公开(公告)号：JP2010021570A

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：JP2009238937

申请日：2009-10-16

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： KRAEUTER GERTRUD ,  SORG JOERG ERICH

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/44 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L21/68 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L33/52 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49586 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L33/62 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49171 ,  Y10T436/173076 ,  Y10T436/188 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To further reduce the size of a structure, in particular, the height of the structure by providing a substrate frame (10) including a laminate provided with a support layer having an electric insulation property and a conductive connection conductor layer. SOLUTION: The support layer having an electric insulation property has at least one contact window (7) to the connection conductor layer; at least two external electrical connection conductors (2, 3) are formed on the conductive connection conductor layer; and at least one of the connection conductors is electrically connected through the contact window (7). COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题为了进一步减小结构的尺寸，特别是通过提供一种基板框架（10）来进一步减小结构的高度，所述基板框架（10）包括具有电绝缘性和导电连接的支撑层的层压板 导体层。 解决方案：具有电绝缘性能的支撑层具有至少一个与连接导体层的接触窗口（7）; 至少两个外部电连接导体（2,3）形成在导电连接导体层上; 并且所述连接导体中的至少一个通过所述接触窗（7）电连接。 版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2008083704A

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：JP2007247487

申请日：2007-09-25

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： KRAEUTER GERTRUD

IPC: G02B3/00 ,  G02B1/04 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

CPC classification number: G02B6/002 ,  G02B1/105 ,  G02B1/14 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical element which has an improved aging characteristic, has temperature stability and can be manufactured at low costs. SOLUTION: An optical body (2) containing a plastic material is provided and the optical body (2) is fully surrounded by a protection layer (3) containing silicon oxide. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有改善的老化特性的光学元件，具有温度稳定性并且可以以低成本制造。 解决方案：提供包含塑料材料的光学体（2），并且光学体（2）被包含氧化硅的保护层（3）完全包围。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007103936A

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：JP2006267781

申请日：2006-09-29

Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

Inventor： PLOESL ANDREAS ,  KRAEUTER GERTRUD ,  BUTENDEICH RAINER

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01S5/32

CPC classification number: H01L33/12 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/04 ,  H01S5/0217

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an epitaxial substrate that achieves a peeling technology even in a arseniuretted-gallium-based material, has a sacrifice layer deposited on a wafer substrate, and has a group III-V semiconductor. SOLUTION: The epitaxial substrate has the sacrifice layer deposited on the wafer substrate, and the group III-V semiconductor. In this case, the band gap of the sacrifice layer is smaller than that of a peripheral substrate. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供即使在砷化镓基材料中实现剥离技术的外延基板，在晶片衬底上沉积有牺牲层，并且具有III-V族半导体。 解决方案：外延衬底具有沉积在晶片衬底上的牺牲层和III-V族半导体。 在这种情况下，牺牲层的带隙比外围基板的带隙小。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：DE102009047888A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：DE102009047888

申请日：2009-09-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KRAEUTER GERTRUD ,  RAUKAS MADIS ,  BARCHMANN BERND

IPC: H01L33/60 ,  H01L31/02 ,  H01L33/56 ,  H01S5/022 ,  H01S5/028

Abstract: Optoelektronisches Bauelement, umfassend ein optisches Element, ausgewählt aus: Leuchtdiode, Laser, Sensor, ein Bauteil, welches Silber und/oder Aluminium umfasst, wobei das Bauteil mit einer Glasschicht verkapselt ist.

公开(公告)号：WO03038912A2

公开(公告)日：2003-05-08

申请号：PCT/DE0204025

申请日：2002-10-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  BOGNER GEORG ,  BRUNNER HERBERT ,  KRAEUTER GERTRUD ,  WAITL GUENTER

Inventor： BOGNER GEORG ,  BRUNNER HERBERT ,  KRAEUTER GERTRUD ,  WAITL GUENTER

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/483 ,  H01L33/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014

Abstract: The invention concerns an optoelectronic component, in particular an optoelectronic component adapted to be surface-mounted, comprising a housing body (2), an optoelectronic semiconductor chip (3) arranged in particular in a recess (6) of the housing body, and electrical connections (1A, 1B), the semiconductor chip being in electroconductive connection with the electrical connections of the conductor network. The housing body (2) is made of a sheathing material, in particular a plastic material, filled with a filler material having a high degree of reflection in a wavelength range less than about 500 nm.

