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公开(公告)号：DE102015116968A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：DE102015116968
申请日：2015-10-06
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SINGER FRANK , VON MALM NORWIN DR , RÜGHEIMER TILMAN , KIPPES THOMAS
IPC: H01S5/00
Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet einen n-leitenden Bereich (23), einen p-leitenden Bereich (21) und eine dazwischenliegende aktive Zone (22). In einer Resonatorstrecke (3) wird eine Laserstrahlung erzeugt. Die Resonatorstrecke (3) ist parallel zur aktiven Zone (22) ausgerichtet. Ferner beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen elektrischen p-Kontakt (41) und einen elektrischen n-Kontakt (43), die sich je an dem zugehörigen Bereich (21, 23) der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden und die zur Einprägung von Strom direkt in dem zugehörigen Bereich (21, 23) eingerichtet sind. Eine p-Kontaktfläche (61) ist mit dem p-Kontakt (41) elektrisch verbunden und eine n-Kontaktfläche (63) ist mit dem n-Kontakt (43) elektrisch verbunden, sodass die p-Kontaktfläche (61) und die n-Kontaktfläche (63) zu einem externen elektrischen und mechanischen Anschließen des Halbleiterlasers (1) eingerichtet sind. Es sind die Kontaktflächen (61, 63) parallel zu einer Wachstumsrichtung (G) der Halbleiterschichtenfolge (2) orientiert. Dabei ist der Halbleiterlaser (1) drahtfrei oberflächenmontierbar.
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公开(公告)号：DE102017124319A1
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：DE102017124319
申请日：2017-10-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RÜGHEIMER TILMAN , HALBRITTER HUBERT
IPC: H01L31/173 , G01S7/481 , H01L21/301 , H01L21/58 , H01L25/16 , H01L27/14 , H01L33/20
Abstract: Halbleiterbauteil umfassend- einen ersten Halbleiterkörper (1) mit einem Substrat (10), das eine erste Dicke hat, sowie- einen zweiten Halbleiterkörper (2), die eine zweite Dicke geringer als die erste Dicke hat, eine Abrissstelle (40) aufweist, auf dem Substrat (10) angeordnet und elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterkörper (1) verbunden ist.
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公开(公告)号：DE102017121715A1
公开(公告)日：2019-03-21
申请号：DE102017121715
申请日：2017-09-19
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RÜGHEIMER TILMAN , HALBRITTER HUBERT , ENZMANN ROLAND HEINRICH
IPC: A61B5/0245 , G16Z99/00
Abstract: Bei dem Verfahren wird ein Pulsfrequenzmesser (100) mit einer Strahlungsquelle (1) und einem Strahlungssensor (3) bereitgestellt. Die Strahlungsquelle emittiert Strahlung auf eine Körperstelle (2). Der Strahlungssensor erfasst den von oder den durch die Körperstelle reflektierten oder transmittierten Anteil der Strahlung und liefert ein Messsignal. Der Pulsfrequenzmesser ist in einem ersten und einem zweiten Betriebsmodus betreibbar. In dem ersten Betriebsmodus wird die Strahlungsquelle durchgehend in einem Abtastmodus betrieben. In dem zweiten Betriebsmodus wird die Strahlungsquelle zyklisch mit einer vorgebbaren Testfrequenz (F_2) für jeweils eine vorgebbare Testzeitspanne (T_2) in dem Abtastmodus betrieben. Im Schritt A1) wird der erste Betriebsmodus eingestellt. Im Schritt B1) werden die aufgenommenen Messsignale auf Pulsschläge analysiert. Im Schritt C1) wird eine aktuelle Pulsfrequenz auf Basis der gefundenen Pulsschläge ermittelt. Im Schritt D1) wird eine erwartete Pulsfrequenz auf Basis der ermittelten Pulsfrequenz ermittelt. Im Schritt A2) wird der zweite Betriebsmodus eingestellt, wobei die Testfrequenz kleiner oder gleich der erwarteten Pulsfrequenz vorgegeben wird. In einem Schritt B2) werden die aufgenommen Messsignale des Strahlungssensors auf Pulsschläge analysiert.
