表面发射半导体激光器通过模块载体的固定表面固定到模块载体的固定表面上。 版权所有(C)2009,JPO&INPIT

    Method of manufacturing semiconductor laser, and semiconductor laser
    3.
    发明专利
    Method of manufacturing semiconductor laser, and semiconductor laser 有权
    制造半导体激光的方法和半导体激光器

    公开(公告)号:JP2009194388A

    公开(公告)日:2009-08-27

    申请号:JP2009031414

    申请日:2009-02-13

    CPC classification number: H01S5/0201

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture exceptionally compact semiconductor lasers in high-volume. SOLUTION: A method of manufacturing a plurality of semiconductor lasers 100 includes (a) a step of preparing a supporting wafer 30, (b) a step of forming a complex 70 by fixing a plurality of semiconductor laser chips 4 to the surface 31 of the supporting wafer 30, and (c) a step of forming a plurality of semiconductor lasers 100 by dividing the complex 70. The semiconductor laser 100 has a fixing block 3 and at least one semiconductor laser chip 4. The fixing block 3 has a fixing surface 13, and the fixing surface 13 is extended substantially perpendicularly to the surface 12 of the fixing block 3. The semiconductor laser chip 4 is arranged on the fixing block 3, and the fixing surface 13 is formed when the complex 70 is divided. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题:制造大容量的非常紧凑的半导体激光器。 解决方案:制造多个半导体激光器100的方法包括(a)制备支撑晶片30的步骤,(b)通过将多个半导体激光芯片4固定在表面上来形成复合体70的步骤 31,并且(c)通过分开复合体70形成多个半导体激光器100的步骤。半导体激光器100具有固定块3和至少一个半导体激光芯片4.固定块3具有 固定表面13和固定表面13基本上垂直于固定块3的表面12延伸。半导体激光芯片4设置在固定块3上,并且当复合体70被分割时形成固定表面13 。 版权所有(C)2009,JPO&INPIT

    Verfahren zur Anordnung einer Vielzahl von LEDs in Verpackungseinheiten und Verpackungseinheit mit einer Vielzahl von LEDs

    公开(公告)号:DE102011103752A1

    公开(公告)日:2012-12-06

    申请号:DE102011103752

    申请日:2011-05-31

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Anordnung einer Vielzahl von LEDs (2) in Verpackungseinheiten (R1, R2, R3) angegeben, bei dem ein Sollwertebereich für mindestens eine photometrische Messgröße (Φ, Cx, Cy) für jede der Verpackungseinheiten (R1, R2, R3) festgelegt wird, wobei der Mittelwert der photometrischen Messgröße (Φ, Cx, Cy) für eine feste Anzahl von N ≥ 3 aufeinanderfolgenden LEDs (2) in dem Sollwertebereich liegen soll. Es wird eine LED (2) aus der Vielzahl von LEDs ausgewählt und der Mittelwert der mindestens einen photometrischen Messgröße (Φ, Cx, Cy), der sich jeweils für die zuletzt in der Verpackungseinheit (R1, R2, R3) angeordneten N – 1 LEDs und eine ausgewählte LED (2) ergibt, berechnet, und eine Verpackungseinheit (R1, R2, R3), für die der berechnete Mittelwert in dem festgelegten Sollwertebereich liegt, mit der ausgewählten LED (2) bestückt. Dies wird wiederholt, bis die Verpackungseinheiten (R1, R2, R3) mit einer gewünschten Gesamtzahl von LEDs (2) bestückt sind.

    RING LIGHT MODULE AND METHOD FOR PRODUCING A RING LIGHT MODULE
    5.
    发明申请
    RING LIGHT MODULE AND METHOD FOR PRODUCING A RING LIGHT MODULE 审中-公开
    RING光源模组及其制造方法环形灯模块

    公开(公告)号:WO2014048798A3

    公开(公告)日:2014-05-30

    申请号:PCT/EP2013069274

    申请日:2013-09-17

    Abstract: In at least one embodiment, the ring light module (1) comprises a plurality of first and a plurality of second light-emitting optoelectronic semiconductor components (2), each having a main emission direction (20), wherein the first semiconductor components have a spectral emission which is different than that of the second semiconductor components. The ring light module (1) contains a reflector (3), which has a curved reflective surface (30). The semiconductor components (2) are fitted on a mount (4). The semiconductor components (2) are, when viewed in a plan view of the reflective surface (30), arranged in the form of a ring around the reflective surface (30) along an arrangement line (42). In a centre (44), the reflector (3) has a maximum height, in relation to a base side (40) of the ring light module (1). The centre (44) is located in a geometric centre of an inner face surrounded by the arrangement line (42). When viewed in a plan view of the reflective surface (30), the main emission directions (20) each point towards the centre (44) with a tolerance of at most 15°.