Abstract translation: 光电子器件，特别是表面安装的光电器件具有一个壳体（2），特别是在凹部（6）的外壳主体设置光电子半导体芯片（3）和具有电端子（1A，1B），其中，半导体芯片与引线框架的电端子 导电连接。 壳体（2）由一包装材料，与具有高反射率的填料的波长区域低于约500nm形成特别是塑料材料制成。

公开(公告)号：DE102012108413A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：DE102012108413

申请日：2012-09-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KEITH CHRISTINA ,  KRAEUTER GERTRUD ,  DIRSCHERL GEORG ,  GEBUHR TOBIAS

IPC: H01L23/08 ,  H01L21/56 ,  H01L33/56

Abstract: Es wird ein Gehäuse für ein optoelektronisches Bauteil angegeben. Das Gehäuse umfasst ein duroplastisches Polymer, das mittels Polymerisation von zumindest einer Monomerverbindung erhältlich ist.

公开(公告)号：DE102011100728A1

公开(公告)日：2012-11-08

申请号：DE102011100728

申请日：2011-05-06

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KRAEUTER GERTRUD

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/52 ,  H01S5/028

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben, mit – zumindest einem strahlungsemittierenden Halbleiterchip (2), der eine Strahlungsauskoppelfläche (22) aufweist, durch die zumindest ein Teil der im Halbleiterchip (2) erzeugten elektromagnetischen Strahlung den Halbleiterchip (2) verlässt; – zumindest einem zumindest stellenweise dem Halbleiterchip (2) an seiner Strahlungsauskoppelfläche (22) nachgeordneten strahlungsdurchlässigen Körper (3), der mit dem Halbleiterchip (2) in zumindest mittelbaren Kontakt steht, wobei – der strahlungsdurchlässige Körper (3) mit zumindest einem Polymer gebildet ist oder zumindest einen Polymer enthält, und – jeweils ein Monomer des Polymers mit zumindest einem Silazan gebildet ist.

公开(公告)号：DE102009027977A1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：DE102009027977

申请日：2009-07-23

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RAUKAS MADIS ,  KRAEUTER GERTRUD

IPC: H01L33/50

Abstract: Es wird eine Leuchtdiode angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), umfassend zumindest eine aktive Zone (2), die zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist, - einem keramischen Abdeckkörper (7), umfassend einen Leuchtstoff (8), der vorgesehen ist, elektromagnetische Strahlung zu absorbieren und elektromagnetische Strahlung einer anderen Wellenlänge zu emittieren, und - einer glashaltigen Haftvermittlungsschicht (6), wobei - der Abdeckkörper (7) an einer Strahlungsaustrittsfläche (1a) des Halbleiterkörpers (1) befestigt ist und - die glashaltige Haftvermittlungsschicht (6) zwischen der Strahlungsaustrittsfläche (1a) und dem Abdeckkörper (7) angeordnet ist und eine Haftung zwischen dem Halbleiterkörper (1) und dem Abdeckkörper (7) vermittelt.

公开(公告)号：DE102007006349A1

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：DE102007006349

申请日：2007-02-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRAUNE BERT ,  KRAEUTER GERTRUD

IPC: F21K2/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58

Abstract: An arrangement and a method for producing such an arrangement serve for generating mixed light. In this case, a semiconductor chip that emits an electromagnetic primary radiation has a luminescence conversion element in the beam path of the primary radiation. Furthermore, the arrangement includes a connecting element and a carrier element, wherein the carrier element carries and shapes the luminescence conversion element and the connecting element.

公开(公告)号：DE102004040277A1

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：DE102004040277

申请日：2004-08-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KRAEUTER GERTRUD ,  WIRTH RALPH ,  PLOESL ANDREAS ,  ZULL HERIBERT

IPC: H01L33/46

Abstract: The invention describes a method for producing a reflective layer system and a reflective layer system for application to a III/V compound semiconductor material, wherein a first layer, containing phosphosilicate glass, is applied directly to the semiconductor substrate Disposed thereon is a second layer, containing silicon nitride. A metallic layer is then applied thereto.