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公开(公告)号：DE102015116970A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：DE102015116970
申请日：2015-10-06
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SINGER FRANK , VON MALM NORWIN DR , RÜGHEIMER TILMAN , KIPPES THOMAS
IPC: H01S5/30
Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet einen n-leitenden Bereich (23), einen p-leitenden Bereich (21) und eine dazwischen liegende aktive Zone (22). In einer Resonatorstrecke (3) wird eine Laserstrahlung erzeugt. Die Resonatorstrecke (3) ist parallel zur aktiven Zone (22) ausgerichtet. Ferner beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen elektrischen p-Kontakt (41) und einen elektrischen n-Kontakt (43), die sich je an dem zugehörigen Bereich (21, 23) der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden und die zur Einprägung von Strom direkt in dem zugehörigen Bereich (21, 23) eingerichtet sind. Der n-Kontakt (43) erstreckt sich von dem p-leitenden Bereich (21) her durch die aktive Zone (22) hindurch in den n-leitenden Bereich (23) und befindet sich, in Draufsicht gesehen, neben der Resonatorstrecke (3).
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公开(公告)号：DE102015106995A1
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：DE102015106995
申请日：2015-05-05
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BÖSCKE TIM , RÜGHEIMER TILMAN
Abstract: Es wird ein optischer Herzfrequenzsensor mit mindestens einer Lichtquelle und mindestens einem Photodetektor angegeben, der als Lichtquelle eine blaue Leuchtdiode mit einem Konversionsleuchtstoff, der das blaue Licht in grün-gelbes Licht umwandelt, verwendet. Dadurch können vorteilhafte Absorptionseigenschaften des Hämoglobins ausgenutzt werden.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102018101569A1
公开(公告)日：2019-07-25
申请号：DE102018101569
申请日：2018-01-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RÜGHEIMER TILMAN , HALBRITTER HUBERT
IPC: H01S5/187
Abstract: Oberflächenemittierender Halbleiterlaserchip (1) mit einem Träger (20), einem auf dem Träger (20) angeordneten Schichtenstapel (10) mit einer senkrecht zur Stapelrichtung (R) verlaufenden Schichtenebene (L), einem Vorderseitenkontakt (310) und einem Rückseitenkontakt (320), bei demim Betrieb vermittels Stromeinschnürung im Schichtenstapel (10) eine vorgegebene Verteilung einer Stromdichte (I) erzielt wird, wobeiim Träger (20) eine elektrische Durchkontaktierung (200) vorgesehen ist, welche sich von einer von dem Schichtenstapel (10) abgewandten Bodenfläche (20a) des Trägers (20) bis zu einer dem Schichtenstapel (10) zugewandten Fläche des Trägers (20) erstreckt, unddie Verteilung der Stromdichte (I) durch Form und Größe des Querschnitts der Durchkontaktierung (200) parallel zur Schichtenebene (L) an der dem Schichtenstapel zugewandten Fläche maßgeblich beeinflusst ist.
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公开(公告)号：DE102017126338A1
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：DE102017126338
申请日：2017-11-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RÜGHEIMER TILMAN , SCHWARZ THOMAS , HÖPPEL LUTZ , PLÖSSL ANDREAS , PFEUFFER ALEXANDER F
Abstract: Es wird ein Bauteilverbund (100) mit einem Zwischenträger (90), einer Mehrzahl von darauf angeordneten Bauteilen (10) und einer Mehrzahl von Halteelementen (3, 3A, 3B), bei dem die Bauteile jeweils zumindest zwei elektrische Bauelemente (1, 1A, 1B) und eine Isolierungsschicht (2) aufweisen, wobei mindestens eines der elektrischen Bauelemente des Bauteils ein optoelektronischer Halbleiterchip (1, 1A) ist. Die Isolierungsschicht ist bereichsweise zwischen den elektrischen Bauelementen desselben Bauteils angeordnet, wobei die zumindest zwei elektrischen Bauelemente desselben Bauteils nebeneinander angeordnet und jeweils von der Isolierungsschicht lateral umschlossen sind, sodass die zumindest zwei elektrischen Bauelemente und die Isolierungsschicht desselben Bauteils als integrale Bestandteile einer selbsttragenden und mechanisch stabilen Einheit ausgeführt sind. Die Halteelemente fixieren die Positionen der Bauteile auf dem Zwischenträger, wobei die Bauteile als selbsttragende und mechanisch stabile Einheiten vom Zwischenträger ablösbar ausgeführt sind und die Halteelemente beim Abnehmen der Bauteile diese unter mechanischer Belastung freigeben.Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauteilverbunds angegeben.
