Halbleiterschichtenfolge zur Erzeugung von sichtbarem Licht und Leuchtdiode

    公开(公告)号:DE102014117995A1

    公开(公告)日:2016-06-09

    申请号:DE102014117995

    申请日:2014-12-05

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge (1) zur Erzeugung von Licht eingerichtet und umfasst Halbleitersäulen (2). Die Halbleitersäulen (2) weisen je einen Kern (21) aus einem Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine Kernumhüllung (23) um den Kern (21) herum aus einem Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps auf. Zwischen dem Kern (21) und der Kernumhüllung (23) befindet sich eine aktive Zone (22) zur Erzeugung einer Primärstrahlung mittels Elektrolumineszenz. Auf die Halbleitersäulen (2) ist je eine Konversionsumhüllung (4) aufgebracht, die die zugehörige Kernumhüllung (23) zumindest teilweise formschlüssig umgibt und die die Primärstrahlung mindestens teilweise absorbiert und über Fotolumineszenz in eine langwelligere Sekundärstrahlung umwandelt. Die Konversionsumhüllungen (4), die auf benachbarten Halbleitersäulen (2) aufgebracht sind, füllen einen Zwischenraum zwischen den Halbleitersäulen (2) nur unvollständig aus.

    Halbleiterschichtenfolge zur Erzeugung von sichtbarem Licht und Leuchtdiode

    公开(公告)号:DE112015005448B4

    公开(公告)日:2022-09-01

    申请号:DE112015005448

    申请日:2015-12-03

    Abstract: Halbleiterschichtenfolge (1) zur Erzeugung von sichtbarem Licht mit einer Vielzahl von Halbleitersäulen (2), wobei- die Halbleitersäulen (2) je einen Kern (21) aus einem Halbleitermaterial eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine Kernumhüllung (23) um den Kern (21) herum aus einem Halbleitermaterial eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweisen,- sich zwischen dem Kern (21) und der Kernumhüllung (23) eine aktive Zone (22) der Halbleitersäulen (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung mittels Elektrolumineszenz befindet,- der Kern (21), die aktive Zone (22) und die Kernumhüllung (23) auf demselben Halbleitermaterial basieren,- auf die Halbleitersäulen (2) je eine Konversionsumhüllung (4) aufgebracht ist, die die zugehörige Kernumhüllung (23) mindestens teilweise formschlüssig umgibt und die die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und über Fotolumineszenz in eine langwelligere Sekundärstrahlung umwandelt,- die Konversionsumhüllung (4) direkt auf die Kernumhüllung (23) aufgebracht ist und die Kernumhüllung (23) eine konstante Schichtdicke aufweist,- die Konversionsumhüllungen (4), die auf benachbarten Halbleitersäulen (2) aufgebracht sind, einen Zwischenraum zwischen diesen Halbleitersäulen (2) nur unvollständig ausfüllen, sodass zwischen benachbarten Halbleitersäulen keine durchgehende, geradlinige Verbindung nur allein über die Konversionsumhüllungen (4) hergestellt ist,- die Konversionsumhüllungen (4) je eine konstante Dicke aufweisen, mit einer Toleranz von höchstens 20 % einer mittleren Dicke der Konversionsumhüllungen (4), und- die Konversionsumhüllung (4) die einzige fotolumineszierende Komponente ist.

    Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement

    公开(公告)号:DE102015107580A1

    公开(公告)日:2016-11-17

    申请号:DE102015107580

    申请日:2015-05-13

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement angegeben, umfassend einen Halbleiterchip, der eine Primärstrahlung im UV-Bereich emittiert und ein Konversionselement umfassend – einen Leuchtstoff der Formel (M1-xEux)10(PO4)6(Cl, F)2, wobei M = Sr oder M = Sr und ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Ba umfasst und x = 0,01–0,12 oder einen Leuchtstoff der Formel M1-yEuyMgAl10O17, wobei M = Ba oder M = Ba und ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Sr umfasst und y = 0,01–0,9, der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung teilweise in eine erste Sekundärstrahlung im blauen Bereich konvertiert, – einen Leuchtstoff der Formel M1-pEup(Mg1-zMnz)Al10O17, wobei M = Ba oder M = Ba und ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Sr umfasst mit p = 0,01–0,7 und z = 0,05–0,5, der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung teilweise in eine zweite Sekundärstrahlung im grünen Bereich konvertiert, – einen Leuchtstoff der Formel Mg4Ge1-qMnq(O, F)6 mit q = 0,001–0,06, der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung teilweise in eine dritte Sekundärstrahlung im roten Bereich konvertiert.

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