    Abstract translation: 在至少一个实施例中,环形光模块(1)包括多个第一和多个第二发光光电半导体部件(2)的每一个都具有一个主发光方向(20),其中所述第一半导体元件具有不同的第二半导体组件光谱发射。 环形光模块(1)包括:(3)具有弯曲的反射表面(30)的反射器。 上安装有半导体元件(2)的支撑件(4)。 半导体部件(2)是,在平面图中看到的在反射表面(30),沿着装配线(42)环形地围绕所述反射表面(42)布置成围绕。 在一个中心(44),反射器(3),以最大高度相对于所述环形发光模块的底侧(40)(1)。 中心(44)位于封闭的内部空间中的装配线(42)中的一个的几何中心。 在俯视观察到反射表面(30)朝向所述主发射方向(20),具有最大的每15°的向中心(44)有一个公差。

    Halbleiterlaser
    6.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102017012409B4

    公开(公告)日:2025-05-15

    申请号:DE102017012409

    申请日:2017-10-12

    Abstract: Halbleiterlaser (1) mit- einem Träger (2),- einer kantenemittierenden Laserdiode (3), die auf dem Träger (2) angebracht ist und die eine aktive Zone (33) zur Erzeugung einer Laserstrahlung (L) sowie eine Facette (30) mit einem Strahlungsaustrittsbereich (31) aufweist,- einer Schutzabdeckung (4), und- einem Klebemittel (5), mit dem die Schutzabdeckung (4) an der Facette (30) und an einer Seitenfläche (20) des Trägers (2) befestigt ist, wobei- ein mittlerer Abstand zwischen einer Lichteintrittsseite (41) der Schutzabdeckung (4) und der Facette (30) höchstens 60 µm beträgt,- der Halbleiterlaser (1) dazu eingerichtet ist, in normaler Atmosphäre ohne zusätzliche gasdichte Kapselung betrieben zu werden, und- zumindest eine der Facette (30) abgewandte Lichtaustrittsseite (42) der Schutzabdeckung (4) mit einer fotokatalytischen Beschichtung (45) versehen ist, wobei die fotokatalytische Beschichtung (45) dazu eingerichtet ist, aufgrund der Laserstrahlung (L) Ablagerungen an der Lichtaustrittsseite (42) zu entfernen und/oder zu zersetzen,- das Klebemittel (5) die Lichteintrittsseite (41), die Seitenfläche (20) sowie den gesamten Strahlungsaustrittsbereich (31) unmittelbar bedeckt und die Schutzabdeckung (4) eine Linse zur Kollimation der Laserstrahlung (L) ist, wobei der mittlere Abstand zwischen der Lichteintrittsseite (41) und der Facette (30) zwischen einschließlich 0,2 µm und 15 µm beträgt.

    Beleuchtungsmodul
    7.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102014110470A1

    公开(公告)日:2016-01-28

    申请号:DE102014110470

    申请日:2014-07-24

    Abstract: Es wird ein Beleuchtungsmodul (1) mit einem Montagekörper (3), der sich zwischen einer Rückseite (31) und einer der Rückseite gegenüberliegenden Vorderseite (30) erstreckt, und mit einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen (2), die zur Erzeugung von Strahlung vorgesehen sind, angegeben, wobei – der Montagekörper an der Rückseite eine Mehrzahl von Ausnehmungen (35) aufweist, in denen die Halbleiterbauelemente angeordnet sind, – der Montagekörper für die in den Halbleiterbauelementen erzeugte Strahlung durchlässig ist und die Strahlung an der Vorderseite des Montagekörpers austritt, – auf der Rückseite des Montagekörpers eine Kontaktschicht (5) angeordnet ist, mit der die Halbleiterbauelemente über Verbindungsleitungen elektrisch leitend verbunden sind, und – auf der Rückseite des Montagekörpers eine Reflektorschicht (6) angeordnet ist, die zumindest die Ausnehmungen vollständig überdeckt.

    8.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号:DE102008009110A1

    公开(公告)日:2009-08-20

    申请号:DE102008009110

    申请日:2008-02-14

    Abstract: The semiconductor laser module has a module carrier (20) with a mounting surface (21), a pumping device (1) arranged on the mounting surface, and a surface-emitting diode laser, which is also arranged on the mounting surface. A frequency converting device (6) is arranged on the mounting surface. The mounting surface of the module carrier has an area of 100 millimeter. The surface-emitting diode laser is fixed with a mounting surface of a mounting block (3) on the mounting surface of the module carrier.

    Optoelektronisches Bauelement
    9.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102012110403A1

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:DE102012110403

    申请日:2012-10-30

    Abstract: Ein Optoelektronisches Bauelement umfasst: – mindestens einen Halbleiterchip, der zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignet ist, – ein Strahlformungselement (1), durch das zumindest ein Teil der von dem Halbleiterchip im Betrieb emittierten elektromagnetischen Strahlung tritt und das eine optische Achse (2) aufweist, und das eine äußere Kontur (5) bezüglich eines zur optischen Achse (2) senkrechten Koordinatensystems (3, 4) aufweist, wobei die Kontur (5) eine Kurve (n) darstellt, die spiegelsymmetrisch zu beiden Mittelachsen (a1, a2) einer von der Kontur einbeschriebenen Ellipse (e) ist, wobei in jedem der vier gleichen Abschnitte zwischen den jeweiligen Mittelachsen (a1, a2) aufeinanderfolgen: ein Ellipsensegment (b1), ein linearer Teil (c1), ein zweites Ellipsensegment (d), ein weiterer linearer Teil (c2) und ein drittes Ellipsensegment (b2).

Patent Agency Ranking