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8.发明专利
公开(公告)号：DE102017126109A1
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：DE102017126109
申请日：2017-11-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： RÜGHEIMER TILMAN
Abstract: Es wird ein Licht emittierendes Bauelement (100) angegeben, das ein Gehäuse (1) aufweist, in dem zumindest ein Licht emittierender Halbleiterkörper (2) mit einer aktiven Schicht (12) zur Erzeugung von Licht angeordnet ist, wobei das Gehäuse einen Träger (3) und eine Deckplatte (4), die für das vom Halbleiterkörper im Betrieb erzeugte Licht transparent ist, aufweist, der Träger und die Deckplatte durch einen umlaufenden Metallrahmen (5) miteinander verbunden sind und mit dem Metallrahmen einen hermetisch abgeschlossenen Innenraum (6) bilden, der zumindest eine Licht emittierende Halbleiterkörper im Innenraum auf der Deckplatte angeordnet ist und die Deckplatte ein Aufwachssubstrat ist, auf dem der zumindest eine Licht emittierende Halbleiterkörper aufgewachsen ist.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Bauelements angegeben.
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公开(公告)号：DE112016004575A5
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：DE112016004575
申请日：2016-09-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SINGER FRANK , VON MALM NORWIN , RÜGHEIMER TILMAN , KIPPES THOMAS
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公开(公告)号：DE112016004575B4
公开(公告)日：2024-11-28
申请号：DE112016004575
申请日：2016-09-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SINGER FRANK , MALM NORWIN VON , RÜGHEIMER TILMAN , KIPPES THOMAS
Abstract: Halbleiterlaser (1) mit- einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen n-leitenden Bereich (23), einen p-leitenden Bereich (21) und eine dazwischen liegende aktive Zone (22) umfasst,- genau einer Resonatorstrecke (3), in der im Betrieb des Halbleiterlasers (1) eine Laserstrahlung (L) erzeugt wird und die parallel zur aktiven Zone (22) ausgerichtet ist,- einem elektrischen p-Kontakt (41), der sich an dem p-leitenden Bereich (21) befindet und der zur Stromeinprägung direkt in den p-leitenden Bereich (21) eingerichtet ist, und- einem elektrischen n-Kontakt (43), der sich an dem n-leitenden Bereich (23) befindet und der zur Stromeinprägung direkt in den n-leitenden Bereich (23) eingerichtet ist,wobei sich der n-Kontakt (43) von dem p-leitenden Bereich (21) her durch die aktive Zone (22) hindurch in den n-leitenden Bereich (23) erstreckt und, in Draufsicht gesehen, neben der Resonatorstrecke (3) befindet, sodass der n-Kontakt (43) innerhalb des n-leitenden Bereichs (23) endet,- der n-Kontakt (43) in zumindest einem Querschnitt parallel zur aktiven Zone (22) gesehen ringsum von einem Material der Halbleiterschichtenfolge (2) umgeben ist, sodass im Bereich des p-leitenden Bereichs (21) sowie in der Ebene der aktiven Zone (22) der n-Kontakt (43) ringsum von einer geschlossenen, zusammenhängenden Bahn des zugehörigen Halbleitermaterials umgeben ist und der n-Kontakt (43) in lateraler Richtung im Bereich der Halbleiterschichtenfolge (2) seitlich nirgends freiliegt,- der n-Kontakt (43) und der p-Kontakt (41) je aus einem oder aus mehreren Metallen bestehen,- sich alle elektrischen Kontaktflächen (61, 63) zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterlasers (1) auf derjenigen Seite der aktiven Zone (22) befinden, auf der sich der p-leitende Bereich (21) befindet,- alle Facetten (25) der Halbleiterschichtenfolge (2) und eine dem p-leitenden Bereich (21) abgewandte Oberseite (28) der Halbleiterschichtenfolge (2) frei sind von Metallisierungen,- direkt auf dem n-Kontakt (43) und direkt auf dem p-Kontakt (41) an der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seiten je eine metallische Verstärkungsschicht (51, 53) angebracht ist,- die Verstärkungsschichten (51, 53) an den der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seiten je nur stellenweise von zumindest einer elektrischen Isolationsschicht (72) bedeckt sind,- direkt auf die elektrische Isolationsschicht (72) die zumindest zwei metallischen elektrischen Kontaktflächen (61, 63) zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterlasers (1) aufgebracht sind,- die elektrischen Kontaktflächen (61, 63) eine andere Grundfläche aufweisen als die Verstärkungsschichten (51, 53) und als der n-Kontakt (43) und der p-Kontakt (41), in Draufsicht auf den p-leitenden Bereich (21) gesehen,- die elektrischen Kontaktflächen (61, 63) und die Verstärkungsschichten (51, 53) die Halbleiterschichtenfolge (2) seitlich überragen, in Draufsicht auf den p-leitenden Bereich (21) gesehen, und- die elektrischen Kontaktflächen (61, 63) parallel zur aktiven Zone (22) ausgerichtet sind.
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