Optoelektronisches Halbleiterbauteil

    公开(公告)号:DE102014108188A1

    公开(公告)日:2015-12-17

    申请号:DE102014108188

    申请日:2014-06-11

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung. Mindestens ein Leuchtstoff (3) zur teilweisen oder vollständigen Umwandlung der Primärstrahlung in eine langwelligere Sekundärstrahlung, die im sichtbaren Spektralbereich liegt, ist dem Halbleiterchip (2) nachgeordnet. Weiterhin weist das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Filterstoff (4) zur teilweisen Absorption der Sekundärstrahlung auf. Der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) sind dabei innig mit dem Halbleiterchip (2) verbunden.

    Optoelektronisches Halbleiterbauteil

    公开(公告)号:DE112015002763B4

    公开(公告)日:2023-01-19

    申请号:DE112015002763

    申请日:2015-06-10

    Abstract: Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit- mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (2) zur Erzeugung einer Primärstrahlung im nahultravioletten oder im sichtbaren Spektralbereich,- mindestens einem Leuchtstoff (3) zur teilweisen oder vollständigen Umwandlung der Primärstrahlung in eine langwelligere Sekundärstrahlung, die im sichtbaren Spektralbereich liegt, und- mindestens einem Filterstoff (4) zur teilweisen Absorption der Sekundärstrahlung, wobei- der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) innig mit dem Halbleiterchip (2) verbunden sind,- der Filterstoff (4) für die Primärstrahlung strahlungsdurchlässig ist,- der Filterstoff (4) spektral schmalbandig absorbiert im Wellenlängenbereich oberhalb von mindestens 530 nm mit einer spektralen Halbwertbreite von höchstens 20 nm,- der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) statistisch miteinander durchmischt vorliegen, sodass keine Phasentrennung zwischen dem Leuchtstoff (3) und dem Filterstoff (4) gegeben ist und der Leuchtstoff (3) und der Filterstoff (4) jeweils homogen verteilt vorliegen, und- durch den Filterstoff (4) ein Farbwiedergabeindex und ein Farbkontrastindex einer von dem Halbleiterbauteil (1) emittierten Mischstrahlung, die aus der Primärstrahlung und der Sekundärstrahlung besteht, erhöht sind.

    Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement

    公开(公告)号:DE102015107580A1

    公开(公告)日:2016-11-17

    申请号:DE102015107580

    申请日:2015-05-13

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement angegeben, umfassend einen Halbleiterchip, der eine Primärstrahlung im UV-Bereich emittiert und ein Konversionselement umfassend – einen Leuchtstoff der Formel (M1-xEux)10(PO4)6(Cl, F)2, wobei M = Sr oder M = Sr und ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Ba umfasst und x = 0,01–0,12 oder einen Leuchtstoff der Formel M1-yEuyMgAl10O17, wobei M = Ba oder M = Ba und ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Sr umfasst und y = 0,01–0,9, der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung teilweise in eine erste Sekundärstrahlung im blauen Bereich konvertiert, – einen Leuchtstoff der Formel M1-pEup(Mg1-zMnz)Al10O17, wobei M = Ba oder M = Ba und ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Sr umfasst mit p = 0,01–0,7 und z = 0,05–0,5, der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung teilweise in eine zweite Sekundärstrahlung im grünen Bereich konvertiert, – einen Leuchtstoff der Formel Mg4Ge1-qMnq(O, F)6 mit q = 0,001–0,06, der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung teilweise in eine dritte Sekundärstrahlung im roten Bereich konvertiert.

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